非线性网络的动力学复杂性研究

综述了非线性网络的动力学复杂性研究在网络理论、实证和应用方面所取得的主要进展和重要成果;深刻揭示了复杂网络的若干复杂性特征与基本定量规律;提出和建立了网络科学的统一混合理论体系(三部曲)和网络金字塔,并引入一类广义Farey组织的网络家族,阐明网络的复杂性-简单性与多样性-普适性之间转变关系;揭示了网络的拓扑结构特征与网络的动态特性之间关系;建立具有长程连接的规则网络的部分同步理论并应用于随机耦合的时空非线性系统的同步;提出复杂网络的动力学同步与控制多种方法;提出若干提高同步能力的模型、方法和途径,如同步最优和同步优先模型、同步与网络特征量关系、权重作用、叶子节点影响等;提出复杂混沌网络的多目标控制及具有小世界和无标度拓扑的束流输运网络的束晕一混沌控制方法;提出集群系统的自适应同步模型及蜂拥控制方法;探讨网络上拥塞与路由控制、资源博弈及不同类型网络上传播的若干规律;揭示含权经济科学家合作网及其演化特点;实证研究并揭示了多层次的高科技企业网和若干社会网络的特点;提出一种复杂网络的非平衡统计方法,把宏观网络推进到微观量子网络.     

超声液位检测频率选择的理论计算和实验研究

非介入式超声液位检测中,中间层介质对反射回波强度有着显著的影响,为得到较强的检测回波信号,发射频率的选择是非常必要的。本文采用传输矩阵方法,对非介入式超声液位检测中声波在多层介质中的传播进行了研究,给出了反射回波声强与入射声波频率之间的关系,从理论上计算得到了最佳入射声波频率。实验结果与理论计算一致,由此为非介入式超声液位检测的频率选择提供了一有效的技术途径。     

叶子节点对于网络同步能力影响的研究

系统考察了叶子节点对于网络同步能力的影响,发现随着叶子节点比例的增加,网络的同步能力下降,同时给出了数值结果以及理论解释. 关键词： 复杂网络 叶子节点 同步能力     

气动热环境下高速飞行器光学头罩特性分析

建立高速飞行器红外光学头罩在气动热环境下有限元分析模型,分析头罩在气动热环境下的物理特性和光学特性,对头罩在气动热环境下的温度场、应力场、应变场和位移场进行数值计算。计算结果表明头罩在气动热环境下温度场分布不均匀,因此头罩会产生热应力而发生形变。利用有限元分析结果,根据热光效应和弹光效应理论,对气动热环境下红外光学头罩的折射率场进行数值计算。以头罩外表面中心点折射率为例,在头罩工作时间内,通过计算得到头罩15s后由热光效应造成的折射率改变为0.011,而由弹光效应造成的x方向折射率改变为0.000107,即弹光效应造成的折射率改变量约为热光效应造成折射率改变量的0.97%,由此可知,在气动热环境下热光效应对头罩折射率的影响比较大,而弹光效应对头罩折射率的影响比较小。     

氢气浓度对MPCVD金刚石膜色度的影响

利用自行设计的直接耦合石英管微波等离子体化学气相沉积装置, 以氢气和甲烷为反应气体, 沉积出八个金刚石膜样品。研究了氢气浓度对所沉积金刚石膜色度的影响。结果表明, 饱和纯度和色纯度随着H2浓度的增大而升高; 当H2浓度达到94.137%时, 饱和纯度和色度纯度达到最大, 分别为8.5%和9.5%; 之后随着H2浓度的进一步升高饱和纯度和色纯度开始下降。     

氢化物发生原子荧光光谱法测定螺旋藻中无机硒和有机硒

螺旋藻试样经硝酸、高氯酸消解,原子荧光光谱法测定总硒含量;用水浸提螺旋藻试样,经环己烷萃取后,水相采用硝酸、高氯酸消解后,原子荧光光谱法测定无机硒含量,间接测定螺旋藻中有机硒含量。总硒测定精密度在1.05%—2.10%之间,加标回收率在96.6%—102.3%之间;无机硒的浸提率在95.1%—100.7%之间,测定精密度在2.37%—3.70%之间,加标回收率在93.6%—98.4%之间,检出限为0.47mg/kg,满足螺旋藻中有机硒含量的测定。     

ZnGa2O4长余辉发光特性的研究

以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4。用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505和690 nm两个余辉峰,且余辉峰相对强度受原料配比和烧结温度等制备条件的影响。ZnO不足和温度较高时505 nm峰相对强度较高,ZnO过量和温度较低时690nm峰相对强度较高。讨论了余辉峰的来源,认为505 nm峰来源于结构中Ga^3＋替代了部分Zn^2＋后相对变形八面体中Ga^3＋的^2EA→^4A2能级间跃迁;而690 nm峰起源于晶格中出现氧空位V0^＊后变形八面体中氧空位向其周围的O^2-的V0^＊→O^2-跃迁。解释了余辉峰相对强度受制备条件影响的原因：温度较高时ZnO较多挥发导致不足,而ZnO不足会使结构中出现Zn^2＋空位,从而多余的的Ga^3＋出现在这些空位上,其^2EA到^4A2能级间跃迁使505 nm发射占优;而温度较低时ZnO挥发较少,由于ZnO相对Ga2O3氧不足,可形成更多的O空位,有利于690 nm发射占优,这与余辉峰来源的讨论相符合。     

铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的X射线衍射与相变分析

分析了斜方相、四方相铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的结构和X射线衍射图谱的特点. 对于铌酸钾钠基压电材料斜方相结构, 从构成晶胞的一个单斜原胞进行分析, 计算出X射线衍射谱上每个衍射角附近的衍射峰数目和相对强度. 提出了2θ在20°—60°范围内根据(1 0 2)衍射峰(52°附近)和(1 2 1)衍射峰(57°附近)劈裂的数目区分斜方和四方相的新方法. 对于多晶陶瓷粉末, 可以更简便的由22°(或45°)附近前后峰的相对高低来判断斜方、四方相. 关键词： 铌酸钾钠 无铅压电陶瓷 X射线衍射 相变     

Growth of Highly Conductive n-Type Al0.7Ga0.3N Film by Using AlN Buffer with Periodical Variation of Ⅴ/Ⅲ Ratio

High quality and highly conductive n-type Al0.7Ga0.3N films are obtained by using AlN multi-step layers （MSL） with periodical variation of Ⅴ/Ⅲ ratios by low-pressure metalorganic chemical vapour deposition （LP-MOCVD）. The full-width at half-maximum （FWHM） of （0002） and （1015） rocking curves of the Si-doped Al0.7Ga0.3N layer are 519 and 625 arcsec, respectively, Room temperature （RT） Hall measurement shows a free electron concentration of 2.9 × 10^19 cm^-3, and mobility of 17.8cm^2V^-1s^-1, corresponding to a resistivity of 0.0121 Ω cm. High conductivity of the Si-doped AlGaN film with such high Al mole fraction is mainly contributed by a remarkable reduction of threading dislocations （TDs） in AlGaN layer. The TD reducing mechanism in AlN MSL growth with periodical variation of Ⅴ/Ⅲ ratio is discussed in detail.     

n+46—50, natTi全套中子数据评价

在入射中子能量为10-5 eV—20 MeV的范围内,对n₊46—50, natTi的全套数据进行了评价。首先, 在10-5 eV— 0.3 MeV的能区, 选取了合适的共振参数来描述共振, 并且做好了平滑区与共振区的连接。同时,详细分析了20 MeV以下n+46—50, natTi的各个反应道测量截面以及出射中子双微分截面谱、 能谱的实验数据。根据对实验数据的分析并且结合理论模型的计算结果,完成了对n+46—50, natTi的全套中子数据评价。所有的评价结果都分别与实验数据、 JENDL 3.3和JEFF 3.1的评价数据进行了比较。