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991.
碳羟基磷灰石除废水中铬(Ⅵ)吸附动力学和热力学研究 总被引:6,自引:2,他引:4
利用废弃蛋壳合成碳羟基磷灰石(CHAP)对含铬(Ⅵ)离子废水进行吸附实验研究,考查了溶液的pH值、吸附时间和温度对吸附平衡的影响,并探讨了吸附动力学和热力学行为.结果表明:常温下,吸附时间为30min、pH=3.0、5g/L CHAP对50mg/L的铬(Ⅵ)离子的吸附率达到98.3%以上,CHAP对铬(Ⅵ)离子的吸附机理符合Langmuir和Freundlich方程;准二级动力学模型比准一级动力学模型能更好地描述CHAP对含铬(Ⅵ)离子吸附动力学行为;不同温度下的吸附热力学的吉布斯自由能以及熵变和焓变显示该吸附过程为自发吸热反应. 相似文献
992.
本文采用水热法合成了一个新的金属有机-无机杂化化合物 [Cu4(phen)4(HPO4)2(H2O)2(OH)2][HPMo12O40]·H2O (1) ( phen=邻菲咯啉)。通过元素分析、红外光谱、热重分析、X-射线单晶衍射对其进行了结构表征。化合物1是由四核铜磷酸盐、Keggin阴离子和晶格水分子组成。四核铜磷酸盐和多阴离子之间通过弱的M…O相互作用形成二维结构(M=Cu, Mo), 该二维结构通过氢键和π-π相互作用形成三维超分子框架,还对化合物1的电化学和电催化性质进行了研究。 相似文献
993.
水热法合成ReMn2O5(Re=Gd,Sm,Yb)纳米粉体 总被引:1,自引:1,他引:0
本文采用水热法,以KMnO4和Mn(C2H3O2):为锰源,在250℃反应24 h合成了高各向异性的GdMn2O5、SmMn2O5和YbMn2O5纳米粉体.利用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、和高分辨透射电镜(HRTEM)对产物的结构和形貌进行了表征.结果表明,所制备的ReMn2O5(Re=Gd,Sm,Yb)均为正交相结构.反应溶液中碱性矿化剂浓度对产物的形貌和尺寸有重要的影响.通过实验结果分析了纳米结构的形成机理. 相似文献
994.
较为宽松条件下水热合成铁酸铋粉体 总被引:1,自引:0,他引:1
Bismuth ferrite(BiFeO3) powders were hydrothermally synthesized by using FeCl3·6H2O and BiCl3 as staring materials, NaOH as a mineralizer and NH4Cl as an additive. The results show that pure BiFeO3 powders can be synthesized under loose hydrothermal conditions of reaction temperature ranging from 140 to 230 ℃ and NaOH concentration ranging from 2 mol·L-1 to 5 mol·L-1. Moreover, the morphologies of the products can be controlled by changing the hydrothermal conditions. 相似文献
995.
996.
基于多壁碳纳米管/壳聚糖多层膜修饰玻碳电极邻苯二酚的测定 总被引:1,自引:0,他引:1
改进了碳纳米管在壳聚糖溶液中的分散方法,制备了多壁碳纳米管/壳聚糖多层膜修饰玻碳电极,对比了不同修饰层数膜电极的循环伏安和电化学阻抗行为,5层多壁碳纳米管/壳聚糖膜修饰玻碳电极的电化学性能优良.在最优实验条件下,该修饰玻碳电极对邻苯二酚(CAT)有灵敏的响应,CAT浓度在3.99×10-6~9.09×10-4mol/L范围内与氧化峰电流呈良好的线性关系,检出限为2.39×10-6mol/L(S/N=3).该修饰玻碳电极性能稳定,测定4×10-5mol/LCAT溶液,RSD(n=10)为2.1%;15周后,该电极的响应值仅降低1.9%. 相似文献
997.
998.
999.
多壁碳纳米管修饰碳黑微电极同时测定多巴胺和抗坏血酸 总被引:1,自引:0,他引:1
制备了多壁碳纳米管修饰碳黑微电极,研究了多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在该修饰电极上的电化学行为.实验表明,在pH 7.0的PBS缓冲溶液中,该修饰电极对DA和从均具有显著的催化氧化作用,AA与DA的氧化电位分别为30 mV和280 mV(vs.SCE).利用二次导数线性扫描伏安法测定,DA与AA的线性范围分别为6.0×10-9~2.0×10-4 mol/L和2.0×10-7~1.0×10-3mol/L,检出限为2.0×10-9mol/L 和1.0×10-7mol/L.方法已用于人工合成样品的分析. 相似文献
1000.
运用伏安法研究了吲哚美辛在单壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为.在0.1 mol/L HAc-NaAc缓冲溶液(pH 4.5)中,吲哚美辛于0.91 V (vs.SCE)电位处有一个峰形很好的氧化峰.与裸玻碳电极相比,吲哚美辛在修饰电极上的电位正移了约30 mV,峰电流增加了近10倍,表明该修饰电极对吲哚美辛有较强的电催化作用.搅拌条件下开路富集2 min,氧化峰电流与吲哚美辛在5.5×10-7~1.1×10-5 mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,检出限为1.1×10-7 mol/L.该方法可用于药剂中吲哚美辛的分析. 相似文献