吲哚美辛在单壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为

运用伏安法研究了吲哚美辛在单壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为.在0.1 mol/L HAc-NaAc缓冲溶液(pH 4.5)中,吲哚美辛于0.91 V (vs.SCE)电位处有一个峰形很好的氧化峰.与裸玻碳电极相比,吲哚美辛在修饰电极上的电位正移了约30 mV,峰电流增加了近10倍,表明该修饰电极对吲哚美辛有较强的电催化作用.搅拌条件下开路富集2 min,氧化峰电流与吲哚美辛在5.5×10-7～1.1×10-5 mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,检出限为1.1×10-7 mol/L.该方法可用于药剂中吲哚美辛的分析.     

司帕沙星在单壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为及其测定

运用循环伏安法和线性扫描伏安法研究了司帕沙星在单壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为,提出了一种简便、准确、灵敏的检测药物司帕沙星的电化学分析方法.在pH 6.0的0.1 mol·L-1Na2HPO4-NaH2PO4缓冲溶液中,司帕沙星在单壁碳纳米管修饰电极上于1.06 V电位处有一峰形很好的氧化峰.在最佳的试验条件下,该氧化峰电流与司帕沙星的浓度分别在1.1×10-6～2.2×10-5mol·L-1和2.7×10-5～1.6×10-4mol·L-1范围内呈线性关系.在开路富集30 s的条件下测得方法的检出限(3S/N)为5.0×10-7mol·L-1.电极上的吸着物质经循环伏安扫描即可除去,从而使电极活性恢复,在SPFX浓度为4.0X10-5mol·L-1的浓度水平下用同一电极连续测定10次,求得相对标准偏差为5.1%,取片剂样品按提出方法分析,测定值与标示值相符.在此基础上用标准加入法作回收试验,测得回收率在97.6%～105.7%之间.     

吡硫醇在单壁碳纳米管修饰电极上电化学行为的研究

研究了吡硫醇在单壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为,提出了一种检测吡硫醇的电化学方法.在0.1 mol/L的NaAc-HAc(pH 4.0)缓冲溶液中,吡硫醇在单壁碳纳米管修饰电极上出现一灵敏的氧化峰,峰电位位于0094 V处.与裸玻碳电极相比,单壁碳纳米管修饰电极显著提高了吡硫醇的氧化峰电流.在最佳实验条件下,吡硫醇浓度在9.9×10~(-6)～5.7×10~(-4) mol/L范围内与峰电流呈良好的线性关系,检出限为2.98×10~(-7) mol/L.吡硫醇在单壁碳纳米管修饰电极上的氧化过程受吸附控制,为1电子2质子的过程.