有机磷化合物的研究 ⅩⅦ.烯丙基膦酸酯碳阴离子的烷基化反应

本文研究了烯丙基膦酸二乙酯碳阴离子与烷基碘及三甲基氯硅烷的反应.探讨了亲电试剂、溶剂和配合剂对反应区域选择性的影响.     

Synthesis and Growth Mechanism： A Novel Fishing Rod-Shaped GaN Nanorods

A novel fishing rod-shaped GaN nanorod is successfully fabricated through a new method by using the two-step growth technology. This growth method is applicable to continuous synthesis and is able to produce a large number of single-crystalline GaN nanorods with a relatively high purity and at a low cost. X-ray diffraction, scanning electron microscopy and high-resolution transmission electron microscopy are used to characterize the as- synthesized nanorods. The results show that most of the nanorods consist of a main rod and a top curved thread. It is single-crystal GaN with hexagonal wurtzite structure. The representative photoluminescence spectrum at room temperature exhibits a strong UV light emission band centered at 370.8nm. Furthermore, a possible two-stage growth mechanism of the fishing rod-shaped GaN nanorod is also briefly discussed.     

超高速多通道瞬态测试系统软硬件设计技术研究

介绍采样频率为2~10 MHz的64通道超高速同步瞬态测试系统的设计技术,主要包括超高速瞬态测试系统的两类硬件架构设计及其软件架构设计;详细讲述基于PXI Express总线传输和高速RAID阵列数据持续流盘存储与基于大容量板载数据缓存和总线下载传输的测试系统硬件架构,并应用生产者/消费者结构与有限状态机结合的软件架构进行高性能测试系统软件设计;针对数十GByte海量测试数据的存储、回调编程以及多通道波形显示等系统软件设计关键技术问题提出解决方案;基于上述技术方案,设计了256 MB/s流盘速度连续采集时间达5 min以上的同步流盘测试系统以及10 MHz/Ch持续时间6.4 s的64通道超高速瞬态测试,满足瞬态测试的各种应用。     

3,5-二硝基苯甲酸冰片酯的合成及结构表征

冰片在中药中被广泛应用。利用前药原理,对冰片母体进行修饰,以冰片和3,5-二硝基苯甲酸为原料,以对甲苯磺酸为催化剂,合成了3,5-二硝基苯甲酸冰片酯,目标化合物的结构经FT-IR、13C NMR、1H NMR和元素分析加以确证。该化合物具有一定的研究开发价值。     

Effects of V/III ratio on the growth of a-plane GaN films

The non-polar a-plane GaN is grown on an r-plane sapphire substrate directly without a buffer layer by metal-organic chemical vapour deposition and the effects of V/III ratio growth conditions are investigated. Atomic force microscopy results show that triangular pits are formed at a relatively high V/III ratio, while a relatively low V/III ratio can enhance the lateral growth rate along the c-axis direction. The higher V/III ratio leads to a high density of pits in comparison with the lower V/III ratio. The surface morphology is improved greatly by using a low V/III ratio of 500 and the roughness mean square of the surface is only 3.9 nm. The high resolution X-ray diffraction characterized crystal structural results show that the rocking curve full width at half maximum along the m axis decreases from 0.757° to 0.720°, while along the c axis increases from 0.220° to 0.251° with the V/III increasing from 500 μmol/min to 2000 μmol/min, which indicates that a relatively low V/III ratio is conducible to the c-axis growth of a-plane GaN.     

水蒸气气化条件下碳酸钾对煤灰烧结和矿物质演化的影响

在水蒸气气化气氛(水蒸气-氢气-一氧化碳-二氧化碳混合气氛)下考察了反应压力对负载碳酸钾煤灰烧结温度的影响,建立了包含煤的灰分、煤灰化学组成、催化剂负载量及反应压力因素的煤灰烧结温度预测关系式,预测结果与实测烧结温度的误差在±15℃(2%)范围内。利用X射线衍射仪和Fact Sage热力学计算软件对不同气氛和压力下煤灰中的矿物组成及含量的变化规律进行了分析。结果表明,碳酸钾与煤灰中的硬石膏、方解石反应生成硫酸钾和碳酸钾钙;水蒸气气化气氛下硫酸钾和赤铁矿被还原,碳酸钾钙的分解温度随反应压力的增大而升高;负载催化剂煤灰中氢氧化钾的量随温度和压力的提高而增加,不同压力下煤灰的最低烧结温度与氢氧化钾的含量有关,当氢氧化钾的含量达到一定值时,不同压力下对应的温度与实验测得的煤灰烧结温度接近。     

氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究

系统研究了低温成核层生长时间、高温生长时的V/Ⅲ 比以及生长温度对氢化物气相外延生长GaN膜晶体质量的影响. 研究发现合适的低温成核层为后续高温生长提供成核中心, 并能有效降低外延膜与衬底间的界面自由能, 促进成核岛的横向生长; 优化的V/Ⅲ比和最佳生长温度有利于降低晶体缺陷密度, 促进横向生长, 增强外延膜的二维生长. 利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射、 低温光致发光谱和室温拉曼光谱对优化条件下生长的GaN外延膜进行了结构和光电特性表征. 测试结果表明, 膜表面平整光滑, 呈现二维生长模式表面形貌; (002)和(102)面摇摆曲线半高宽分别为317和343 arcsec; 低温光致发光谱中近带边发射峰为3.478 eV附近的中性施主束缚激子发射峰, 存在11 meV的蓝移, 半高宽为10 meV, 并且黄带发光强度很弱;常温拉曼光谱中E₂ (high) 峰发生1.1 cm^-1蓝移.结果表明, 优化条件下生长的GaN外延膜具有良好的晶体质量和光电特性, 但GaN 膜中存在压应力. 关键词： 氮化镓 氢化物气相外延 低温成核层     

用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中的极化电荷

研究发展了用肖特基电容 电压特性数值模拟确定调制掺杂AlxGa1 -xN GaN异质结中极化电荷的方法 .在调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上制备了Pt肖特基接触 ,并对其进行了C V测量 .采用三维费米模型对调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上肖特基接触的C V特性进行了数值模拟 ,分析了改变样品参数对C V特性的影响 .利用改变极化电荷、n AlGaN层掺杂浓度和肖特基势垒高度对C V曲线不同部分位置和形状影响不同 ,可以精确地求取极化电荷面密度 .通过模拟 ,得到Al0 2 2 Ga0 78N厚度为 45nm的调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结界面附近极化电荷面密度为 6 78× 10 1 2 cm- 2 .     

Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征

通过在调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属-铁电-半导体(MFS)结构.在高频电容-电压(C-V)特性测量中,发现Al0.22Ga0.78N/GaN异质界面二维电子气(2DEG)的浓度在-10V偏压下从1.56×1013cm-2下降为5.6×1012cm-2.由于PZT薄膜的铁电极化,在-10V偏压下可以观察到宽度为0.2V的铁电C-V窗口,表明在没有铁电极化方向反转的条件下,PZT/AlxGa1-xN/GaN MFS结构也能出现存储特性.因为2DEG带来的各种优点,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用.