| Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征 |
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| 引用本文： | 沈波,李卫平,周玉刚,毕朝霞,张荣,郑泽伟,刘杰,周慧梅,施毅,刘治国,郑有炓,Someya T,Arakawa Y.Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征[J].发光学报,2001,22(Z1):57-60. |
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| 作者姓名： | 沈波 李卫平 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y |
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| 作者单位： | 南京大学,Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science University of Tokyo, 7-22-1 Roppongi, Minato-ku, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，日本科学促进会资助项目，69806006,69976014,69987001，G20000683，，JSPS-RFTF96P00201，，，， |
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| 摘 要： | 通过在调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属-铁电-半导体(MFS)结构.在高频电容-电压(C-V)特性测量中,发现Al0.22Ga0.78N/GaN异质界面二维电子气(2DEG)的浓度在-10V偏压下从1.56×1013cm-2下降为5.6×1012cm-2.由于PZT薄膜的铁电极化,在-10V偏压下可以观察到宽度为0.2V的铁电C-V窗口,表明在没有铁电极化方向反转的条件下,PZT/AlxGa1-xN/GaN MFS结构也能出现存储特性.因为2DEG带来的各种优点,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用.
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| 关 键 词： | C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 AlxGa1-xN/GaN |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)增-0057-04 |
| 修稿时间： | 2001年3月17日 |
Capacitance-Voltage Properties of a Pb(Zro.53Tio.47)O3Ferroelectric Film on AlxGa1-x N/GaN Heterostructure |
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