| 用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中的极化电荷 |
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| 引用本文： | 周玉刚,沈波,刘杰,周慧梅,俞慧强,张荣,施毅,郑有炓.用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中的极化电荷[J].物理学报,2001(9). |
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| 作者姓名： | 周玉刚 沈波 刘杰 周慧梅 俞慧强 张荣 施毅 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系!南京210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项 (批准号 :G2 0 0 0 0 6 83)，国家自然科学基金 (批准号 :6 980 6 0 0 6，6 9976 0 14及 6 99870 0 1)，国家 |
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| 摘 要： | 研究发展了用肖特基电容 电压特性数值模拟确定调制掺杂AlxGa1 -xN GaN异质结中极化电荷的方法 .在调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上制备了Pt肖特基接触 ,并对其进行了C V测量 .采用三维费米模型对调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上肖特基接触的C V特性进行了数值模拟 ,分析了改变样品参数对C V特性的影响 .利用改变极化电荷、n AlGaN层掺杂浓度和肖特基势垒高度对C V曲线不同部分位置和形状影响不同 ,可以精确地求取极化电荷面密度 .通过模拟 ,得到Al0 2 2 Ga0 78N厚度为 45nm的调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结界面附近极化电荷面密度为 6 78× 10 1 2 cm- 2 .
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| 关 键 词： | AlxGa1-xN/GaN异质结 极化电荷 电容电压特性 数值模拟 |
EXTRACTION OF POLARIZATION-INDUCED CHARGE DENSITY INMODULATION-DOPED Al_xGa_(1-x)N/GaN HETEROSTRUCTURETHROUGH THE SIMULATION OF THE SCHOTTKY CAPACITANCE-VOLTAGE CHARACTERISTICS |
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| ZHOU YU-GANG,SHEN BO LIU JIE ZHOU HUI-MEI YU HUI-QIANG ZHANG RONG SHI YI ZHENG YOU-DOU.EXTRACTION OF POLARIZATION-INDUCED CHARGE DENSITY INMODULATION-DOPED Al_xGa_(1-x)N/GaN HETEROSTRUCTURETHROUGH THE SIMULATION OF THE SCHOTTKY CAPACITANCE-VOLTAGE CHARACTERISTICS[J].Acta Physica Sinica,2001(9). |
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| Authors: | ZHOU YU-GANG SHEN BO LIU JIE ZHOU HUI-MEI YU HUI-QIANG ZHANG RONG SHI YI ZHENG YOU-DOU |
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| Keywords: | Al xGa 1-x N/GaN heterostructure polarization-induced charge capacitance-voltage characteristics numerical simulation |
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