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81.
制备了基于调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结的Pt/Al0.22Ga0.78N/GaN肖特基二极管.由于Al0.22Ga0.78N势垒层中的极化场不同,不同Al0.22Ga0.78N势垒层厚度的二极管的电容-电压特性显著不同.根据对样品电容-电压特性的数值模拟,在Al0.22Ga0.78N势垒层厚度为30nm和45nm的样品中,异质界面的极化电荷面密度为6.78×1012cm-2.在Al0.22Ga0.78N势垒层厚度为75nm的样品中,极化电荷面密度降为1.30×1012cm-2.这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0.22Ga0.78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫.本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法. 相似文献
82.
Quantum phase transition in topological insulators has drawn heightened attention in condensed matter physics and future device applications.Here we report the magnetotransport properties of single crystalline(Bi_(0.92)In_(0.08))_2Se_3.The average mobility of~1000 cm~2·V~(-1)·s~(-1)is obtained from the Lorentz law at the low field(3 T)up to 50 K.The quantum oscillations rise at a field of~5 T,revealing a high mobility of~1.4×10~4cm~2·V~(-1)·s~(-1)at 2 K.The Dirac surface state is evident by the nontrivial Berry phase in the Landau–Fan diagram.The properties make the(Bi_(0.92)In_(0.08))_2Se_3a promising platform for the investigation of quantum phase transition in topological insulators. 相似文献
83.
One-dimensional wurtzite InN nanowires and zincblende InN nanorods are prepared by chemical vapour deposition (CVD) method on natural cleavage plane (110) of GaAs. The growth direction of InN nanowires is [100], with wurtzite structure. The stable crystal structure of InN is wurtzite (w-InN), zincblende structure (z-InN) is only reported for 2D InN crystals before. However, in this work, the zincblende InN nanorods [011] are synthesized and characterized. The SEM and TEM images show that every nanorod shapes a conical tip, which can be explained by the anisotropy of growth process and the theory of Ehrlich Schwoebel barrier. 相似文献
84.
We report the structural and optical properties of nonpolar m-plane GaN and GaN-based LEDs grown by MOCVD on a 7-LiAlO2 (100) substrate. The TMGa, TMIn and NH3 are used as sources of Ga, In and N, respectively. The structural and surface properties of the epilayers are characterized by x-ray diffraction, polarized Raman scattering and atomic force microscopy (AFM). The films have a very smooth surface with rms roughness as low as 2nm for an area of 10×10μm^2 by AFM scan area. The XRD spectra show that the materials grown on 7-LiAl02 (100) have (1 - 100) m-plane orientation. The EL spectra of the m-plane InGaN/GaN multiple quantum wells LEDs are shown. This demonstrates that our nonpolar LED structure grown on the 7-LiAlO2 substrate is indeed free of internal electric field. The current voltage characteristics of these LEDs show the rectifying behaviour with a turn on voltage of 1-3 V. 相似文献
85.
纳米ZnO生长及性质分析 总被引:2,自引:1,他引:1
利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在表面含有ZnO颗粒作为催化剂的Si(111)衬底上制备了ZnO纳米柱阵列。采用X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱分析了样品的晶体结构质量、表面性质和光学性质。结果表明,生长出来的纳米ZnO具有较好的c轴择优取向性。发现氧分压对ZnO纳米柱的生长有重要影响:当氧分压较低时,生长基于VLS机制;当氧分压较高时,生长基于VS机制;通过对N2O流量的控制可实现对ZnO纳米材料的可控生长。 相似文献
86.
87.
88.
首先把本征值方程投影到导带的子空间中, 进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α 1, α 2)和子带间自旋-轨道耦合系数η12. 然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α 1, α 2和η12, 并分别讨论了量子阱阱层、左右异质结界面和垒层对它们的贡献. 结果表明可以通过栅压来调节自旋-轨道耦合系数, 子带间自旋轨道耦合系数η12比Rashba自旋劈裂系数α 1, α 2小, 但基本在同一数量级. 相似文献
89.
90.
A patterned Au/Pt/In0.2Ga0.8N/GaN heterostructure Sehottky prototype solar cell is fabricated. The forward current-voltage characteristics indicate that thermionie emission is a dominant current transport mechanism at the Pt/InGaN interface in our fabricated cell. The Sehottky solar cell has an open-circuit voltage of 0.91 V, short-circuit current density of 7mA/cm^2, and fill factor of 0.45 when illuminated by a Xe lamp with a power density of 300 mW/cm^2. It exhibits a higher short-circuit current density of 30 mA/cm^2 and an external quantum efficiency of over 25% when illuminated by a 20-roW-power He-Cd laser. 相似文献