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71.
证明了拟-*-仿正规压缩算子是酉算子与完全非酉$C_{.0}$-压缩算子的直和.
并证明了若T是代数拟-*-仿正规算子,
则T有单值扩展性质 (简记为 SVEP) 且是极. 作为这些性质的应用, 研究了此类算子的Weyl型定理. 相似文献
72.
研究产业创新平台在多方主体模式下的协同合作策略问题。我国产业创新平台发展时间较短,部分平台系统的资源共享和服务能力处于“弱势”,但通过多方主体协同合作能有效提升平台系统的技术创新水平,所以主体间的博弈会影响平台系统的存续质量与运行效率。基于此,本文构建了信息非对称环境下“产业链相关企业-各类研究型机构-政府管理部门”主要三方主体的静态博弈模型,从利益实现机制出发,强化各方主体在产业创新平台运行中的理性,以破解产业创新平台运行效率低下困局。研究表明,企业、研究机构和政府管理部门是否会严格遵循契约治理规范自身行为主要取决于各自的资源共享力度、资源共享成本以及资源共享的收益。 相似文献
73.
二维过渡族金属硫属化合物因其带隙具有强烈的层数依赖性而在电子器件方面具有广泛的应用前景.其中单层二硫化钼(MoS2)是该系列材料中最典型的一种直接带隙半导体,它具有优异的光、电、磁、热和力学性能.二维MoS2有望在光电探测、光伏器件、场效应晶体管、存储器件、谷电子和自旋器件、温差电器件、微纳机电器件和系统等方面得以广泛应用.化学气相沉积(CVD)法已成为制备二维过渡族金属硫属化合物如MoS2、MoSe2、WS2和WSe2等原子层薄膜的主要手段,尤其科学界利用CVD法对二维MoS2材料进行了深入的制备探索,通过该方法制备的MoS2薄膜在电子和光电器件方面已经有广泛研究.本文将从二维MoS2的基本物性出发,详细介绍CVD法制备MoS2的各种工艺过程,如热分解硫代硫酸盐法、硫化Mo(MoO3-x)薄膜制备法、MoO3-x粉体与硫属前驱体气相合成法和钼箔表面直接硫化法,并介绍了基于MoS2的二维异质结构筑方法.在制备材料的基础上,详细阐述了二维MoS2在场效应晶体管、光电探测器、柔性电子器件以及异质结器件方面的应用,并展望了二维材料在半导体器件中的应用前景. 相似文献
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78.
79.
This article deals that the rare earth metal complexes along with Al(i'-Bu),can catalyze the polymerization of methyl-methacrylate (MMA) into high molecular weight poly(MMA) along with narrow molecular weight distributions (MWD).A typical example was mentioned in the case of {Cp(Cl) Sm-Schiff-base(THF)} which expresses maximum (conv.% = 55.46 and Mn=354×103) efficiency along with narrow MWD (Mw/Mn<2) at 60℃.The resulting polymer was partially syndiotactic (>60%).The effect of the catalyst,temperature,catalyst/MMA molar ratio,catalyst/Al( i-Bu)3 molar ratio on the polymerization of MMA at 60℃ were also investigated. 相似文献
80.