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121.
为研究液滴碰撞Janus颗粒(双亲性)球表面的独特行为特征,以粒径为5.0 mm铜球为材料制备了Janus颗粒,用直径为2.0 mm的液滴,在韦伯数(We)为2.7,10,20,30的测试情况下对Janus颗粒球表面进行了碰撞实验.结果表明:液滴碰撞Janus颗粒球表面后的运动可分为铺展、回缩、振荡和回弹4个过程.在不同We下,液滴碰撞Janus颗粒后的运动状态主要与表面润湿性相关,在Janus颗粒亲水侧表现为铺展特性且铺展系数γ随着时间t的增大而逐渐增大并趋于稳定;但在疏水侧,表现为回弹现象,铺展系数γ会出现类似"抛物线"形状;当液滴碰撞Janus颗粒球表面亲-疏水分界线时,液滴铺展和回弹同时发生.基于能量平衡和受力分析发现,液滴动能和表面能的互相转化是液滴铺展的关键,液滴会在重力、惯性力、表面张力、黏性力、接触力等力的综合作用下展现其独特的行为特征并最终达到平衡状态. 相似文献
122.
中学物理应注重发散思维的教学和辅导,这是时代的要求,也是适应未来"智力社会"的需要.发散思维具有多端性、变通性、独特性的特点,即思考问题时注重多途径(不同的物理规律)、多方案(不同的实验原理),解决问题时注重举一反三,触类旁通.物理教学除了让学生掌握一定的物理知识和实验技能外,更重要的是培养和拓展学生的发散思维能力. 相似文献
123.
<正>目前,毒死蜱是全球应用最广泛的5种杀虫剂之一,使用量和应用范围仍在不断扩大~([1])。毒死蜱,又名氯吡硫磷、乐斯本、白蚁清等,是一种高效、广谱、低毒的有机磷杀虫剂,具有触杀、胃毒和熏蒸作用,被广泛应用于农业生产~([2])。近几年,由于毒死蜱的大面积使用,在蔬菜、水果和土壤中均发现其残留,直接对环境、生物和人体健康产生影响~([3])。研究发现低剂量毒死蜱暴露可引起内源性抗氧化剂,如超氧化物歧化酶(SOD)、谷胱甘肽(GSH)的改变,提示毒死蜱有可能导致某些组织的氧化应激~([4])。 相似文献
124.
Triple differential cross section in ionization of hydrogen by electron impact 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
A novel model is proposed to study the ionization of atomic hydrogen by fast election impact in coplanar asymmetric geometry making use of the post form of the transition matrix element for the energy shell and the two-potential formula. Based on the approximation of projectile plane waves and three-body problems, the transition matrix element is decomposed into two parts: the structure and scattering factor and the correlation factor. The contributions of these factors to triple differential cross sections are investigated using the method of asymptotic and convergent series. 相似文献
125.
126.
毛细管电泳-电致化学发光检测法分离测定中药马尿泡中的托烷类生物碱成分 总被引:1,自引:0,他引:1
以铕离子掺杂类普鲁士蓝(Eu-PB)化学修饰铂电极为工作电极,采用毛细管电泳-电致化学发光检测法对4种托烷类生物碱成分(如山莨菪碱、东莨菪碱、阿托品和樟柳碱)进行了分离检测。考察了氧化电位值、运行缓冲液酸度、盐浓度和甲醇含量等实验条件对电泳分离效果及检测灵敏度的影响。在优化的实验条件下,以20 mmol/L的磷酸盐(pH 8.0)-7%(体积分数)甲醇为运行液,各组分在6 min内可达到基线分离,其峰面积的相对标准偏差小于5.0%,迁移时间的相对标准偏差小于1.1% (n=12)。并将该法成功地应用于测定中药马尿泡根茎中的山莨菪碱和东莨菪碱的含量,其含量平均值分别为27.8 g/kg和4.43 g/kg。样品的加标回收率为97.8%~102%。 相似文献
127.
InAs/GaSb超晶格是量子级联激光器(quantum cascade lase,QCL)和带间级联激光器(interband cascade lasers,ICL)结构中重要的组成,特别是作为ICL的上下超晶格波导层是由大量的超薄外延层(纳米量级)交替生长而成,细微的晶格失配便会直接导致材料晶体质量变差,而且每层的厚度和组分变化会强烈影响材料结构性能.论文研究验证了InAs/GaSb超晶格材料生长的最佳温度约在420℃.通过在衬底旋转的情况下生长40周期短周期GaSb/AlSb和InAs/GaSb超晶格,并采用XRD测量拟合获得了GaSb和AlSb层厚分别为5.448 nm和3.921 nm,以及InAs和GaSb层厚分别为8.998 nm和13.77 nm,误差在10%以内,获得了InAs/AlSb超晶格的生长最优条件.在GaSb衬底上生长晶格匹配的40周期的InAs/AlSb超晶格波导层,充分考虑飘逸As注入对InAs/AlSb超晶格平均晶格常数的影响,在固定SOAK时间为3 s的条件下,通过变化As压为1.7×10-6 mbar来调整个超晶格的平均晶格常... 相似文献