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本文比较了掺 Pb.热处理条件和加工工艺对 Bi-Sr-Ca-Cu-O 超导性能和组织结构的影响.结果表明,在接近样品熔点温度烧结,并随后进行退火处理,有利于减少低 T_c 的2212相体积分数,但其效果不如掺 Pb 显著.Ag 包套 Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O 带材,由于呈薄片状的晶粒依带面紧密层叠,且其 c 轴明显形成垂直带面的定向排列,jc(77K,0T)显著提高,使其由块状样品的90A/cm~2增加到带材的7950A/cm~2. 相似文献
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从量子-经典轨道和几何相两方面, 研究了二维旋转平移谐振子系统的量子-经典对应. 通过广义规范变换得到了Lissajous经典周期轨道和Hannay角. 另外, 使用含时规范变换解析推导了旋转平移谐振子系统Schrödinger方程的本征波函数和Berry相, 得出结论: 原规范中的非绝热Berry相是经典Hannay角的-n倍. 最后, 使用SU(2)自旋相干态叠加, 构造一稳态波函数, 其波函数的概率云很好地局域于经典轨道上, 满足几何相位和经典轨道同时对应. 相似文献
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本文讨论纳米精确度光学对准技术,以用于采用热固化树脂的微光学包装。为了达到一个快速固化过程,直接将微波能量作用于需要进行光学粘合的地方。然而常规微波加热技术,依赖于树脂和元件之间的高质量比。为了改进微光学包装中微量粘合剂的热吸收率,我们先将接合面抛光,再镀上金属薄层。这样一来,微波能量将被镀层快速吸收。为防止接合面过热,采用一个红外(IR)温度传感器,以监测粘合剂的温度。根据温度的高低,一个自动化的系统则可以调整微波的功率输出,以便达到相对恒定的固化温度。在快速固化过程中,预先调准好的微光系统,如光纤耦合器,将由于加热的不均匀性而不可避免地遭受干扰。为补偿这个副效应,开发了一个实时光学对准监控和反馈系统。以包装光纤耦合器为例,该系统可实时监测当粘舍剂由微波固化时器件的插入损失(IL)。我们采用的一种三维压电变换装置(PZT)可达到x-、y-和z-方向的的对准。该PZT的10nm调节精度可监测出0.004dB的IL敏感性。与常规的固化烤箱比较,该系统的微光学包装效率可提高150倍。由于采用实时监控和反馈系统,批量生产中产品的合格率也将大大改善。 相似文献
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CuPc(COOH)8-SA/CuTAPc-CS双极膜的制备及表征 总被引:2,自引:0,他引:2
分别用八羧基铜酞菁[CuPc(COOH)8]和四氨基铜酞菁(CuTAPc)改性海藻酸钠(SA)阳膜层和壳聚糖(CS)阴膜层, 制备了CuPc(COOH)8-SA/CuTAPc-CS双极膜. 实验结果表明, 经八羧基铜酞菁和四氨基铜酞菁改性后, 促进了双极膜中间层水的解离, 增大了阳离子交换膜层和阴离子交换膜层的离子交换容量及H+和OH-的透过率. 与Fe3+改性的Fe-SA/mCS双极膜相比, CuPc(COOH)8-SA/CuTAPc-CS双极膜的阻抗、电阻压降(即IR降)和溶胀度降低. 当电流密度高达120 mA/cm2时, CuPc(COOH)8-SA/CuTAPc-CS双极膜的IR降仅为0.9 V. 相似文献
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类石墨烯过渡金属硫属化合物如MoS2、WS2、MoSe2、WSe2等因为具有层数依赖的带隙结构而受到了广泛关注。尤其是本征态的WS2为双极性半导体,它同时具有n型和p型电输运特性,有望在电子电路、存储器件、光电探测和光伏器件方面得以广泛应用。近年来,化学气相沉积技术已经被广泛用于制备大面积二维硫属化合物(如MoS2, MoSe2, WS2 和WSe2)原子层薄膜。目前关于其他二维材料体系的综述文献介绍较多,但是针对WS2介绍的综述文献还鲜有报道。因此,本文综述了类石墨烯WS2薄膜的化学气相沉积法制备和相关器件的国内外研究进展,讨论了WS2薄膜的化学气相沉积法制备机理及生长因素如硫粉含量、载气的成分、反应温度、基底材料等对薄膜成膜质量的影响,介绍了WS2薄膜在晶体管、光电器件及与其他二维材料构成的异质结构器件的最新研究成果,并对可能存在的问题进行了分析和述评。 相似文献
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