Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT温度特性的影响

众所周知, 双极型晶体管的设计主要是基区的设计. 一般而言, 基区的杂质分布是非均匀的. 本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响, 发现增益和截止频率具有正温度系数, 体内温度较高. 随后研究了基区Ge组分分布对这些器件参数的影响. 均匀Ge组分分布和梯形Ge组分分布的SiGe 异质结双极型晶体管增益和截止频率具有负温度系数, 具有较好的体内温度分布. 进一步的研究表明, 具有梯形Ge组分分布的SiGe 异质结双极型晶体管, 由于Ge组分缓变引入了少子加速电场, 不但使它的增益和截止频率具有较高的值, 而且保持了较弱的温度敏感性, 在增益、特征频率大小及其温度敏感性、体内温度分布达到了很好的折中.     

闪锌矿结构杂质振动特性的研究

本文给出闪锌矿结构中替位杂质的声子谱。系统分析了杂质诱发的局域模,禁带模和共振模的形成规律及特性。除了TA带上方的准局域模外,还发现了在TA声学带下方的新的低频共振模式。 关键词：     

光子晶体耦合腔波导的色散特性

理论研究表明，在基于光子晶体的耦合腔波导中，杂质带的色散性质取决于相邻缺陷间局域电磁场的特性，而非缺陷间距离的大小.在第一布里渊区中出现的杂质带的反常色散实际上是能带折叠的结果.通过计算结构的有效折射率，证实了杂质带色散是正常色散. 关键词： 光子晶体 反常色散 耦合腔 杂质带     

TBP萃取-ICP-AES法测定高纯La_2O_3中的痕量稀土杂质

有机试剂-ICP光谱分析是人们感兴趣的一个研究领域,同水溶液-ICP-AES法比较,具有对谱线增效,改善雾化效率等优点。前文曾报道PMBP-醋酸丁酯等体系对稀土元素的增敏效应,其增强因子为20～16.4不等。镧在TBP-HNO_3体系中的分配系数与其它稀土元素有较大的差别,据此曾提出萃取-电弧光谱法测定La_2O_3中的稀土杂质,检出限达μg/g级。     

HL—1M装置边缘等离子体测量

本文研究了ＨＬ－１Ｍ装置运行初期第一壁材料对等离子体删削层杂质流通量及分布的影响，并与ＨＬ－１装置的结果进行比较。利用热通量探针测量，给出了ＨＬ－１和ＨＬ－１Ｍ装置删削层的热通量分布。在不同运行状态下，利用马赫探针组，测量了ＨＬ－１Ｍ装置边缘等离子体流的变化特性。     

ICP—AES法测定高纯二氧化锆中痕量杂质

介绍了高纯二氧化锆中痕量杂质元素Ｆｅ，Ｎａ，Ｓｉ，Ｔｉ的ＩＣＰ－ＡＥＳ测定方法。样品以浓Ｈ２ＳＯ４及（ＮＨ４）２ＳＯ４溶解，采用空白背景校正法消除基体Ｚｒ的光谱干扰，以基体匹配法补偿基体效应。各元素平均回收率为９５％－１０６％，相对标准偏差为１．３％－３．０％。     

Anderson S—D混合效应与低温杂质电阻及Magnetoresistance

本文利用Ａｎｄｅｒｓｏｎ ｓ－ｄ混合模型，在磁解与非磁解情况下，研究了ｓ－ｄ混合效应对低温杂质电阻的贡献及Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ。     

光学元件激光预处理技术研究进展及其应用

光学元件中的杂质和缺陷会引起其激光损伤阈值的大幅降低,现阶段这一问题已成为激光装置向高功率、高能量方向发展的“瓶颈”,亟待解决。在对光学元件激光损伤的研究中发现,用低于光学元件损伤阈值的激光对元件表面进行预处理,可以有效提高光学元件的抗激光损伤能力。对激光预处理技术的提出背景、定性作用机理、定量理论模型及国内外技术应用现状进行了概述。并且介绍了一种可在薄膜制备过程中进行原位实时激光预处理的新型薄膜制备技术。最后指出,激光预处理技术作为一种无污染,可有效改善光学薄膜、光学玻璃、光学晶体元件损伤阈值的最有效方法之一,其作用机理、实用化、仪器化还有待进一步发展。