高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱

首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱，确定了硅样品的最佳光热电离温度范围. 在该温度范围内，在有本征带隙光照射条件下，测量了样品的高分辨率光热电离光谱，同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿性杂质硼的正信号. 随后，应用外加磁场，对硼的光热电离光谱进行了研究，发现来自硼的光热电离信号，在外加磁场作用下，发生了由正向负信号的转变. 通过对该现象进行分析讨论，排除了该现象是温度效应的可能，指出普遍用来解释补偿性杂质光热电离响应的Darken模型存在不足，而少数载流子快速复合模     

ICP-MS法测定超细锆钇粉中多种杂质元素的研究

用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)直接测定超细锆钇粉中多种杂质元素,考察了基体效应对测定元素的影响。定量加入内标元素有效地校正了基体效应及仪器波动等因素引起的测量偏差。方法的固体检出限在0．01～10／zg／g;精密度在1．1％～4．7％;加标回收率在91．0％～110．5％范围。     

吸收光谱法测定六价铀时5种杂质金属离子的干扰及消除

研究了5种杂质离子对六价铀测定的干扰情况和干扰消除方法，将偏最小二乘法与可见吸收光谱相结合，优化建模参数，建立了包含杂质离子信息的六价铀数学分析模型，利用模型分析样品可有效消除这些杂质离子对测定的干扰，使测定结果相对偏差低于10%，该方法可应用于实际料液中六价铀含量的准确测量。     

硅中浅杂质的激光感应光电导谱

首次采用光子能量小于硅中浅受主杂质电离能的可调谐远红外激光器作为激发源,获得了硅中浅受主杂质的光电导谱.可调谐半导体远红外激光器的调谐范围为380～500cm~(-1),光子流密度约10~(18)/cm~2·sec,用双光子跃迁对光电导谱进行了解释.对于Si:Al样品,光电导谱中的双峰分别相应于2P~1和2P~2中间态的双光子共振跃迁.也观察到了双光子透明的反共振现象.     

等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响

本文研究了等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响,求得了依赖于平面间耦合t的系统的有效维数的电导率修正。并且发现在计及等能谷间杂质散射时,电导率修正比只考虑谷内杂质散射时小一半,我们研究了层伏系统从二维过渡到三维的跨越维数效应,发现跨越行为依赖于谷间散射时间τ′,当t<1/τ(τ₀/τ′)^1/2时,系统具有二维行为,反之系统具有三维特征。 关键词：     

fcc结构过渡金属(100)表面上杂质与吸附原子的相互作用

用Allan的晶体表面模型,导出了紧束缚固体fcc(100)表面格林函数的解析表达式。用格林函数方法,讨论了fcc(100)表面上原子的化学吸附能以及替代杂质与吸附原子相互作用的一般性质。定性地预言了Ni,Pd,Pt(100)表面上过渡金属杂质对吸附H,O影响的趋势。 关键词：     

浅杂质势与窄量子阱的耦合作用

本文采用一种新的变分波函数描述GaAs/Ga_1-xAl_xAs窄量子阱中的浅施主基态,并计算了杂质基态波函数和结合能。计算所得数值结果表明正确考虑窄量子阱与杂质势间的耦合作用是极为重要的。 关键词：