SYNTHESIS AT AMBIENT PRESSURE AND SUPERCONDUCTIVITY OF Hg-DOPED TI-BASED DOUBLE [(T1, Hg)-O]-LAYERED CDPHATES

The Hg-doped T1-based 2201 and 2212 phase layered cuprates have been successfully syn-thesized at ambient pressure and identified by X-ray powder diffraction and electron diffraction analysis. Compared with pure T1-based 2212 phase compound, there are indications that the corresponding Hg-doped T1-based compound (T1_1.8Hg_0.2)Ba₂CaCu₂O_z exhibits much higher T_c (> 132K).     

永磁性大块金属玻璃Nd60Al10Fe20Co10低温磁性的研究

研究了Nd6 0 Al1 0 Fe2 0 Co1 0 大块金属玻璃磁性随温度的变化关系 ,结果表明Nd6 0 Al1 0 Fe2 0 Co1 0 在室温下表现为永磁性 ,随着温度的降低 ,矫顽力和磁滞回线形状都有很大的变化 .交流磁化率在 18K左右出现尖峰而且峰值温度随频率变化 ,表明该大块非晶体系中存在自旋玻璃态     

常压和高压合成MgB2的低温比热及两个超导能隙研究

测量了常压和高压合成MgB2超导样品6K—80K的比热,并在数据拟合中考虑了爱因斯坦振动模的贡献,得到其电子比热数据.解释了超声测量得到的德拜温度和低温比热拟合结果之间的巨大差异.并且在12K附近观察到了异常的电子比热,此异常来源于MgB2的第二个能隙.此外,对高压和常压合成对样品的影响做了初步分析. 关键词： 低温比热 MgB2 能隙     

重电子金属CeCu5.8M0.2（M=Ni,Zn, Cd）低温物性的比较

研究了不同元素等量掺杂下重电子金属CeCu_5.8M_0.2(M=Ni，Zn，Cd)低温电阻、比热容和磁化率随温度的变化关系.分析讨论了掺杂元素M(M=Ni，Zn，Cd)的磁性、价态及原子尺寸对近藤温度T_K、相干温度（即电阻极大值的温度Ｔ^R_max）、每个Ce离子在较高温度时的平均磁矩μ_Ｂ以及在温度降低时被传导电子自旋屏蔽过程的影响. 关键词： 重电子系统 低温电阻 低温比热容 磁化率     

柠檬酸盐热解法制备YBa2Cu3O7-δ超导体

按摩尔比Y:Ba:Cu=1:2:3称取Y_2O_3(5N)、BaCO_3(A.R.)和CuO(A.R.)。先将Y_2O_3放入大烧杯中,加适量65％～68％的HNO_3,加热使之反应溶解为无色透明溶液;再加入CuO和蒸馏水,溶解为蓝色溶液;加HNO_3和蒸馏水,倒入BaCO_3,加热至溶液透明。再加进与金属原子总数比1:1的柠檬酸,不断搅拌使之溶解。以分析纯的氨水调节pH到6-7,得到蓝黑色透明溶液。将该溶液在电炉上加热沸腾,接近蒸干时溶液不断鼓泡,成为胶状溶液。最后     

电子型超导体Sm2-xCexCuO4(0.00≤x≤0.21)的异常热电势与电阻率

测量了Sm2-xCexCuO4(000≤x≤021)多晶样品的热电势S和电阻率ρ的温度依赖关系.在缘绝体—金属转变边界处,观测到热电势从绝缘体区明显的弱温度依赖关系到金属区线性温度依赖关系的转变.当Ce的含量由009增加到021时,高温下S的斜率发生由负到正的转变,这是能带的填充能级发生改变时电子型和空穴型载流子的贡献发生竞争的表现,由电子型向空穴型的过渡发生在x=017处.S和ρ在200K以下的斜率变化是载流子局域化造成的.x=006—021的样品在50K处观察到一个正的曳引峰.室温下的热电势S300K和S0(高温区热电势线性外推到0K的值)与Ce含量在绝缘体、欠掺杂和过掺杂区域有不同的依赖关系.过掺杂区域很小的S300K和S0意味着一个宽带的费米液体的贡献,同时ρ满足T2关系,二者相一致. 关键词： 电子型超导体 输运性质 热电势     

高Tc超导体的表面微波吸收

测量不同粒度及低真空条件下高T_c超导样品Bi-Pb-Sb-Sr-Ca-Cu-O的非共振微波吸收信号,实验表明,这个对温度和磁场十分敏感的信号还与样品颗粒的大小及氧气氛有关;并经计算证明,信号强度与近表面趋肤深度壳层Meissner态的体积成正比。 关键词：     

Zn含量对重电子金属CeCu6-xZnx低温性质的影响

报道了掺Zn的重电子金属CeCu6-xZnx(x=0.05,0.1,0.15,0.2,0.3)样品的非常规制备方法以及低温电阻和低温比热容的测量结果,研究Zn含量对CeCu6-xZnx低温性质的影响及其物理原因.发现低温下Kondo散射项系数c随Zn含量的加大而减小,电阻极大值温度Tmax随Zn含量的加大而降低,CeCu6-xZnx的德拜温度ΘD随Zn含量的加大而略有上升 关键词： 重费密子系统 低温比热容 低温电阻 相干散射     

非晶Pd_(0.775)Si_(0.165)Ag_(0.06)合金的低温电子比热

用非绝热量热法测量了非晶Pd_(0.775) Sl_(0.165),Ag_(0.06)合金在4.2—77K的比热。此合金在低温下的电子比热为4TmJ/mole.K,德拜温度θ_D为221.1K。从低温电子比热研究合金的Fermi面态密度,讨论了态密度降低的原因。     

Zr-Ni合金的巡游电子磁性

用交流互感电桥测量了低温下非晶Zr_(1-x)Ni_x合金(x=0.24,0.36,0.50,0.64)的磁化率,对此类合金的磁性来源进行了探讨,提出Zr-Ni合金的低温磁化率中巡游电子磁性的贡献。Zr_(0.64)Ni_(0.36)在低温下表现出最明显的Curie-Weiss定律,其低温磁化率最大与合金的其它性质如密度、杨氏模量随Ni含量的变化在40％Ni附近的转折有联系。