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《中学数学》2015,(5):97
湖北大学《中学数学》杂志旨在提高教学研究水平,构建教师发展平台,推进数学教育改革进程。主管:湖北省教育厅,主办:湖北大学、湖北省数学会。国內刊号:CN 42-1167/O1,国际刊号:ISSN1002-7572,邮发代号:上半月高中教学38-69、下半月初中数学38-225。定价:10元/本。本刊为全国优秀科技期刊、初等/中等教育类核心期刊、2011-2012年人大复印资料重要转载来源期刊。中国知网、万方数据、维普资讯网站全文收录。杂志以"教学与研究"为特色,以"导向性、探索性、实用性、资料性"为办刊宗旨,着重反映广大教师新课程改革过程中总结的新理论、新观点、新体会和新经验,探 相似文献
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随着半导体技术的进步, 集成小尺寸绝缘体上硅器件的芯片开始应用到航空航天领域, 使得器件在使用中面临了深空辐射环境与自身常规可靠性的双重挑战. 进行小尺寸器件电离辐射环境下的可靠性试验有助于对器件综合可靠性进行评估. 参照国标GB2689.1-81恒定应力寿命试验与加速寿命试验方法总则进行电应力选取, 对部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管进行了电离辐射环境下的常规可靠性研究. 通过试验对比, 定性地分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响, 得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时间参数的变化, 在不同阶段对器件参数的影响. 结果表明, 总剂量效应与电应力的共同作用将加剧器件敏感参数的退化, 二者的共同作用远大于单一影响因子. 相似文献
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利用脉冲激光入射技术研究100级0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应, 分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响. 实验结果表明, 单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关, 当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps; 当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps. 激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄; 靠近输入则得到的瞬态波形较宽, 单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽. 入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响. 通过理论分析得到, 部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因. 而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲, 是输出节点电容充放电的结果. 相似文献
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采用柠檬酸钠辅助的水热方法制备了一系列不同Ca2+含量的Ca2+/Yb3+/Er3+共掺的NaYF4微米片。利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射分析(XRD)、发光光谱等测量手段对样品进行了形貌、晶相、发光性质的表征。样品在980 nm激光泵浦下,可以观察到强的上转换绿色荧光。在Ca2+的摩尔分数从0增加到8%的过程中,紫外到可见的上转换发光随着Ca2+浓度的增加而显著增强。这是由于Ca2+的掺杂导致了晶体内部的不对称性,同时也提高了晶体的结晶性。 相似文献
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采用均相沉淀法制备了Y(OH)3微米颗粒,经1 100℃焙烧后制备出具有上转换发光性质的Yb3+-Tm3+-Gd3+共掺的Y2O3微米晶体,讨论了Yb3+-Tm3+-Gd3+在Y2O3中能量传递过程及壳层对发光强度的影响。980 nm近红外光激发下的上转换光谱表明,在Yb3+-Tm3+-Gd3+共掺Y2O3体系中,核-壳结构大幅提高了Gd3+离子和Tm3+离子的上转换发光强度,尤其是样品在紫外发光部分的增强相比于可见和红外光部分更为明显。同时,通过研究Tm3+和Gd3+在不同波段的发光强度与泵浦功率的关系探讨了氧化物中上转换发光的机制。 相似文献
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采用油酸盐法分别制备出均匀的上转换发光裸核纳米粒子及其包覆具有不同Yb3+浓度掺杂的NaYF4:Yb3+,Er3+核壳纳米结构的上转换纳米粒子。在不同温度下(90~450 K),研究分析了在壳中掺杂不同浓度Yb3+的NaYF4:Yb3+,Er3+@NaYF4:x%Yb3+核壳纳米体系的上转换发光特性。结果表明:在NaYF4:Yb3+,Er3+上转换体系中,惰性壳中的525 nm(2H11/2 →4I15/2)发射峰呈现出与活性壳中不一样的趋势。壳层中掺杂的Yb3+通过声子对纳米粒子内部发光与表面及外界之间的相互作用起到了重要的"桥"连作用。 相似文献
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早在四五十年前,就有一个如图1所示的"滚轮自动上坡"的实验,该实验能让滚轮自动滚上坡!这个实验让许多学生困惑,想不通,滚轮为什么会自动上坡?这不违背物理规律吗?该实验中的"滚轮",是一个对称的双锥体;而"斜槽",是上宽下窄的斜槽.对称双锥体自动滚上斜槽的过程中,它的重心仍然一直在下降.所以,该实 相似文献