仪器信息网第八届科学仪器网络原创作品大奖赛

<正>为促进分析人员的技术交流,提高行业的仪器应用水平,"第八届科学仪器网络原创作品大奖赛"将于2015年7月1日正式拉开帷幕.本届大赛征文类型将涉及行业综述、分析方法开发与应用、新技术发展、仪器维护维修、仪器操作使用经验、实验室管理方法与建设、仪器选型、采购交流、个人从业经历分享等多个方面.通过网络分享、在线讨论的形式广泛传播,增进行业人员互相结识与技术学习,营建集思广益、互帮互助的良好氛围.     

基于聚间苯二胺为受体的UC-FRET传感器检测凝血酶

本文以上转换发光材料(UCPs)为供体,聚间苯二胺(PMPD)为受体,构建了基于荧光共振能量转移(FRET)的传感平台,并将其用于凝血酶的检测。一定浓度的PMPD加入到标记单链DNA的UCPs体系中,对上转换发光的猝灭效率可以达到70%。当加入浓度在0.2~5.0nmol/L范围内的目标物凝血酶时,其荧光恢复程度与浓度呈线性关系,检出限为0.18nmol/L。PMPD因其良好的水溶性、荧光猝灭能力及免标记的特点为基于FRET技术的生物样品检测提供了新的平台。     

微流控芯片中磁珠表面免疫反应动力学研究

微流控芯片中磁珠作为固相载体的免疫分析得到了非常广泛的应用,了解磁珠表面动力学行为对于磁免疫分析技术的改进与提高具有重要意义。本文建立了一种实时监测微流控芯片中磁珠表面免疫反应的方法,探究了微流控芯片中流速和分析物浓度对磁珠表面偶联的小鼠IgG和溶液中Cy3标记的羊抗小鼠IgG反应动力学的影响,并获得相应的结合和解离速率常数,分别为7.9×104 L·mol-1·s-1,和1.7×10-4 s-1。     

半导体芯片化学机械抛光过程中材料去除机理研究进展

就国内外关于集成电路芯片化学机械抛光(CMP)材料去除机理研究的现状和进展进行了评述，总结了集成电路芯片常用介电材料二氧化硅以及导电互连材料钨、铝及铜的化学机械抛光研究现状和进展，进而分析了化学机械抛光过程中化学作用同机械作用的协同效应，指出关于芯片化学机械抛光的材料去除机理尚存在争议，因此有必要在CMP研究领域引入原子力显微镜和电化学显微镜等先进分析测试设备和相关技术，以便在深入揭示CMP过程中材料去除机理的基础上，为更好地控制CMP过程和提高CMP效率提供科学依据．     

集成光芯片的电光性能测试方法

为了提高中低精度光纤陀螺工程化批产过程中的一致性和合格率,降低筛选成本,初步定量研究了铌酸锂集成光芯片的附加损耗、光克尔效应、分光比和偏振效应等重要参数对陀螺性能的影响和优化方法,并提出了电光性能的具体测试方法。通过输入特定方波、锯齿波、方波加阶梯波,可从输出波形上进行直观的判断,并可进一步给出性能优劣的量化指标,能够较为准确地进行芯片筛选,提高工艺水平。此项研究成果对铌酸锂集成光芯片的相关标准进行了补充,不仅可以帮助光纤陀螺的制作单位进行更合理可行的器件筛选,还可以帮助芯片的生产单位完善相应的参数测试工作,提高合格率。     

由一道模拟考题引发的再思考

本刊2013年11、12期(上半月)刊载了侯典峰、董雁飞两位老师的文章《一道模拟考题的求解思维层次》,文中从四个不同的角度对一道模拟考题进行了解法剖析,让人深受启发,然而四种解法计算量都较大,且未能完全揭示问题的背景,略有遗憾.数学知识有机联系,纵横交错,求解问题即使解答正确合理,未必是最佳思路,有时需要迎难而上,冲破桎梏,拨开迷雾.题目三个顶点均在椭圆上的三角形称为椭圆的内接三角形,已知点A是椭圆的一个短轴的     

一类上取整函数的极小值问题

针对一类上取整函数f(n,m,k)(x)=nx+m[k/x]研究其极小值问题,通过分区间的方法讨论x取正整数和x≥1的函数最小值,并进行实例分析.     

上半平面中双周期函数的Hilbert边值逆问题

研究了一类上半平面中双周期函数的Hilbert边值逆问题.利用函数的对称扩张,将其转化为无穷直线上双周期Riemann边值问题,得到了问题的一般解及可解性定理.     

具变号非线性项p-Laplace算子分数阶微分方程的正解

研究了具变号非线性项p-Laplace算子分数阶微分方程正解的存在性.利用双锥上的不动点定理,得到了问题两个正解的存在性的充分条件.推广和改进了现有文献的结论.还举例说明了所得结果的可应用性.     

强并半格中的C-滤子及其应用

首先,在并半格中引入了上覆盖关系的概念以及由上覆盖关系确定的强并半格中的上覆盖概念,在强并半格中讨论了它们的基本性质;其次,通过上覆盖概念在强并半格中引入了C-滤子概念,证明了强并半格中的C-滤子是通常滤子,但强并半格中的通常滤子并非C-滤子;最后,研究了强并半格同态和余Frame同态之间的关系,证明了余Frame S与相应的C_S-滤子型余Frame之间的同构定理.