0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究

利用脉冲激光入射技术研究100级0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应, 分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响. 实验结果表明, 单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关, 当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps; 当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps. 激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄; 靠近输入则得到的瞬态波形较宽, 单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽. 入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响. 通过理论分析得到, 部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因. 而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲, 是输出节点电容充放电的结果.     

Er~(3+),Yb~(3+)共掺杂的NaYF_4荧光粉的制备及下转换发光研究

采用高温固相法合成了Er3+、Yb3+共掺杂的NaYF4荧光粉。XRD测量数据表明合成的样品为纯相。测量了样品的激发谱和发射谱,证明377 nm的紫外光通过量子剪裁的形式将能量传递给一个Yb3+,发射一个975 nm的红外光子,再从4F9/2能级跃迁到基态发射一个红外光子。测量了377 nm激发下,监测541 nm的发光寿命曲线,计算得到最大的量子效率为126.35%。通过监测Yb3+的975 nm的近红外发射,证明了Er3+的4F7/2和2H11/2能级通过下转换的形式将吸收的485 nm和519 nm的能量传递给Yb3+。这种将Er3+在可见光波段的多种光子能量传递给Yb3+发射975 nm的近红外光子的思想在以前的研究中从未被提出。     

基于小波神经网络的新型算法用于化学信号处理

基于紧支集正交小波神经网络的构造思想,用具有紧支集的Ｂ－样条函数的伸缩和平稳替代小波函数,提出了一种新型算法,并将其应用于化学信号的处理,实现了信号的压缩和滤噪,适应小波神经网络相比,学习速度得到了大幅度的提高。     

尿素与鸟嘌呤相互作用的DFT研究

采用B3LYP／6—311＋G^＋方法对鸟嘌呤-尿素复合物氢键相互作朋体系进行了研究,并对该复合物的几何构型及结合能（BSSE）进行了计算．此外,采用从静电势导出原子净电荷的chelpg方法分析了体系中的电荷转移和利用分子中的原子理论（AIM）方法对相互作用的本质进行了分析．结果一共得到五个稳定的复合物构型,其中A5是最稳定的,结合能为-73．95kJ／mol．     

新型抗HIV-1重组导向制剂SL41在毕赤酵母中的表达及活性实验

以酵母分泌型表达载体pPIC9k为基础, 通过一段柔性连接肽Linker构建含有人源化抗HIV-1 gp41单链抗体(ScFv41)和免疫诱导因子葡萄球菌肠毒素A(staphylococcal enterotoxin A, SEA)的融合表达质粒pPIC9k-SL41, 线性化后, 采用电转化法整合入巴斯德菌毕赤酵母GS115中, 经His+MutS表型鉴定、PCR分析以及G418筛选获得高拷贝重组转化子. 摇瓶培养、甲醇诱导表达、SDS-PAGE和Western Blot分析结果表明, 目的蛋白得到良好表达, 表达量最高可达到47.9 mg/L. 目的蛋白经初步纯化后, 用于制备的HIV-1感染靶细胞复制模型进行抗体亲和力测定、细胞结合活性测定和细胞杀伤活性研究, 结果显示, 目的蛋白能够很好地与靶细胞模型中的HIV-1外膜蛋白gp160发生结合反应, 并可介导特异的CTL反应, 对靶细胞具有明显的杀伤活性, 表明获得了具有生物活性的抗HIV-1重组导向制剂.     

Yb3+/Er3+共掺BaGd2O4荧光粉的制备及其上转换发光性质

采用溶胶-凝胶法制备了Yb³⁺/Er³⁺共掺杂BaGd₂O₄上转换荧光粉。研究了退火温度对BaGd₂O₄晶体结构的影响,以及Yb³⁺/Er³⁺共掺杂的BaGd₂O₄荧光粉在971 nm LED激发下,激发密度与上转换发射光功率及效率的关系。研究结果表明,尽管BaGd₂O₄与目前报道效率最高的Yb³⁺/Er³⁺共掺杂BaGd₂ZnO₅基质的最高声子能量相同,但光-光转换效率却相差82倍,极值量子效率相差7.8倍。结论认为,在声子能量不是很高的情况下,材料结构是影响上转换效率的主要因素。     

Progress in Molecular Dynamics and Hansen Solubility Parameters of Low Molecular Weight Gels北大核心CSCD

Recently,the use of computational methods such as Molecular Dynamics（MD）simulations and Hansen Solubility Parameters （HSPs）to study the behavior of small molecule gelators has attracted much attention. MD simulation is a computational method based on classical mechanics and is one of the preferred techniques for understanding the process of small molecule gelators. The MD simulation can more accurately analyze the gelation trend or assembly behavior of small molecule gelators,dynamically and graphically display the self-assembly process,effectively reveal the relationship between the structure of small molecule gelators and related gelation behavior,and quantitatively analyze non-covalent bond interactions such as hydrogen bonds,π-π stacking,van der Waals interactions,ionic bonding and solvophobic interactions. By performing molecular dynamics simulations on known gelators/non-gelators,parameters related to gelation behavior in the simulated data are extracted,and the linear correlation is measured by fitting the Pearson correlation coefficient to finally predict the gelation behavior of a certain class of small molecules. On the other hand,the empirical model developed according to the HSPs is the most representative,which consists of the energy of dispersion interaction（δd）,the energy of polar interaction（δp）and H-bonding energy（δh ）between molecules. These three parts determine the coordinate point of the three-dimensional space（Hansen space）. According to the range of the point,it can be determined whether the organic small molecule can form a gel in a specific solvent. In this paper,representative works published recently in the field of organic small molecule gels by using MD simulations and empirical models are reviewed. Some comments on the assembly behavior of gelators,the regulation and prediction of non-covalent bond interactions on gelation ability are made. © 2022, Science Press (China). All rights reserved.     

染料分子荧光淬灭规律研究

本文研究了若丹明B、若丹明6G和吖啶橙三种染料分子吸附于银表面上时的荧光变化规律,发现在银胶颗粒表面的吸附均造成了其荧光强度急剧而大幅度的淬灭,淬灭随时间呈双曲线型衰减。同时利用这一实验结果对分子在表面间的吸附系数与脱附系数——这些表征分子与表面相互作用的重要参数——表达式进行了初步推导。     

有关热力学第一定律的几个问题

热力学第一定律是热学中的一个基本规律,它无论是对物理学的发展还是对生产实践的指导都是十分重要的.它也是普通物理热学考试的重点之一.为了掌握好这一基本规律,必须对下列一些问题有较深入的理解.一、热量的概念 它是被交换或被传递着的能量的一种形式,它不是一个态函数,而是一个与过程有关的物理量.因此,绝对不能说一个物体含有多少热量.热量只能出现在一个物体的能量发生变化的过程中,它和功一样只能是能量变化的一种量度,而且其大小还与变化的过程有关,也就是说随着能量变化过程的不同,热量的大小可以是不一样的. 我们知道,力学中机械…     

氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度的影响

为了抑制埋层注氮导致的埋层内正电荷密度的上升, 本文采用氮氟复合注入方式, 向先行注氮的埋层进行了注氮之后的氟离子注入, 并经适当的退火, 对埋层进行改性. 利用高频电容-电压 (C-V) 表征技术, 对复合注入后的埋层进行了正电荷密度的表征. 结果表明, 在大多数情况下, 氮氟复合注入能够有效地降低注氮埋层内的正电荷密度, 且其降低的程度与注氮后的退火时间密切相关. 分析认为, 注氟导致注氮埋层内的正电荷密度降低的原因是在埋层中引入了与氟相关的电子陷阱. 另外, 实验还观察到, 在个别情况下, 氮氟复合注入引起了埋层内正电荷密度的进一步上升. 结合测量结果, 讨论分析了该现象产生的原因. 关键词： 绝缘体上硅(SOI) 材料 注氮 注氟 埋氧层正电荷密度