全文获取类型
收费全文 | 32670篇 |
免费 | 4439篇 |
国内免费 | 6749篇 |
专业分类
化学 | 16229篇 |
晶体学 | 1377篇 |
力学 | 4383篇 |
综合类 | 1037篇 |
数学 | 8689篇 |
物理学 | 12143篇 |
出版年
2024年 | 169篇 |
2023年 | 729篇 |
2022年 | 748篇 |
2021年 | 798篇 |
2020年 | 657篇 |
2019年 | 875篇 |
2018年 | 540篇 |
2017年 | 905篇 |
2016年 | 1023篇 |
2015年 | 1146篇 |
2014年 | 1869篇 |
2013年 | 1652篇 |
2012年 | 1973篇 |
2011年 | 2011篇 |
2010年 | 1797篇 |
2009年 | 1907篇 |
2008年 | 2086篇 |
2007年 | 1807篇 |
2006年 | 1739篇 |
2005年 | 1799篇 |
2004年 | 1739篇 |
2003年 | 1833篇 |
2002年 | 1574篇 |
2001年 | 1490篇 |
2000年 | 1234篇 |
1999年 | 942篇 |
1998年 | 907篇 |
1997年 | 944篇 |
1996年 | 1005篇 |
1995年 | 932篇 |
1994年 | 764篇 |
1993年 | 727篇 |
1992年 | 805篇 |
1991年 | 796篇 |
1990年 | 768篇 |
1989年 | 661篇 |
1988年 | 148篇 |
1987年 | 121篇 |
1986年 | 79篇 |
1985年 | 64篇 |
1984年 | 38篇 |
1983年 | 35篇 |
1982年 | 9篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 2篇 |
1959年 | 5篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
一类分式不等式的证法——柯西均值法 总被引:3,自引:3,他引:0
一类分式不等式的证法—柯西均值法陶兴模(重庆市铜梁中学632560)众所周知,柯西不等式(a12+a22+…+an2)(b12+b22+…+bn2)(a1b1+a2b2+…+anbn)2(ai∈R,bi∈R,ai=kbi时取等号,i=1,2,3,…... 相似文献
42.
非线性规划的拟下降方法:概念,模型及应用 总被引:7,自引:0,他引:7
§1.引言 考虑一般非线性规划问题: (P)min{f(x)|x∈S},其中S?R~n为一非空闭集,f:R~n→R~1。 求解(P)的下降算法的基本思想是:在当前点x_k∈S处,(若x_k不是某种期望的 相似文献
43.
44.
本文是文[1-7]的继续,研究变权综合问题,从确定变权的经验公式入手引出了变权原理,给出了变权的公理化定义,讨论了与之有关的均衡函数及其梯度向量。 相似文献
45.
设γM(G)是连通图G=(V,E)的最大亏格,记EM^-(G)={e∈E(G)|G\e连通,且γM(G\e)=γM(G)}。若EM^-(G)≠0,则称G是γ(G)-可约的;否则称G是γM(G)-不可约的。本文证明了边的剖分不改变图的最大亏格可约性,点的扩张不改变上可嵌入图的最大亏格可约性;并给出了两类满足EM^-(G)=E(G)的非4-边连通图。 相似文献
46.
变分意义下最佳变尺度公式的研究——一个新变尺度公式的导出 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了 J.E.Dennis 和 R.B.Schnabel 提出的导出 BFGS 和 DFP的变分模型.在此基础上给出了一个新的交分模型,它比前者更合理.并从该变分模型导出了一个新的拟牛顿公式.利用 R.Byrd,Y.Yuan 和 J.Nocedal[1987]的结果,我们知道该公式是全局超线性收敛的. 相似文献
47.
采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1.063nm,b=1.034nm,c=0.755nm,β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词:
Yb:KYW
TSSG法
晶体结构
光谱参数 相似文献
48.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
49.
50.
利用Riccati变换求解同谐谐振子的定态薛定谔方程,求得了能谱及态函数
关键词:
同调谐振子
本征值谱
Riccati变换法 相似文献