单碱基多样性的非测序检测

单碱基多样性（SNP）是最常见的基因突变形式之一,经研究证明与很多疾病相关。虽然测序是检测SNP的重要方法,但其需要检测仪器,且检测时间较长,限制了其临床应用。本文综述了SNP的常见非测序分析方法。首先讨论了检测的热力学问题,并归纳了主要的检测策略：基于杂交的检测,基于链取代反应的检测和酶介导的检测。在三维均相检测方法中,主要介绍了不同信号开关策略,如荧光开关、酶识别开关和场效应开关。三维原位检测不仅能检测SNP,还能提供其细胞定位信息,在细胞异质性较高时更具优势。二维界面检测的识别反应速率和杂交效率受到一定影响,但界面检测能进一步减小干扰,亦便于实现高通量检测。以DNA正四面体探针界面为代表的改良界面具有优良的灵敏度和特异性。同时本文亦讨论了现有方法的局限性,并对SNP非测序检测研究进行展望。     

磷酸锂原位包覆富锂锰基锂离子电池正极材料

本工作通过“碳酸盐共沉淀-沉淀转化-固相反应”方法,实现磷酸锂原位包覆和改性富锂锰基锂离子电池正极材料Li_1.2Mn_0.54Co_0.13Ni_0.13O₂,研究了磷酸锂包覆层的形成过程及其对电化学性能的影响.结果显示,碳酸盐前驱体经沉淀转化反应原位形成磷酸镍包覆层,与锂源混合煅烧,最终转化为厚度小于30 nm的磷酸锂包覆层.该材料组装的半电池在125 mAh·g^-1电流密度下循环175圈后容量达191.1 mAh·g^-1,容量保持率为81.8%,平均每圈电压衰减仅为1.09 mV.磷酸锂包覆层缓解了材料表面与电解液之间的副反应,抑制了不可逆相变和过渡金属溶出,同时磷酸锂作为锂离子导体促进锂离子传输.本工作表明沉淀转化法原位包覆磷酸锂是提升富锂锰基正极材料性能的有效途径.     

Analysis of a Free Boundary Problem Modeling Multi- Layer Tumor Growth in Presence of Inhibitor

In this paper we study well-posedness and asymptotic behavior of solution of a free boundary problem modeling the growth of multi-layer tumors under the action of an external inhibitor. We first prove that this problem is locally well-posed in little Holder spaces. Next we investigate asymptotic behavior of the solution. By making delicate analysis of spectrum of the linearization of the stationary free boundary problem and using the linearized stability theorem, we prove that if the surface tension coefficient γ is larger than γ^＊ 〉 0 the fiat stationary solution is asymptotically stable provided that the constant c representing the ratio between the nutrient diffusion time and the tumor-cell doubling time is sufficient small.     

Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜

使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge_0.975Sn_0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge_0.975Sn_0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分凝.另外,Ge_0.975Sn_0.025合金薄膜在500 ℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用. 关键词： GeSn Ge 分子束外延 外延生长     

晶粒尺寸对气相沉积薄膜磁取向生长的影响研究

为了研究强磁场下薄膜取向生长规律,采用真空蒸发气相沉积法分别制备了不同磁场方向生长的Zn和Bi薄膜.XRD结果发现磁化率差异较小的Zn薄膜在4T时产生了明显的取向生长,而磁化率差异较大的Bi薄膜在5T磁场强度还没有发生取向生长.SEM结果显示Zn薄膜和Bi薄膜晶粒尺寸上有明显的差别,利用Zn薄膜在4T磁场下的取向建立晶粒尺寸和取向生长的对应关系,提出薄膜发生取向时晶粒的磁化能须大于热能kT的420倍.薄膜是否发生取向生长取决于三个因素:薄膜单个晶粒的大小V,材料不同晶向的磁化率差异Δ关键词： 强磁场 磁取向 薄膜生长 材料电磁加工     

Co离子注入TiO2薄膜的显微结构和磁性研究

利用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了TiO₂薄膜,并对其进行了Co离子注入,最后在真空中500 ℃退火50 min,得到系列薄膜样品. 利用剥离-分散方法制备了薄膜的透射电镜样品,并用扫描电镜(SEM)、X射线能量散射谱(EDX)和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品做了近似原位观察,研究了薄膜样品中不同Co离子注入深度的成分分布和显微结构. 结果表明,薄膜呈锐钛矿结构,Co元素主要分布在薄膜表层,Co离子的注入使TiO₂薄膜的晶粒被部分破坏,并形成CoO,而5 关键词： 2薄膜')" href="#">Co注入TiO₂薄膜 电镜原位观察 室温铁磁性     

氧分压对Mg掺杂ZnO薄膜结晶质量和光学特性的影响

利用脉冲激光沉积技术,通过改变沉积过程中的氧气压力,在蓝宝石(0001)基片上制备了一系列ZnMgO合金.通过X射线衍射、反射和透射光谱以及室温和变温荧光光谱,对薄膜的结构和光学性能进行了系统地表征,分析了工作气压对ZnMgO合金薄膜的结晶质量及光学特性的影响.研究结果表明:随着沉积环境中氧气压力的增大,ZnMgO薄膜的结晶质量下降,富氧环境下,与蓝宝石晶格平行的ZnO晶粒的出现是导致薄膜结晶质量下降的主要原因;相对于本征ZnO,不同氧气环境下沉积的ZnMgO薄膜的紫外荧光峰均出现了不同程度的蓝移.随着工 关键词： ZnO Mg掺杂 脉冲激光沉积 薄膜生长 光学特性     

阴极电极形状对电解沉积生长影响的实验研究

利用ZnSO4溶液,通过电解Zn沉积实验研究了不同形状的阴极对电解沉积生长的影响,并将Zn沉积物生长图片导入计算机程序计算了该沉积物的分形维数。结果显示,阴极电极的形状对电解沉积生长有较大影响,影响了沉积物生长的过程及其形状,但并不影响凝聚物的分形维数,沉积物均具有分形结构。     

高度均一ZnO纳米梭的水热法制备及其性能

以六亚甲基四胺和硝酸锌为原料,采用水热法在90℃条件下反应24h,于Si衬底上制备出一维ZnO纳米梭材料.采用场发射扫描电镜、X射线衍射仪和高分辨透射电镜等方法对样品形貌和晶体结构进行了表征.结果表明,所得ZnO纳米梭形貌一致、尺寸均匀,为六方纤锌矿型结构,具有良好的结晶性能.对ZnO纳米梭的光致发光性能的研究表明,该...     

微重力条件下材料气相生长研究进展

本文概述了近二十多年来国外空间气相生长晶体材料及薄膜材料研究工作的进展状况．着重介绍了国外空间气相生长研究的历史过程、研究的主要内容及所采取的研究手段,详细地总结了关于空间气相生长的主要飞行结果,并对国外如何进行数值模拟和实验室模拟等地面准备工作做了较充分的描述．