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991.
纳米SiO_2改性聚合物制备的关键在于提高纳米粒子与聚合物基体的相容性及分散性;对纳米SiO_2进行不同的表面改性及选择合适的复合材料制备方法可以改变纳米粒子与聚合物基体的界面结合方式以及相容性和分散性,进而在不同程度上影响材料的性能.本文介绍了改性前后纳米SiO_2与聚合物基体的多种界面结合方式,对近年来利用原位聚合法制备聚合物/纳米SiO_2复合材料的研究现状和进展进行了综述.  相似文献   
992.
993.
张庶元  李方华 《物理》2011,40(6):398-401
在中国电子显微学领域,吴自勤教授是一位勤奋工作、求实进取、成绩卓著而深受同行敬重的学者.在他临近八十华诞之际,我们撰写这篇贺文,希望能弘扬他为电子显微学和中国电镜事业的发展所做出的贡献.  相似文献   
994.
RAS在线监测AlGaAs的MOCVD生长   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
徐华伟  张金龙  宁永强  曾玉刚  张星 《发光学报》2011,32(12):1297-1302
通过瞬态反射各向异性谱和瞬态反射谱在线监测和研究了AlxGa1-xAs的生长过程,利用金属有机化合物汽相淀积技术在GaAs (001)衬底上生长了多层AlxGa1-xAs结构.选择最适合在线监测生长过程的探测光能量,在此探测光能量处所得到的反射各向异性谱和反射谱的信号在生长过程中有很明显的振荡行为产生.研究发现,通过瞬...  相似文献   
995.
根据镁和硼的基本化学性质、杂化轨道理论、前线轨道理论和粉末反应理论,分析了粉末反应中MgB<,2>晶核的形成及生长过程.这一过程可分三步完成:(1)两种粉粒碰撞接触,做反相微幅受追振动,产生MgB<,2>成相区;(2)两个硼原子相遇,价轨道经sp<'2>杂化生成B<,2>,镁原子的两个3s价电子自旋相反成对填入B<,2...  相似文献   
996.
 磁性聚苯乙烯(PS)材料有利于实现惯性约束聚变靶丸在辐射场中的无接触支撑。采用液相还原法制备了粒度为75~200 nm的Ni球形粒子,用原位聚合的方法制备了纳米Ni/PS复合材料。利用X射线衍射仪、傅氏转换红外线光谱分析仪、扫描电子显微镜及热重差示扫描量热仪分别研究了所得纳米Ni的特性、复合材料的结构及掺杂量对纳米Ni/PS复合材料的热力学行为的影响。研究结果表明:纳米Ni的掺杂能提高玻璃转变温度;纳米Ni的掺杂可以增大PS热分解焓变,在掺杂质量分数为1%~2%之间焓变达到最大;纳米Ni的掺杂降低了纳米Ni/PS复合材料热分解的比热容。  相似文献   
997.
采集了15种不同产地青蒿,通过紫外分光光度法对比研究了它们的青蒿素含量.南方蒿中青蒿素含量要高于北方蒿,青蒿中青篙素含量要比灰蒿、铁杆蒿、大杆蒿、小白蒿中青蒿素含量高,不带籽青蒿中青蒿素含量比带籽的含量高,南方种子在北方种植后青蒿素含量较原来低,但高于北方野生青蒿青蒿素含量.通过对青蒿资源的勘察和对比分析,为青蒿素科学...  相似文献   
998.
李国政  杨万民 《物理学报》2011,60(3):37401-037401
在顶部籽晶熔渗生长工艺(TSIG)的基础上,采用一种新的装配方式制备单畴Gd-Ba-Cu-O(GdBCO)超导块材,并对所得样品的形貌、微观结构以及超导性能进行了研究.结果表明,应用新的装配方式可以提高液相源块的支撑能力,有效避免样品在热处理过程中的倾斜或坍塌现象,从而提高了样品制备过程的稳定性和可重复性.此外,应用新的装配方式还有助于GdBCO样品的完整生长. 关键词: 熔渗生长 新的装配方式 GdBCO  相似文献   
999.
黄芩、黄芩茶及其水溶液中矿质元素含量分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定了1年~3年生黄芩根、茎、叶、茶、茶水中几种矿质元素的含量,结果表明,黄芩根、茎、叶中富含K,Ca,Mg,P,Al,Fe等矿质元素,黄芩叶中Zn,Mn,Cu,Fe,Al,P,Mg,Ca,K的含量比例为1∶ 3∶ 6:15∶ 18∶ 19∶41∶ 333∶423;黄芩茎叶内Fe,Mn...  相似文献   
1000.
张坤  刘芳洋  赖延清  李轶  颜畅  张治安  李劼  刘业翔 《物理学报》2011,60(2):28802-028802
通过直流反应磁控溅射技术,原位生长制备了太阳电池用Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.采用X射线能量色散谱仪、扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应测试系统对薄膜进行了表征.结果表明,原位生长的CZTS薄膜具有均质、致密和平整的形貌,且由贯穿整个薄膜厚度的柱状颗粒组成.不同基底温度下生长所得薄膜的Cu/(Zn+Sn) 值均约为1,而Zn/Sn值均大于1且随着基底温度升高而减小.所得薄膜在(112)方向上择优取向明显,且结构特征受基底温度和Cu/(Zn+Sn)的共同影响.所得薄膜均具有高达104cm-1的光吸收系数,其带隙宽度随着生长温度的增加而降低,并且在500℃时为(1.51±0.01)eV.薄膜的导电类型均为p型,且具有与器件级Cu(In,Ga)Se2(CIGS)相当的载流子浓度. 关键词: 2ZnSnS4')" href="#">Cu2ZnSnS4 直流反应磁控溅射 原位生长 太阳电池  相似文献   
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