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常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H薄膜进行低能量高剂量的C+注入后,在800~1200℃高温进行常规退火处理。X射线光电子能谱(XPS)及X射线光电子衍射(XRD)等实验结果表明,当退火温度由800℃升高到1200℃后,薄膜部分结构由SiCxNy转变成SiNx和SiC的混合结构。低温下利用真空紫外光激发,获得分别来自于SiNx、SiCxNy、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光致发光光谱。随着退火温度的升高,薄膜的结构发生了变化,发光光谱也有相应的改变。 相似文献
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ThedecisiveeffectsofsingularpointsandboundariesbelongingtosolutionprocessesofItostochasticdifferentialequationsonthesituationsofdistributionsofergodiccomponents,theexistenceandtheformsofinvariablemeasures,thesampleproperties(includingsamplestability)… 相似文献
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不同于传统的非制冷红外成像技术,提出了基于微电子机械系统(MEMS)的新概念光学读出非制冷红外成像技术。它的光学读出系统基于空间刀口滤波原理,具有高灵敏度、高分辨率和高抗震性等优点,但同时也受到了反光板的弯曲变形、粗糙度等复杂因素的影响。在大量实验数据的基础上,利用夫琅禾费近场衍射理论,建立了复杂因素下光学灵敏度的理论分析模型,详细分析了刀口滤波位置、反光板的长度、曲率半径、粗糙度、LED光源的强度以及扩展宽度等对光学灵敏度的影响,并提出了通过极限操作使系统的光学灵敏度最大化的光学优化方法。 相似文献
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Based on the potential-hybrid/mixed finite element scheme,4-node quadrilateralplate-bending elements MP4,MP4a and cylindrical shell element MCS4 are derived with,the inclusion of splitting rotations.All these elements demonstrate favorable convergencebehavior over the existing counterparts,free from spurious kinematic modes and do notexhibit locking phenomenon in thin plate/shell limit.Inter-connections between the existingmodified variational functionals for the use of formulating C~0-and C~1-continuous elementsare also indicated.Important particularizations of the present scheme include Prathap’sconsistent field formulation,the RIT/SRIT-compatible displacement model and so on. 相似文献
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In this paper, a new finite element method for the flow analysis of the viscous incompressible power-law fluid is proposed by the use of penalty-hybrid/mixed finite element formulation and by the introduction of an alternative perturbation, which is weighted by viscosity, of the continuity equation. A numerical example is presented to exhibit the efficiency of the method.The Project Supported by the National Natural Science Foundation of China. 相似文献
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本文采用罚-杂交/混合有限元列式,并引用由粘度加权的连续方程的另一种摄动,建议了一种新的粘性不可压幂律流体流动分析的有限元法.提出了一个数值算例,以显示方法的有效性. 相似文献
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富硅氮化硅薄膜的荧光发射 总被引:2,自引:0,他引:2
室温下在3.45eV的激光激发下,对950℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5个高强度的可见荧光的发射。其峰位位置分别为2.7,2.69,2.4,2.3,2.1eV。通过TEM、IR、XPS等的分析研究表明,该样品为纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H复合膜,分析了其微结构的成因及其与膜内应力之间的相互关系。经过1000~1200℃快速退火(RTA)处理,原PL谱蓝移并只出现了峰位为3.0,2.8eV的两个紫蓝色荧光的发射,用能隙态模型对此结果做了初步的分析和讨论。认为薄膜中纳米硅团簇的密度、尺寸的变化和亚稳态缺陷态对其PL峰以及膜应力起着十分重要的作用。 相似文献
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本文基于势能~杂交/混合有限元格式,导出了具有分离转动变量的4节点四边形Reissner-Mindlin板元MP4、MP4a和圆柱壳元MCS4.所有这些单元都显示了良好的收敛性;不含有多余机动模式;当趋于薄板/壳极限时,不存在“自锁”现象.本文还指明了在C~0和C~1连续的单元列式中使用的修正泛函,存在相互联系.本文的方法可导出Prathap的一致场列式,也可导出RIT/SRIT的位移协调模型. 相似文献