| 富硅氮化硅薄膜的荧光发射 |
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| 引用本文： | 董立军,刘渝珍,陈大鹏,王小波.富硅氮化硅薄膜的荧光发射[J].发光学报,2005,26(3):380-384. |
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| 作者姓名： | 董立军 刘渝珍 陈大鹏 王小波 |
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| 作者单位： | 中国科学院,微电子研究所,北京,100029;中国科学院,研究生院,北京,100049 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 室温下在3．45eV的激光激发下，对950℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中，观测到5个高强度的可见荧光的发射。其峰位位置分别为2．7，2．69，2．4，2．3，2．1eV。通过TEM、IR、XPS等的分析研究表明，该样品为纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H复合膜，分析了其微结构的成因及其与膜内应力之间的相互关系。经过1000～1200℃快速退火(RTA)处理，原PL谱蓝移并只出现了峰位为3．0，2．8eV的两个紫蓝色荧光的发射，用能隙态模型对此结果做了初步的分析和讨论。认为薄膜中纳米硅团簇的密度、尺寸的变化和亚稳态缺陷态对其PL峰以及膜应力起着十分重要的作用。
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| 关 键 词： | 硅镶嵌的SiNx膜 光致发光 内应力 快速退火(RTA) |
| 文章编号： | 1000-7032(2005)03-0380-05 |
| 修稿时间： | 2004年8月24日 |
Green-blue Luminescence from the Silicon-rich Silicon Nitride Thin Films |
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| Dong Li-jun,Liu Yu-zhen,CHEN Da-peng,WANG Xiao-bo.Green-blue Luminescence from the Silicon-rich Silicon Nitride Thin Films[J].Chinese Journal of Luminescence,2005,26(3):380-384. |
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| Authors: | Dong Li-jun Liu Yu-zhen CHEN Da-peng WANG Xiao-bo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nano-silicon microstructure SiN_x film photoluminescence membrane stress rapid thermal (annealing(RTA)) |
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