以创新人才培养为导向的无机及分析化学实验课程体系建设与实践

以培养创新型人才为出发点,针对一年级本科生在无机及分析化学实验教学中存在的问题,探讨了从“以教为主”转变为“以学为主”的课程体系建设与实施情况。通过优化课程体系、拓展培养模式、强化平台建设等手段,在引导学生主动探究、独立思考、掌握科学研究方法等方面取得了一定的成效。     

C+注入a-SiNx：H薄膜的微结构及光发射的研究

常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiN_x:H薄膜进行低能量高剂量的C⁺注入后,在800~1200℃高温进行常规退火处理。X射线光电子能谱(XPS)及X射线光电子衍射(XRD)等实验结果表明,当退火温度由800℃升高到1200℃后,薄膜部分结构由SiC_xN_y转变成SiN_x和SiC的混合结构。低温下利用真空紫外光激发,获得分别来自于SiN_x、SiC_xN_y、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光致发光光谱。随着退火温度的升高,薄膜的结构发生了变化,发光光谱也有相应的改变。     

SiH_2Cl_2-NH_3配比对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响

低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-S iNx∶H薄膜,在3.75 eV的激光激发下,室温下发射1~3个高强度的可见荧光。在相同的沉积温度下(900℃),选择不同的S iH2C l2和NH3气体配比时,所得薄膜表现出不同的荧光属性,荧光峰的峰位和数目有着显著的变化。通过TEM、IR、XPS等分析手段对其原因进行了研究分析,认为不同配比下,生成的薄膜中缺陷态的种类和密度有所不同,这影响了其PL峰个数及其各峰的相对强弱。     

富硅氮化硅薄膜的荧光发射

室温下在3．45eV的激光激发下,对950℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5个高强度的可见荧光的发射。其峰位位置分别为2．7,2．69,2．4,2．3,2．1eV。通过TEM、IR、XPS等的分析研究表明,该样品为纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H复合膜,分析了其微结构的成因及其与膜内应力之间的相互关系。经过1000～1200℃快速退火(RTA)处理,原PL谱蓝移并只出现了峰位为3．0,2．8eV的两个紫蓝色荧光的发射,用能隙态模型对此结果做了初步的分析和讨论。认为薄膜中纳米硅团簇的密度、尺寸的变化和亚稳态缺陷态对其PL峰以及膜应力起着十分重要的作用。     

氮化硅/钽硅X射线光刻掩模研制及应用

经过三十多年的研发, 接近式X射线光刻技术已经非常成熟,其具有分辨率高、焦深大、工艺宽容度大、产量高等诸多优点.对于X射线掩模吸收体材料, 如果选择金, 只能采用电镀工艺, 而且金会污染硅基集成电路；而钽硅材料可以采用干法刻蚀工艺, 不会污染硅基集成电路, 是一种理想的X射线掩模吸收体材料.本文论述了氮化硅/钽硅X射线掩模制作工艺, 不同于常规工艺, 电子束光刻显影后, 以ZEP520电子束光刻胶作为阻挡层,SF₆/CHF₃作为反应气体, 电感耦合等离子体直接刻蚀钽硅薄膜.初步的实验结果证明了这种X射线掩模制作工艺是可行的.     

C~ 注入a-SiN_x∶H薄膜的微结构及光发射的研究

常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx∶H薄膜进行低能量高剂量的C 注入后,在800~1 200℃高温进行常规退火处理。X射线光电子能谱(XPS)及X射线光电子衍射(XRD)等实验结果表明,当退火温度由800℃升高到1200℃后,薄膜部分结构由SiCxNy转变成SiNx和SiC的混合结构。低温下利用真空紫外光激发,获得分别来自于SiNx、SiCxNy、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光致发光光谱。随着退火温度的升高,薄膜的结构发生了变化,发光光谱也有相应的改变。     

α-烃基取代吡啶对金(Ⅲ)的萃取研究(Ⅰ)——电离常数的测定和金的萃取行为

用紫外吸收光谱测定了α-烃基取代吡啶质子化合物的电离常数。比较了各种α-烃基取代吡啶分子的碱性和取代基位阻对金(Ⅲ)萃取的影响。讨论了金(Ⅲ)的萃取机理。还对水相中盐酸的浓度、萃取剂的浓度、稀释剂、温度和阴、阳离子对萃取选择性的影响进行了研究。     

SiH2Cl2-NH3配比对a-SiNx:H薄膜PL峰的影响

低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H薄膜,在3．75eV的激光激发下,室温下发射1～3个高强度的可见荧光。在相同的沉积温度下（900℃）,选择不同的SiH2Cl2和NH3气体配比时,所得薄膜表现出不同的荧光属性,荧光峰的峰位和数目有着显著的变化。通过TEM、IR、XPS等分析手段对其原因进行了研究分析,认为不同配比下,生成的薄膜中缺陷态的种类和密度有所不同,这影响了其PL峰个数及其各峰的相对强弱。