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采用同步辐射光电子能谱(SRPES)结合扫描电子显微镜(SEM)和称量法，研究了中性(NH4)2S溶液钝化GaAs(100)表面，并与常规(NH4)2S碱性溶液钝化方法进行了比较- SRPES结果表明该处理方法可以产生较厚的Ga硫化物层和较强的Ga—S键，Ga的硫化物有好的稳定性-称量法表明该方法有更低的腐蚀速率-SEM结果表明该方法钝化处理的GaAs表面所产生的腐蚀坑数目少，直径小-
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表面x-射线吸收近边结构是与团体表面原子的内壳层的电子向未占据轨道跃迁密切相关的。吸收边阈值之上的大约50eV的低能范围的潜图结构含有与吸收原子近邻的局域结构和局城电子态相关的信息。因此它已经成为研究固体表面局域特性，诸如同城几何结构，键长和键角的有用工具．为了和实验的表面XANES谱一致和对实测XANES谱进行解释，已经发展起来多种XANES的理论计算方法，比较成功的有能带结构近似理论和多原子体系的多重散射理论近似方法．在本文中，还简要介绍了利用同步辐射进行表面XANES实验的技术要求和相关方法的比较，并给出了若干实例说明表面XANES在固体表面结构研究方而的应用． 相似文献
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利用同步辐射光电子能谱研究了室温下p型InP(100)表面,由于K吸附诱发的催化氮化反应过程。对于N_2/K/InP(100)体系的P2p;In4d芯能级和价带谱的研究表明:碱金属吸附于InP(100)表面可以强烈地影响其在室温下的氮化反应,K的存在极大地提高了N_2在InP(100)表面的粘附系数。由我们的实验结果和碱金属吸附于GaAs(110),InP(110),GaP(110)表面的研究结果可知,碱金属吸附于Ⅲ-V族半导体表面后,可以极大地提高N_2在Ⅲ-V族半导体表面的粘附系数,从而促进Ⅲ-V族半
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应用表面分析技术ＸＰＳ和ＡＥＳ（包括深度分布）分析了非晶Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｐ１４Ｂ６合金在Ｈ３ＢＯ３－Ｎａ２Ｂ４Ｏ７（ＰＨ＝９．２０）缓冲溶液中不同钝化时间形成的阳极钝化膜的元素化学状态、结构和化学组成，探讨了加入Ⅲ、Ｖ族Ｂ、Ｐ对非晶ＦｅＮｉ基合金钝化金钝化成膜的影响，并给出了阳极钝性成膜的一种机制。 相似文献
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综述了国家同步辐射实验室在表面化学的同步辐射研究中的部分新进展，其中包括碱金属Ｋ和稀土金属Ｇｄ对半导体表面氧化和氮化的催化作用；ＧａＡｓ（１００）半导体表面采用ＣＨ３ＣＳＮＨ２硫钝化的新方法，稀土金属Ｇｄ在半导体表面的吸附及界面形成；一种新的氧化镁薄膜的制备方法。 相似文献
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表面x-射线吸收近边结构是与团体表面原子的内壳层的电子向未占据轨道跃迁密切相关的。吸收边阈值之上的大约50eV的低能范围的潜图结构含有与吸收原子近邻的局域结构和局城电子态相关的信息。因此它已经成为研究固体表面局域特性,诸如同城几何结构,键长和键角的有用工具．为了和实验的表面XANES谱一致和对实测XANES谱进行解释,已经发展起来多种XANES的理论计算方法,比较成功的有能带结构近似理论和多原子体系的多重散射理论近似方法．在本文中,还简要介绍了利用同步辐射进行表面XANES实验的技术要求和相关方法的比较,并给出了若干实例说明表面XANES在固体表面结构研究方而的应用． 相似文献
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利用同步辐射光电发射和铁磁共振(FMR)研究了Co/GaAs(100)界面形成以及Co超薄膜的磁性质.结果表明,在低覆盖度(约为0.2nm)下,Co吸附原子与衬底发生强烈的界面反应,在覆盖度为0.9nm时,形成稳定的界面.从衬底扩散出的Ga原子与Co覆盖层合金化,而部分As原子与Co原子发生反应,形成稳定的键合,这些反应产物都停留在界面处很窄的区域(0.3—0.4nm)内.另一部分As原子偏析在Co覆盖层表面.结合理论模型,详细地讨论了界面结构及Ga，As原子的深度分布.FMR结果表明,生长的Co超薄膜具
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用同步辐射光电子能谱测量了Si/ZnS（111）及（100）异质结的价带偏移ΔEv．对于Si/ZnS（111）及（100）两界面，ΔEv的实验结果均为（1.9±0.1）eV，与已有理论预期值相当符合，但与Maierhofer所报告的ZnS/Si（111）异质结测量结果之间则存在明显差别．该实验结果表明对于Si/ZnS极性界面，互逆性规则（commutativity rule）可能不成立，就此进行了讨论．
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