表面等离激元协助的方向性瑞利光散射研究

The origin of the Rayleigh scattering ring effect has been experimentally examined on a quantum dot/metal film system, in which CdTe quantum dots embedded in PVP are spin-coated on a thin Au film. On the basis of the angle-dependent, optical measurements under different excitation schemes (i.e., wavelength and polarization), we demonstrate that sur-face plasmon assisted directional radiation is responsible for such an effect. Moreover, an interesting phase-shift behavior is addressed.     

JMI-TPL模式下的供应链成本核算及利益分配

在货存第三方的联合库存管理(JMI)实现方式基础上,将第三方物流企业引入该方式中,形成基于第三方物流的联合库存管理模式(JMI-TPL).同时以一个二级供应链为例建立模型,从供应链角度,对JMI-TPL库存管理模式进行成本核算.通过定量分析方法在理论上论证了JMI-TPL模式能有效降低供应链成本,并应用Shapley值法,根据供应链节点企业重要性及贡献大小进行较为公平的利益分配,为节点企业间的利益分配提供合理方案,提高节点企业实施JMI-TPL库存管理模式的积极性.     

原子力显微术轻敲模式中探针样品接触过程及相位衬度研究

借助简单的有阻尼受迫振子模型，研究了原子力显微术轻敲模式中探针与样品接触时间t_c、样品的表面形变D_z和相位衬度对探针设置高度z_c及样品杨氏模量E_s的依赖关系.结果发现,t_c与D_z均随E_s及z_c的增大而减小，同时探针与样品作用过程伴随很小的能量耗散.对轻敲过程中相移量φ的研究表明，E_s较大的样品有较小的φ，且φ随 关键词： 原子力显微术 轻敲模式 相位衬度     

晶格失配对异质外延超薄膜生长中成核特性的影响

利用动力学蒙特卡罗方法模拟了异质外延超薄膜生长中的成核过程.研究了薄膜与衬底的晶格失配对超薄膜生长中成核密度、平均核尺寸、标度关系及生长模式的影响.结果发现产生压（张）应变的晶格负（正）失配使生长过程更早（迟）从成核区进入过渡区，失配越大，这一效应越明显.在相同的沉积条件下，负失配导致超薄膜形成较低的成核密度与较大的平均核尺寸，而正失配则相反.成核密度满足标度关系Ns≈(F/D)χ，随着失配度从-0.04增加到0.02，标度系数χ从0.37逐渐减小到0.33，对应超薄膜生长过程从包含二聚体扩散模式转变到无 关键词： 薄膜生长 成核 晶格失配 蒙特卡罗模拟     

开口悬挂端对单壁碳纳米管电子输运特性的影响

采用紧束缚模型研究了悬挂端对单壁碳纳米管电子输运特性的影响.结果表明：有限长悬挂端开口碳纳米管的电导在费米能级附近作周期性振荡.椅型(armchair)碳纳米管的振荡同时具有快、慢两个准周期，而锯齿型(zigzag)碳纳米管的振荡仅有一个周期；碳纳米管电导在费米能级附近的振荡周期随着悬挂端的增长而减小.研究还发现：有限长悬挂端开口碳纳米管的平均电导随探针与碳纳米管间耦合强度的增加而增大，其大小约为无限长悬挂端开口碳纳米管平均电导的两倍. 关键词： 输运特性 碳纳米管 紧束缚模型     

扫描力显微术在高聚物薄膜玻璃化转变研究中的应用

简述了高聚物薄膜玻璃化转变的复杂性，并结合文章作者的的一些研究结果介绍了扫描力显微术(SFM)在研究高聚物玻璃化转变中的一些方法，包括观察高聚物薄膜形貌的变化，测量其摩擦力、粘附力和弹性模量等物理量的变化，最后指出SFM是研究高聚物薄膜玻璃化转变的有力工具。     

多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究

利用多层溅射技术制备了ＷＳｉ_x／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉ_x薄膜中Ｗ₅Ｓｉ₃四角相的形成。ｘ射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化，它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。 关键词：     

极谱配位吸附波测定配合物表观稳定常数的方法研究

对目前利用配位吸附波测定配合物表观稳定常数的常用方法进行了修正,提出了更具有普遍适用性的测定配合物表观稳定常数的理论公式,并对计算方法进行了探讨,获得了预期的满意的结果。     

多重分形谱及其在材料研究中的应用

详细讨论了多重分形谱中各参量的物理意义,拽出随机多重分形谱中出现异常区的原因。提出了一种舒去少量异常小的分布概率的方法,局部消除了异常区,最后介绍了一些多重分形谱在材料研究中的应用。