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从中能电子向前散射产生的实空间图像研究了Cu(111)1×1,Si(111)(31/2×31/2)R30°-In及Ge(111)(31/2×31/2)R30°-Ag的表面结构.Cu(111)1×1的图像不仅说明表面有三重旋转轴对称性,而且还表明fcc结构一直保持到最表面一层原子.Si(111)(31/2×31/2)R30°-In表面的图像说明In原子占据T4位,而不是H3位.Ge(111)(31/2×31/2)R30°-Ag的图像说明HCT模型是正确的.这些成功的应用说明从中能电子向前散射图像可以直观而且快捷地获得表面结构类型的可靠信息,而无需类似于低能电子衍射(LEED)表面结构分析那样的复杂计算
关键词: 相似文献
2.
利用同步辐射光电子能谱研究了室温下p型InP(100)表面,由于K吸附诱发的催化氮化反应过程。对于N_2/K/InP(100)体系的P2p;In4d芯能级和价带谱的研究表明:碱金属吸附于InP(100)表面可以强烈地影响其在室温下的氮化反应,K的存在极大地提高了N_2在InP(100)表面的粘附系数。由我们的实验结果和碱金属吸附于GaAs(110),InP(110),GaP(110)表面的研究结果可知,碱金属吸附于Ⅲ-V族半导体表面后,可以极大地提高N_2在Ⅲ-V族半导体表面的粘附系数,从而促进Ⅲ-V族半
关键词: 相似文献
3.
研究了磁控溅射Mo薄膜的电阻率与薄膜厚度的关系。对Mo薄膜的电阻率进行了原位测量,得到电阻率与薄膜厚度的实验曲线。经拟合计算得到Mo薄膜电阻率与薄膜厚度关系的理论曲线。将实验曲线与理论曲线比较,结果显示在薄膜厚度较大时,电阻率与薄膜厚度的关系与Fuchs-Sondheimer(F-S)理论基本符合,如果计入晶粒尺寸对电阻率的贡献则完全符合F-S理论。并得到Mo薄膜尚未形成连续性薄膜前的导电机制为热电子发射机制的结论。
关键词: 相似文献
4.
利用同步辐射光电子能谱研究了K在p型InP(100)表面的吸附及其界面反应。由K吸附过程中In4d和P2p芯能级谱的变化发现:在碱金属K吸附于p型InPO(100)表面的过程中,K-P之间发生了化学反应,形成K-P化合物,当K覆盖度0〉210Sec时稳定的K-P化合物基本形成,此时P2p峰的峰形和峰位基本保持不变。K-In之间无明显的化学反应发生,但在K的吸附过程中,碱金属K对In有置换反应发生, 相似文献
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