| 室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究 |
| |
| 引用本文： | 赵特秀,王晓平,吴建新,徐彭寿,陆尔东,许振嘉,季航.室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究[J].物理学报,1995,44(4):622-628. |
| |
| 作者姓名： | 赵特秀 王晓平 吴建新 徐彭寿 陆尔东 许振嘉 季航 |
| |
| 作者单位： | (1)北京大学物理系,北京100871; (2)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (3)中国科学技术大学结构成分分析中心,合肥230026; (4)中国科学技术大学物理系,合肥230026; (5)中国科学院半导体研究所,北京100083 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题 |
| |
| 摘 要： | 利用同步辐射光电子能谱研究了室温下p型InP(100)表面,由于K吸附诱发的催化氮化反应过程。对于N_2/K/InP(100)体系的P2p;In4d芯能级和价带谱的研究表明:碱金属吸附于InP(100)表面可以强烈地影响其在室温下的氮化反应,K的存在极大地提高了N_2在InP(100)表面的粘附系数。由我们的实验结果和碱金属吸附于GaAs(110),InP(110),GaP(110)表面的研究结果可知,碱金属吸附于Ⅲ-V族半导体表面后,可以极大地提高N_2在Ⅲ-V族半导体表面的粘附系数,从而促进Ⅲ-V族半
关键词：
|
| 关 键 词： | 磷化铟 同步辐射 光电子能谱 催化 氮化反应 |
| 收稿时间： | 1994-01-21 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
