退火气压对Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的微观结构和铁电性能的影响

采用sol-gel法在Pt/TiO₂/SiO₂/p-Si(100)衬底上制备了Bi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂(BLT)铁电薄膜,研究了在750 ℃时不同退火气压(p_{O2:10^-4—3 atm)对薄膜微观结构和电学性能的影响.XRD和拉曼光谱结果表明在10^-4和3 atm氧气压下退火 关键词： 3.25}La_0.75Ti₃O₁₂')" href="#">Bi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂ 铁电性能 sol-gel法 正交化度     

T1系超导体1223相的晶格振动行为研究

对不同铁掺杂量的Ｔ１系１２２３相样品，进行了室温Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱测量及解谱分析．在７７Ｋ至室温范围作了变温Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱测量．发现无反冲因子ｆ在Ｔｃ附近反常地下降，表明伴随着超导转变，在Ｔｃ附近晶格振动发生了反常的软化现象．     

PbTiO3/PbZr0.3Ti0.7O3/PbTiO3夹心结构铁电薄膜子晶层的优化

用Sol-Gel法制备了Pb_(1+x)TiO₃/PbZr_03Ti_07O₃/Pb_(1+x)TiO₃(PT/PZT/PT)夹心结构及PZT铁电薄膜，为了获得高质量的PT/PZT/PT夹心结构铁电薄膜，使用不同过量Pb配比(x)的PbTiO₃ (PT)层进行制备，以获得优化的PT子晶层.X射线     

La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3化合物铁掺杂效应的M(o)ssbauer谱研究

利用固相反应方法制备了名义成分为La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3（0.01≤x≤0.20)的一系列样品。在整个掺杂范围内晶体结构没有明显变化。在室温下测量了各样品的Mossbauer谱,拟合结果表明＋3价高自旋态的铁离子占据锰的八面体晶体,随Fe掺杂量的增加,铁离子的3d电子出现局域化趋势,并伴随Fe-O配位体畸变程度的增强,本文对此进行了讨论。     

PbTiO3/PbZr0.3Ti0.7O3/PbTiO3夹心结构铁电薄膜子晶层的优化

用Sol-Gel法制备了Pb_(1+x)TiO₃/PbZr_03Ti_07O₃/Pb_(1+x)TiO₃(PT/PZT/PT)夹心结构及PZT铁电薄膜,为了获得高质量的PT/PZT/PT夹心结构铁电薄膜,使用不同过量Pb配比(x)的PbTiO₃ (PT)层进行制备,以获得优化的PT子晶层.X射线 关键词： PT/PZT/PT 夹心结构 子晶 铁电薄膜     

Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究

采用脉冲激光沉积(PLD)工艺,制备了以Bi₄Ti₃O₁₂(BIT)为过渡阻挡层的Au/PZT/BIT/p-Si异质结.研究了BIT铁电层对Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响,对Au/PZT/BIT/p-Si异质结的导电机制进行了讨论.氧气氛530℃淀积的PZT为多晶铁电薄膜,与直接淀积在Si基片上相比,加入BIT铁电层后PZT铁 关键词： 铁电薄膜 异质结构 脉冲激光沉积(PLD)     

基于静态电滞回线的铁电电容模型

根据铁电体的特征电滞回线和微观结构特点，将构成铁电体的晶胞等效为偶极子. 通过分析偶极子在电场作用下的极化反转机理，运用统计物理学基本原理建立了新的铁电电容模型. 该模型不仅适用于饱和极化的情况，对非饱和、电滞回线不对称以及输入电压中途转向等各种情况也都适用. 模型数学表达简洁，易于结合到实际的电路仿真软件中去，仿真结果与试验结果符合非常好. 关键词： 铁电电容 建模 电滞回线 偶极子     

芯片毛细管电泳电化学检测

电化学检测以其固有的灵敏度高、选择性可调、便于微型化、低功耗、低成本等特点,已成为芯片毛细管电泳系统中颇具潜力的检测方法。本文综述了近年来芯片毛细管电泳电化学检测技术的研究进展,包括芯片设计、加工、检测系统、检测方法等,并展望其发展方向。     

铁掺杂Tl-1223超导相的额外氧缺陷研究

在铁掺杂的Ｔｌ-１２２３相中，铁对超导电性有明显的破坏作用，霍尔系数测量、热重分析和穆斯堡尔谱表明占据铜晶位的铁杂质原子不仅直接破坏ＣｕＯ₂面的完整性而使超导转变温度降低，更重要的是铁的掺入诱导了额外氧原子进入晶格，形成了对载流子的强局域束缚作用，致使载流子浓度随铁掺杂量呈线性下降．额外氧导致了与其近邻的铁和铜原子产生了偏离ＣｕＯ₂平面的位移，从而形成新的铁氧配位．针对额外氧缺陷精细结构的讨论，对研究额外氧和阳离子在ＣｕＯ₂平面上的无序排列