高温超导体应力钉扎机制的正电子湮没研究

以Y系123超导相的Eu掺杂样品为研究对象,利用正电子湮没技术,同时测量了不同掺杂成分样品的寿命谱和Doppler展宽谱,发现对于Eu掺杂的Y-123超导体,在掺杂量为30%和70%时,所形成的缺陷具有较大的应力场,对具有此类缺陷的高温氧化物超导体的钉扎机制进行了讨论,研究结果支持应力钉扎机制。     

La1-xCaxMnO3化合物正电子湮没研究

本文对不同Ca含量的La1-xCaxMnO3一系列样品（其中0.05≤x≤0.8）在室温下进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱的测量。结果表明：对应多出现巨磁阻效应的Ca成分范围（0.3≤x≤0.5），正电子的平均寿命τm和多普勒谱S参数随Ca含量的增加而降低，说明在这一成分范围电子局域化程度增强，具有CMR效应的样品La0.7Ca0.3MnO3正电子参数在Tc附近出现与晶格结构不稳定有关的反常变化，反映出电子结构与CMR效应间的关联。     

退火气压对Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的微观结构和铁电性能的影响

采用sol-gel法在Pt/TiO2/SiO2/p-Si(100)衬底上制备了Bi3.25La0 75Ti3O12(BLT)铁电薄膜,研究了在750 ℃时不同退火气压(Po2:10-4-3 atm)对薄膜微观结构和电学性能的影响.XRD和拉曼光谱结果表明在10-4和3 atm氧气压下退火的薄膜晶化度明显降低.同时,XRD结果反映出10-1atm氧气压下退火的薄膜具有a轴择优取向.FSEM截面形貌显示0.1 atm氧气压下退火的薄膜由与a轴取向相对应的柱状晶粒构成,1 atm氧气压下退火的薄膜为由随机取向相对应的斜杆状晶粒构成.薄膜的微观结构最终影响了其铁电性能.0.1 atm氧气压下退火的薄膜具有最大的剩余极化值(Pr=17.8 Μc/cm2和最小的矫顽场强(Ec=73.6 Kv/cm),以及良好的抗疲劳特性.     

Ferroelectric Properties of Bi3.25La0.75Ti3O12 Thin Films Crystallized inDifferent N2/O2 Ambients

Bi3.25La0.75 Ti3O12 （BLT） ferroelectric thin films are deposited by sol-gel method and annealed for crystallizaion in total l eccm N2/02 mixed gas with various ratio at 750℃ for 30rain. The effect of crystallization ambient on the structural and ferroelectric properties of the BLT films is studied. The growth direction and grain size of BLT film are revealed to affect ferroeleetric properties. Alter the BLT film is annealed in 20%O2, the largest P~ value is obtained, which is ascribed to an increase of random orientation and large grain size. The fatigue property is improved with the concentration of oxygen in the ambient increasing, which is ascribed to annealing in the ambient with high concentrated oxygen adequately decreasing the defects related to lack of oxygen.