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To solve the power distribution unit’s stability and reliability, This paper introduces a design of a high-precision data acquisition system processor about FPGA, it studied the voltage conversion by using subtraction circuit design techniques, colleting multi-channel acquisition and disposing real-time multi-channel telemetry signal processing. It transferred the data to computer completed the real-time status monitoring. The research stressed the acquisition and distribution of high-progress Circuit Design, describing the transmission and implementation of RS422 data transmission module and receiving the process and the UART core functions. After a lot ofStests,it showed thatSthe schemeSis stable、practical and meets the design requirements. 相似文献
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在理论上和实验上对圆形薄板二维驻波波节图形(克拉尼图形)进行了研究,通过在极坐标下对圆形薄板的竖向小振动方程进行分离变量,求解出圆形薄板小振动方程在自由边条件下的解析解的简正模式,并进行了数值模拟.发现通过调节圆形薄板上点振动源的位置和频率,可精确控制薄板上出现的克拉尼图形.实验上观察到了仅有圆形波节线,仅有辐射状波节线,以及两种波节线同时存在3种情形,且波节线的数量可严格控制.并在此基础上计算了圆形薄板上二维振动的波矢和波速,以及弹性模量等物理量,且理论结果跟实验符合得很好. 相似文献
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本文系统地研究了GCr15钢球-CVDCr_7C_3镀层钢盘摩擦副滑动干摩擦引起的摩擦力(切向力)振动特性及其对材料摩擦磨损性能的影响。试件系统在垂直和水平方向上均处于低刚度、小阻尼状态。试验信号由微机采集、处理并进行频谱分析。结果表明,摩擦力振动的类型与正压力有关,而与拖动速度无关;摩擦力呈周期性自持振动时具有与相对滑动速度典型的非线性关系,振动频率接近(略低)于系统在切向的固有频率,而与拖动速度无关;摩擦力呈非平稳随机振动时,振动频率与系统在法向的振动频率有关,而与系统在切向的固有频率及拖动速度都无关;摩擦偶件运动的平稳性与摩擦力振动的类型有关,而与平均摩擦系数无关;摩擦力所耗费的能量与正压力呈比例关系。 相似文献
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众所周知,在柱形杆的扭转问题中,可以通过应力函数Ψ(x,y)求解具体问题.在本文中,令其中 u(x,y)为新引入的函数.利用专著[2]中的式(2.40),(2.44a),(2.38)和(2.52a),不难 相似文献
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组合导航系统多重衰减因子自适应估计算法比较研究 总被引:3,自引:0,他引:3
提出了多重衰减因子自适应估计卡尔曼滤波方法,用该方法对系统每个误差状态估计进行控制,提高滤波器的估计性能。仿真结果表明,新算法在系统噪声特性不准确的情况下,能够抑制卡尔曼滤波估计的发散,GPS/SINS组合导航精度比强跟踪滤波估计的精度高。这种算法推导形式简单,计算量小,适合在线运算。 相似文献
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Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector 下载免费PDF全文
The samples of In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As two-dimensional electron gas(2DEG)are grown by molecular beam epitaxy(MBE).In the sample preparation process,the In content and spacer layer thickness are changed and two kinds of methods,i.e.,contrast body doping andδ-doping are used.The samples are analyzed by the Hall measurements at 300 Kand 77 K.The In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As 2DEG channel structures with mobilities as high as 10289 cm~2/V·s(300 K)and42040 cm~2/V·s(77 K)are obtained,and the values of carrier concentration(Nc)are 3.465×10~(12)/cm~2and 2.502×10~(12)/cm~2,respectively.The THz response rates of In P-based high electron mobility transistor(HEMT)structures with different gate lengths at 300 K and 77 K temperatures are calculated based on the shallow water wave instability theory.The results provide a reference for the research and preparation of In P-based HEMT THz detectors. 相似文献