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1.
本文系统地研究了GCr15钢球-CVDCr_7C_3镀层钢盘摩擦副滑动干摩擦引起的摩擦力(切向力)振动特性及其对材料摩擦磨损性能的影响。试件系统在垂直和水平方向上均处于低刚度、小阻尼状态。试验信号由微机采集、处理并进行频谱分析。结果表明,摩擦力振动的类型与正压力有关,而与拖动速度无关;摩擦力呈周期性自持振动时具有与相对滑动速度典型的非线性关系,振动频率接近(略低)于系统在切向的固有频率,而与拖动速度无关;摩擦力呈非平稳随机振动时,振动频率与系统在法向的振动频率有关,而与系统在切向的固有频率及拖动速度都无关;摩擦偶件运动的平稳性与摩擦力振动的类型有关,而与平均摩擦系数无关;摩擦力所耗费的能量与正压力呈比例关系。  相似文献   
2.
本文对Ge/An,Ge/Ag,双层膜和Ge-An,Ge-Ag合金膜的退火过程进行了透射电子显微镜观测,对Ge/多晶Au(或Ag)还进行了加热过程的原位观测。观测表明,多晶Au和单晶Au膜的存在使非晶Ge的晶化温度Tc的下降显著不同,可由晶界三叉点等处为非晶Ge的有利形核位置来解释,双层膜的缩聚区中由于局域优先晶化的影响,不仅Tc(=100℃)比非缩聚区中(Tc=150℃)低,而且形成直径为1—2μm的Ge大晶粒,而Ge/多晶Ag和Ge/单晶Ag膜的Tc均约为280℃,合金膜中金属含量较低时(CAu<17at%,CAg<18at%),Tc高于相应的Ge/多晶Au(Ag)膜;金属含量较高时,Tc低于Ge/多晶Au(Ag)膜。这说明过饱和金属原子的存在使得非晶Ge的晶化势垒大大降低。 关键词:  相似文献   
3.
在磁性材料的研究中,磁畴的电镜观测是人们很感兴趣的问题[1]. 利用扫描电镜可以观测到磁性材料的两种磁衬度(图1).第一种磁衬度首先由Joy和Jakubovics利用二次电子信号观测到[3].引起这种磁树度的原因是磁性材料存在着漏磁场.漏磁场引起试样表面发射的二次电子轨道的改变,由于从磁性相反的磁畴中探测到二次电子的效率不同,从而引起磁衬度.由单轴各向异性的磁性材料(如钻和磁泡材料)可得到这种磁衬度[见图1(a)]. 第二种磁衬度首先由Philibert和Tixier[3]利用试样电流得到.以后,更多的研究工作者用背散射电子观测到这种磁树度.这种磁衬度产…  相似文献   
4.
本文简要介绍新研制的MT-1型真空摩擦磨损试验机的性能指标,各个部分的结构与功能以及主要用途.  相似文献   
5.
在分析讨论了金刚石工具的摩擦学性能及其磨损机理之后,采用人工神经网络计算机技术编制了金刚石工具磨擦学设计的计算机程序,并且依据这种程序设计制造了一组铣磨轮,进而将其装机作了大理石材的磨削加工现场应用考察,结果表明,通过本程序设计可以使铣磨轮的平均消耗数减少11%,磨削数率提高28%,这是在采用人工神经网络计算机程序进行设计时,将实际工作数据作为神经元程序的学习和检查样本,它充分引入了现场使用状况对  相似文献   
6.
MT-1型真空摩擦磨损试验机可以提供从大气到6.7×10~(-3)Pa的压力环境,其可测载荷和速度的可调范围以及温度和振动特性等的变化范围都比较大,并且采用微机系统进行数据采集和处理,测量参数多,重复性和精确度都比较好,因而是航天工业、真空工业和摩擦学基础研究中一种有用的工具。  相似文献   
7.
作者对H70黄铜(销)—OCr18Ni9不锈钢(盘)在真空(6.65×10~(-3)Pa)和大气中滑动磨损表面材料的相互转移进行了研究,并且提出了摩擦表面的原子扩散模型。文章指出,由于摩擦的热效应致使表面原子的扩散加剧,不论是软材料还是硬材料,它们的表面微凸体在滑动摩擦过程中都可能发生局部熔化,因而磨损表面出现了材料的相互转移,即使是硬材料中的Fe原子也转移到了软材料黄铜销的磨损表面上。销材料中的Zn原子在摩擦温度较高时的扩散系数是Cu原子的2~3倍,故在摩擦副的两个磨损表面都有Zn原子富集,且以真空下的更加明显。  相似文献   
8.
本文比较了Cr_7C_3硬质涂层盘与钢球组成的滑动摩擦副在真空和大气中的干摩擦磨损特性,发现在真空中的平均滑动摩擦系数μ和钢球体积磨损率△W都比在大气中的低;对于动态滑动摩擦系数μ,存在一个临界滑动距离Sc,当滑动距离S小于这一距离时,μ_(真空)>μ_(大气),而当S超过这一距离时,则μ_(真空)<μ_(大气)。通过磨痕形貌扫描电子显微镜观测和微区X-射线能谱成分分析,发现由于真空中的粘着作用和摩擦热效应都明显增强,涂层中的Cr原子更容易向钢磨损表面转移并形成(Fe,Cr)碳化物膜,因而使μ和△W均下降。文章还讨论了转移膜的形成速率与载荷及滑动速度的关系,以及转移膜与摩擦振动的关系等。  相似文献   
9.
本文综述非晶态半导体/金属薄膜退火过程中金属诱导非晶态半导体晶化的研究,综述对若干非晶态半导体与金属组成的薄膜(Ge-Au、Ge-Ag、Ge-Al、Ge-Se、Ge-pd、Si-Ag、Si-Al、Si-pd、Si-Cu、sic-Al、Si_3N_4-A1)晶化后形成的图形进行的分形研究,内容包括分形形成的实验规律、根据微结构电镜观测结果提出的随机逐次成核模型、以及对分形晶化进行的计算机模拟。  相似文献   
10.
非晶态半导体/金属薄膜的分形晶化   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文综述非晶态半导体/金属薄膜退火过程中金属诱导非晶态半导体晶化的研究,综述对若干非晶态半导体与金属组成的薄膜(Ge-Au、Ge-Ag、Ge-Al、Ge-Se、Ge-pd、Si-Ag、Si-Al、Si-pd、Si-Cu、sic-Al、Si_3N_4-A1)晶化后形成的图形进行的分形研究,内容包括分形形成的实验规律、根据微结构电镜观测结果提出的随机逐次成核模型、以及对分形晶化进行的计算机模拟。  相似文献   
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