Si(CH3)2Cl2分子的电离电势和化学键能的测定

有机硅化合物是半导体工业中产生硅元件的基本原料和有机合成中的重要试剂，是多年来大家研究较多的分子体系之一．本文报导了用同步辐射加速器产生的真空紫外光，电离St（CH3hCI。分子．在50－120n－m波长范围内，测量了各种离子产物与真空紫外光波长的关系，推算得它的绝热电离电势和离子中几个化学键的键能．1实验装置和方法本工作在国家同步辐射实验室光化学实验站进行．进行分子真空紫外光电离研究的实验系统已在文献山中详细描述．同步辐射加速器产生的真空紫外光波长用Ne气的电离势标定，其误差＜士0－Inln．单色仪的分辨率为河凸…     

H原子与CO2分子碰撞的化学反应与能量转移

用时间分辨傅立叶红外发射光谱的方法对H原子与CO2分子的碰撞动力学进行了实验研究．用紫外激光光解的方法分别制备出三个不同平动能为174．7、241．0和306．2 kJ／mol的氢原子,并引发H CO2→OH CO反应．观察到了反应的产物,即振动激发的CO (v≤2)．同时也看到了在H原子与CO2分子的碰撞中发生高效的T- V能量转移．CO2的反对称伸缩模的最高振动能级为v=4．化学反应与能量转移的速率之比大约为10．     

时间分辨红外发射光谱法对自由基反应的研究

在过去的 15年中 ,傅立叶变换红外发射光谱法广泛应用于研究气相自由基反应 .Sloan首先研究了O(1D)的反应 ,随后Leone和Hancock研究了O(3 P)的反应 .此后 ,孔繁敖和朱起鹤等研究了小自由基 ,包括CH、CH2 、CH3 、C2 H3 、C2 H5、C2 H、C3 H3 和C3 H5与O2 、NO、N2 O、NO2 等分子的反应。在红外光谱中观察到各个反应的初生产物和初步反应通道 ,和从头算的理论研究结合起来 ,这些反应的机理已基本弄清 .     

时间分辨傅氏变换红外光谱方法中的定时直流成分

在常规的傅里叶变换红外光谱学中，干涉图的直流成分为∫＾∞０Ｂ（σ）ｄσ，而在时间分辨ＦＴＩＲ中，直流成分Ｉｄｅ成为∫（∞，０）Ｂ（σ，τ）ｄσ，即与信号出现的时间τ有关，称为定量直流成分。     

自由基分子NH2υ2带CO激光磁共振σ谱的观测

采用高灵敏度,高分辨率激光磁共振光谱(LMR)方法在6μm谱段测量了自由基分子NH₂υ₂带的σ谱(△M_J=±1)。重复了前人已测过的谱,结果与之较好符合。并观测到了新谱,在14支激光谱线下共获得约115支塞曼(Zeeman)跃迁谱线,其中在6支激光谱线下新测得的谱线91支。     

气敏半导体元件的温度效应

氧缺位的二氧化锡显示了n型半导体的性质[1],对微量有毒、有害、易爆气体十分敏感,由此制成的气敏半导体元件为检出这些气体提供了新的途径[2-5].目前此种元件的稳定性还很不理想.元件的工作温度对气敏元件的灵敏度、稳定性和选择性等都有极大影响,但温度的变化规律迄今未见仔细研究[6].本文试从能量平衡的观点导出稳态时元件的热平衡方程,并据此研究各种工作条件下的温升规律和热自激现象,以期对提高气敏元件的稳定性有所帮助. 理 论 部 分 最常见的气敏检测电路由电热丝加热电路及测量元件阻值的电路组成(图1),两个回路在元件上所产生的电…     

HBr分子的爱因斯坦自发辐射系数的计算

本文从第一性原理出发,计算了ＨＢｒ分子ｖ≤７,Ｊ≤１４,Δｖ＝１,Ｒ,Ｐ支谱线的爱因斯坦自发辐射系数Ａ＾ｖ‘Ｊ’ｖ＾ｎＪ＾ｎ。测量了ＨＢｒ红外发射的振转谱线强度,证实由理论计算获得的Ａ＾ｖＪ’Ｖ＾ｎＪ＾ｎ系数是可靠的。     

O(3P)原子和硅烷化学反应动力学研究

本文报道了用流动放电-化学发光技术测定O(~3P)和硅烷化学反应速率常数.在293—413K范围内, 结果为k=(1.05±0.36)×10~(-10)exp[(-3.06±0.10) kcal·mol~(-1) /RT] cm~3·molecule~(-1)·s~(-1)并用过渡态理论将上述实验结果外推到200—2000 K范围内. 计算结果以三参数公式表示为: k=7.67×10~(-19) T~(2.59) exp(-720 cal·mol~(-1)/RT) cm~3·molecule~(-1)·s~(-1).     

Si(CH3)3Cl分子电离电势和化学键能的测定

The photoionization spectroscopy of Si(CH3)3Cl in the range of 50 -130 nm was studied with synchrotron radiation source. The adiabatic ionization potentials of molecule Si(CH3)3Cl and radical Si(CH3)3 are 10.06 ±0.02 eV and 7.00±0.03 eV respectively. In addition, the appearance potentials of Si(CH3)2Cl+, Si(CH3)3+, SiCl+ and SiCH3+ were determined:
AP(Si(CH3)2Cl+) ＝10.49±0.02eV, AP(Si(CH3)3+) ＝ 11.91 ±0.02eV
AP(SiCl+) ＝ 18.64 ±0.06eV, AP(SiCH3+)＝ 18.62 ±0.02eV
From these, some chemical bond energies of Si(CH3)3Cl+ were calculated:
D(Si(CH3)2Cl+ - CH3) ＝0.43 ±0.02eV, D(Si(CH3)3+ - Cl) ＝ 1.85 ± 0.02eV
D(SiCH3+ - (2CH3 ＋ Cl)) ＝ 8.56 ± 0．06eV, D(SiCH3+ - 2CH3) ＝6.71±0．06eV
D(SiCl+ - 3CH3) ＝ 8.58 ± 0.06eV, D(SiCl＋- 2CH3) ＝ 8.15 ±0.06eV
D(SiCH3+- (CH3 ＋ Cl)) ＝8.13 ±0.06eV     

O(~1D)+Si(CH_3)_3Cl反应生成振动激发的OH(υ≤5)

实验光谱学和理论计算都发现,“重原子”能隔离分子中的某些振动能景,如SiH_4中Si—H振动泛频的“局域模”.Roger 等在研究F 原子与M(CH_2CH=CH_2)_4(M=Sn,Ge)的反应中,发现了Sn,Ge 对过剩能量转移到其它部分有强烈的阻碍作用(在中间态的寿命时间内).最近,在研究O(~1D)+M(CH_3)_4生成OH(v)反应中,观测到类似的现象.M=C 时,Lutz 用激光诱导荧光方法检测OH 的振动分布,振动是冷的,v=1与v=0的布居比为0.05,