O(3P)原子和硅烷化学反应动力学研究

本文报道了用流动放电-化学发光技术测定O(~3P)和硅烷化学反应速率常数.在293—413K范围内, 结果为k=(1.05±0.36)×10~(-10)exp[(-3.06±0.10) kcal·mol~(-1) /RT] cm~3·molecule~(-1)·s~(-1)并用过渡态理论将上述实验结果外推到200—2000 K范围内. 计算结果以三参数公式表示为: k=7.67×10~(-19) T~(2.59) exp(-720 cal·mol~(-1)/RT) cm~3·molecule~(-1)·s~(-1).     

Silicon electro-optic modulator with high-permittivity gate dielectric layer

A high-permittivity （high-k） material is applied as the gate dielectric layer in a silicon metal-oxide- semiconductor （MOS） capacitor to form a special electro-optic （EO） modulator. Both induced charge density and modulation efficiency in the proposed modulator are improved due to the special structure design and the application of the high-k material. The device has an ultra-compact dimension of 691 μm in length.     

紫激光作用下四甲基硅的光谱和质谱研究

本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离（ＭＰＩ）光谱及飞行时间（ＴＯＦ）质谱的研究。得到了激光激发波长在４０２～３９２ｎｍ内的多光子电离光谱，获得了某些波长处的飞行时间质谱，并据此讨论了该分子在这个区域内可能的ＭＰＩ机理。     

CS2和O(3P)及N(4S)原子化学反应动力学

含硫化合物的氧化是大气化学中特别感兴趣的领域之一。研究较多的含硫化合物有SO_2、OCS和CS_2。其中O(~3P)+CS_2化学反应动力学研究在文献中已见过报导。通常认为O(~3P)和CS_2反应有三个反应通道: