可见分光光度法研究In3+与Zr4+、Ce3+、Rh3+和Ga3+的浮选分离

用可见分光光度法研究了溴化四丁基铵-碘化钾-水体系浮选分离铟的行为,探讨了In3+与-些金属离子分离的条件.结果表明,当溶液中溴化四丁基铵和碘化钾的浓度分别为6.0×10-4mol/L和5.0×10-3mol/L时,In3+与Zp+、Ce3+、Rh3+和Ga3+可定量分离.     

100-nm T-gate InAIAs/InGaAs InP-based HEMTs with fT= 249 GHz and fmax ： 415 GHz

InA1As/InGaAs high electron mobility transistors （HEMTs） on an InP substrate with well-balanced cutoff frequency fT and maximum oscillation frequency frnax are reported. An InA1As/InGaAs HEMT with 100-nm gate length and gate width of 2 × 50 μm shows excellent DC characteristics, including full channel current of 724 mA/mm, extrinsic maximum transconductance gm.max of 1051 mS/mm, and drain-gate breakdown voltage BVDG of 5.92 V. In addition, this device exhibits fT = 249 GHz and fmax = 415 GHz. These results were obtained by fabricating an asymmetrically recessed gate and minimizing the parasitic resistances. The specific Ohmic contact resistance was reduced to 0.031 0.mm. Moreover, the fT obtained in this work is the highest ever reported in 100-nm gate length InA1As/InGaAs InP-based HEMTs. The outstanding gm.max, fT, fmax, and good BVDG make the device suitable for applications in low noise amplifiers, power amplifiers, and high speed circuits.     

α-二酮的铟促水相烯丙基化研究

以6,7-十二烷二酮(或1,2-环烷基二酮)和3-碘-2-碘甲基-1-丙烯为原料,铟粉为催化剂,在水相中经烯丙基化反应合成了4个新型的单烯丙基化产物[7-羟基-7-(2-碘甲基-烯丙基)-十二烷-6-酮和2-羟基-2-(2-碘甲基-烯丙基)-环烷酮]和3个新型的双烯丙基化产物{4-亚甲基-1,2-二戊基-1,2-环戊二醇,2-羟基-2-[2-(1-羟基-2-羰基-环癸基甲基)-烯丙基]-环癸酮和2-羟基-2-[2-(1-羟基-2-羰基-环十二基甲基)-烯丙基]-环十二烷酮},其结构经1H NMR,IR和HR-MS表征。     

掺钠钼电极在硒化铜铟镓（CIGS）太阳能薄膜电池应用

适量钠元素对铜铟镓硒薄膜生长具有促进作用,本文主要研究了掺钠钼电极特性及其对铜铟镓硒薄膜太阳能电池性能的影响。利用磁控溅射方法制备不同厚度的钼钠/钼（MoNa/Mo）薄膜作为背电极,并在（MoNa/Mo）薄膜电极上蒸镀铜铟镓硒（CIGS）薄膜,并利用单质硒源硒化处理后制备CIGS薄膜电池。SEM和XRD结果表明采用三层叠层Mo/Mo/MoNa薄膜做电极的MoNa容易被氧化,电阻率增加,采用四层叠层Mo/Mo/MoNa/Mo薄膜电极方式有效降低电阻率,阻止MoNa被氧化,CIGS晶粒较大且致密。在同一条件下,在不同MoNa/Mo厚度电极上制备CIGS薄膜电池,80nmMoNa厚度上的CIGS薄膜电池效率达6.54%。     

Ti3+自掺杂的TiO2(A)/TiO2(R)/In2O3纳米异质结的制备与可见光催化性能

以TiCl₃和InCl₃为Ti源和In源,在不使用还原剂的条件下,首先通过液相沉淀反应制备前驱体沉淀,然后采用后续水热处理制备Ti³⁺自掺杂的TiO₂(A)/TiO₂(R)/In₂O₃纳米异质结,考察了水热处理温度对材料结构和性能的影响。利用X射线衍射、透射电子显微镜、X射线光电子能谱和紫外-可见漫反射光谱对样品进行表征。分别以罗丹明B和苯酚溶液为模拟废水评价了样品的可见光催化降解性能。结果表明,与纯的TiO₂、In₂O₃以及Ti³⁺自掺杂的TiO₂相比,Ti³⁺自掺杂的TiO₂(A)/TiO₂(R)/In₂O₃纳米异质结在可见光区有明显的吸收,并具有良好的可见光催化降解性能,200℃下水热处理24 h所得样品光催化降解罗丹明B的反应速率常数(0.0444 min^-1)分别是纯TiO₂和In₂O₃的17.76倍和8.71倍。瞬态光电流时间响应结果表明样品的光催化性能主要来源于TiO₂(A)/TiO₂(R)/In₂O₃纳米异质结导致的提高的光生电子和空穴分离效率。     

pH值对电沉积CuInSe2薄膜的组份、结构及光电性能的影响

本文采用一步恒电位沉积法在铟锡氧化物(ITO)基底上制备CuInSe2薄膜,研究了沉积过程中不同的离子浓度配比及pH值对CuInSe2膜结构性能的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD)研究了薄膜材料的结构性能,结果发现pH值对薄膜的化学成份、表面形貌、晶格结构都有显著影响,通过控制合适的浓度及酸度分别制备了高质量富铟与富铜薄膜。利用表面光电压(SPS)技术分别对富铟与富铜薄膜的光电分离特性进行了研究,结果发现富铟薄膜具有很强的光电响应;而富铜薄膜由于Cu-Se相的存在,在薄膜中形成了新的界面,电子-空穴对在其界面处因捕获而发生复合,从而导致其光电响应的强烈降低。所得到的结果为提高铜铟硒薄膜的光电效率提供了有价值的新思路。     

柠檬酸浓度对化学浴沉积硫化铟薄膜形成机理的影响研究

以柠檬酸为配位剂,在酸性条件下采用化学浴沉积方法在FTO玻璃衬底上制得硫化铟薄膜,分别采用XRD、SEM、UV等手段对薄膜相结构、形貌和薄膜的透光率进行了表征。结果表明薄膜为立方结构的β-In2S3,薄膜均一连续,呈网状表面形貌,透光率随厚度增加而递减,带隙宽度介于2.5～2.6 eV之间。主要研究了配位剂的浓度对薄膜形成机理的影响,结果表明:柠檬酸浓度较低时,柠檬酸根与铟离子的配位平衡是整个反应的速控步骤;当柠檬酸浓度较高时,硫代乙酰胺与酸作用生成硫离子的反应是整个反应的速控步骤。     

铜铟硫纳米晶/PMMA复合薄膜的制备与光学性质表征

铜铟硫(CuInS₂)纳米晶具有发射光谱宽、波长易于调控、量子产率高、合成成本低、容易与封装材料复合等优点,在远程白光LED结构中具有广阔的应用前景。远程白光LED结构是针对LED散热问题提出的一种新型封装结构,在这种结构中复合荧光涂层(复合薄膜)与蓝光芯片进行隔离封装,这种结构对复合薄膜中纳米晶的热稳定性的要求大大降低。首先合成出了不同发光波长的CuInS₂纳米晶荧光材料,然后将其封装到PMMA基质中制备了系列的CuInS₂纳米晶/PMMA复合薄膜。通过荧光光谱和紫外可见光谱的方法,针对纳米晶复合薄膜出现的发光波长红移以及不同发光波长纳米晶/PMMA复合薄膜透过率不一致的现象进行了详细研究。     

中国科学技术大学高温超导物理研究新进展

在中国科学技术大学(以下简称中国科大)建校50周年之际,文章作者对近年来中国科大在高温超导物理方面的最新研究进展情况作一介绍,包括新型高温超导材料探索研究和高温超导机理实验研究.在新型高温超导材料探索研究方面,文章作者首次发现了除高温超导铜基化合物以外第一个超导温度突破麦克米兰极限(39 K)的非铜基超导体--铁基砷化物SmO1-xFxFeAs,该类材料的最高超导转变温度可达到55K;中国科大还成功地制备出大量高质量的超导化合物单晶,包括Nd2-xCexCuO4,NaxCoO2,CuxTiSe2等.在高温超导机理实验研究方面,中国科大系统地研究了SmO1-xFxFeAs体系的电输运性质给出了该体系的电子相图;发现了在电子型高温超导体中存在反常的热滞现象和电荷-自旋强烈耦合作用;在NaxCoO2体系中也开展了系列的工作,并且首次明确了电荷有序态中小自旋的磁结构问题;此外,还系统地研究了CuxTiSe2体系中电荷密度波与超导的相互关系.     

High Characteristic Temperature 1.3μm InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy

We report the molecular beam epitaxy growth of 1.3 μm InAs/GaAs quantum-dot （QD） lasers with high characteristic temperature T0. The active region of the lasers consists of five-layer InAs QDs with p-type modulation doping. Devices with a stripe width of 4 μm and a cavity length of 1200 μm are fabricated and tested in the pulsed regime under different temperatures. It is found that T0 of the QD lasers is as high as 532 K in the temperature range from 10°C to 60°C. In addition, the aging test for the lasers under continuous wave operation at 100°C for 72 h shows almost no degradation, indicating the high crystal quality of the devices.