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以特殊脉冲电沉积方法制备CuInSe2(CIS)前驱体薄膜, 通过真空蒸镀法在CIS薄膜上沉积Al膜, 经硒化退火后在氧化铟锡(ITO)基底上制备了Cu(InAl)Se2(CIAS)薄膜. 采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)对其形貌、结构、成分及光学吸收性质进行了表征. 结果表明, 制备的CIAS薄膜颗粒均匀, 表面平整致密, 呈黄铜矿结构. 薄膜在可见光区具有良好的吸收, 带隙约为1.65 eV. 相似文献
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利用水热法制备了金红石相的单晶TiO2纳米棒阵列, 利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)以及表面光电压谱仪(SPS)研究了其形貌、结构以及光电性质. 通过不同生长基底对比实验发现F掺杂SnO2导电玻璃基底和种子层对纳米棒阵列的生长起决定作用, TiO2种子层与SnO2:F基底晶格匹配, 有利于晶体外延生长, 使TiO2纳米棒阵列的取向性更强. 根据场调制表面光电压测量结果, 金红石相的TiO2与基底界面处的能带向上弯曲, 在FTO/TiO2界面存在大量界面态, 这些界面态可能成为光生载流子的复合中心. 实验结果表明引入种子层不仅有利于TiO2纳米棒的取向生长, 而且极大地减少界面态, 有望提高电荷的收集效率. 相似文献
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利用恒电位电沉积法在以乙醇为溶剂的溶液中制备了铜铟镓硒(CIGS)薄膜.并采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计分别对薄膜的形貌、成分、晶体结构和吸收特性进行了表征.结果表明在-1.6V(相对于饱和甘汞电极电位)工作电位下沉积的薄膜经450°C退火后能够形成形貌均匀致密、结晶性良好、带隙约为1.17eV的黄铜矿结构CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜.实验过程中发现,以乙醇为溶剂可以有效避免在水溶液中出现的析氢现象,减小了沉积电位的限制. 相似文献
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迈克耳孙干涉条纹细分和计数 总被引:2,自引:1,他引:1
当两相干光附加一按固定频率变化的相位差时,其干涉条纹的光强将随之交变,即为相位调制干涉,用相敏检波等电信号处理手段,可实现这种干涉条纹高精度、高稳定性的计数和细分。 相似文献
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CuInS2:两步电沉积制备及性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用恒电位沉积法制备铜铟合金预制膜,并存管式炉中通过固态源蒸发硫化预制膜得到CuInS:薄膜.通过扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对CuInS2薄膜的表而形貌、截面厚度、成分组成和薄膜的组织结构进行了研究,并利用紫外可见光吸收谱仪(UV-Vis)研究了不同硫化温度对CuInS:薄膜的形貌及其光学吸收性质的影响.结果表明:不同的退火温度能够影响CuInS:薄膜的表面形貌以及带隙的大小,从而影响其光学吸收特性. 相似文献