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81.
研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm-3和1.2×1018cm关键词:
氮化铟
位错
载流子起源
局域态 相似文献
82.
83.
利用飞秒时间分辨抽运-探测反射光谱技术研究了室温下Ge2Sb2Te5非晶薄膜中载流子超快动力学及其激发能量密度依赖性.发现光激发后05 ps时间内,反射变化率降到最小值,然后开始迅速增加,在几个皮秒时间内达到大于初始反射率的新的最大值.反射率的减小量、增加量和增加速率均随激发能量密度的增大而增加.利用高密度等离子体的Auger复合及其感应的晶格加热模型较好地定量解释了反射率由最小到最大的快速变化过程,表明高密度等离子体的Auger复合加热
关键词:
抽运-探测光谱
2Sb2Te5非晶薄膜')" href="#">Ge2Sb2Te5非晶薄膜
Auger复合
载流子动力学 相似文献
84.
基于最低未被占据分子轨道(LUMO)和最高被占据分子轨道(HOMO)的高斯态密度分布与载流子在允许量子态中的费米-狄拉克(Fermi-Dirac)分布,提出有机半导体中物理掺杂的理论模型;研究了掺杂浓度、温度和禁带宽度对载流子浓度的影响,并与一些报道的实验结果做了比较.研究发现无论是否掺杂,温度升高时,有机半导体中的载流子浓度都会增大,并且随温度倒数的线性减小而指数增大;对于本征有机半导体,载流子浓度随禁带宽度的增大而指数下降,随高斯分布宽度的平方指数增加;对杂质和主体不同能级关系的掺杂情形下掺杂浓度对载
关键词:
有机半导体
掺杂
高斯态密度
载流子浓度 相似文献
85.
86.
Carrier injection performed in oxygen-deficient YBa2 Cu307_~ (YBCO) hetero-structure junctions exhibits tunable resistance that is entirely different from the behaviour of semiconductor devices. Tunable superconductivity in YBCO junctions, increasing over 20 K in transition temperature, has achieved by using electric processes. To our knowledge, this is the first observation that intrinsic property of high Tc superconductors' superconductivity can be adjusted as tunable functional parameters of devices. The fantastic phenomenon caused by carrier injection is discussed based on a proposed charge carrier seff-trapping model and BCS theorv. 相似文献
87.
Effect of Different Substrate Temperature on Phosphorus-Doped ZnO Thin Films Prepared by PLD on Sapphire Substrates 下载免费PDF全文
Phosphorus-doped ZnO (ZnO:P) thin films are deposited on a c-plane sapphire in oxygen at 350℃, 450℃, 550℃ and 650℃, respectively, by pulsed laser deposition (PLD), then all the ZnO:P samples are annealed at 650℃ in oxygen with a pressure of 1 × 10^5 Pa. X-ray diffraction measurements indicate that the crystalline quality of the ZnO:P thin films is improved with the increasing substrate temperature from 350℃ to 550℃. With a further increase of the deposition temperature, the crystalline quality of the ZnO:P sample is degraded. The measurements of low-temperature photoluminescence spectra demonstrate that the samples deposited at the substrate temperatures of 350℃ and 450℃ show a strong acceptor-bound exciton (A^0X) emission. The electrical properties of ZnO:P films strongly depend on the deposition temperature. The ZnO:P samples deposited at 350℃ and 450℃ exhibit p-type conductivity. The p-type ZnO:P film deposited at 450℃ shows a resistivity of 1.846Ω·cm and a relatively high hole concentration of 5.100 × 10^17 cm^-3 at room temperature. 相似文献
88.
利用费米分布函数和杂质电离的热平衡理论计算了载流子在杂质能级上的占据概率,其结果与传统的热力学统计理论及计算化学势方法得到的结果完全一致.本方法运算简单,且物理意义清晰. 相似文献
89.
积累检测在光电设备中的应用分析 总被引:2,自引:0,他引:2
有些光电检测设备要求高的探测概率和低的虚警概率,使用单次检测不能达到要求。若采用积累榆测法则能满足系统要求。通过对积累检测在不同类型光电设备中的应用分析,建立了不同的数学模型,推导出各模型的探测概率和虚警概率的计算公式,并给出了相应的计算结果。计算结果表明:积累检测在主动探测设备中使用不连续的“K out of N”模型,能够有效提高探测概率,降低虚警概率。但在被动探测设备中,探测概率有所卜降,虚警概率会大大降低。 相似文献
90.