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均匀光源被广泛应用于光学成像、遥感仪器的研制与标定等领域。提出了一种具有环形遮挡屏的积分球光源结构,以辐照均匀度分布特性为目标,利用蒙特卡洛(MCM)分析通过改变光源类型、挡板位置、开口大小、光源数量等参数对光源结构进行分析与优化。结果显示,朗伯特光源较之准直型光源辐照均匀度平均提高2.32%;挡板位置靠近积分球边缘时,辐照均匀度略低于其他位置;综合考虑辐射能量与照度均匀度,积分球开口比定在30%~35%区间内更为合适;辐射能量与光源数量呈线性关系,且不均匀度随光源数量在2.46%~3.38%波动。优化后的环形遮挡屏结构,可作为辐照均匀的光源应用于实际场景。 相似文献
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提出全自主的微型飞行器,使用板载传感器实现三维的同时定位与稠密重构。在ORB-SLAM系统的基础上,基于扩展卡尔曼滤波器实现了视觉-惯导的传感器融合,提高了系统的稳健性和精度以满足微型飞行器自主飞行的要求。由于ORB-SLAM系统创建的稀疏的特征地图不能用于微型飞行器的避障和导航,使用双目摄像机提出了改进的构建地图的方法,由稀疏特征点地图扩展为稠密的八叉树地图。通过EuRoC数据集进行评估,可以验证本文算法较基于关键帧的视觉-惯导算法平均精度提升了1倍。将本文算法应用于所搭建的四旋翼自主飞行平台,仅依靠板载传感器和处理器,实现了全自主飞行与稠密地图构建,验证了本文算法的有效性和稳健性。 相似文献
3.
Antimony-based bismuth-doped thin film,a new kind of super-resolution mask layer,is prepared by magnetron sputtering.The structures and optical constants of the thin films before and after annealing are examined in detail.The as-deposited film is mainly in an amorphous state.After annealing at 170-370℃,it is converted to the rhombohedral-type of structure.The extent of crystallization increased with the annealing temperature.When the thin film is annealed,its refractive index decreased in the most visible region,whereas the extinction coefficient and reflectivity are markedly increased.The results indicate that the optical parameters of the film strongly depend on its microstructure and the bonding of the atoms. 相似文献
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对羟基苯甲酸酯分子印迹电化学传感器的研制 总被引:5,自引:2,他引:3
利用分子印迹技术,以对羟基苯甲酸乙酯为模板分子,甲基丙烯酸为单体,在玻碳电极表面原位聚合分子印迹聚合物敏感膜.采用方波伏安法对对羟基苯甲酸乙酯在该印迹电极上的电化学行为进行了研究,当响应时间为15 min时,0.95 V(vs SCE)处的峰电流与对羟基苯甲酸乙酯的浓度在2.0×10-6 ~2.0×10-4 mol/L范围内呈线性关系,检出限(S/N=3)为1.0 μmol/L,而相同条件下,对羟基苯甲酸乙酯在控制电极上的响应非常小并对浓度变化不灵敏;同时在印迹电极上氧化峰电位较在裸电极上发生了微弱正移.同一支印迹电极对对羟基苯甲酸乙酯响应值的RSD为4.3%(n=10).该印迹电极对尼泊金酯类具有良好的选择性,对对羟基苯甲酸甲酯、丙酯以及丁酯的选择性系数分别为1.89、1.70和2.01;对结构相似的苯酚、对羟基苯甲酸、对氨基苯甲酸等响应不灵敏,对结构差异较大的如维生素C等几乎无响应.用该分子印迹电极对实际样品进行分析,加标回收率大于90%. 相似文献
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利用飞秒时间分辨抽运-探测反射光谱技术研究了室温下Ge2Sb2Te5非晶薄膜中载流子超快动力学及其激发能量密度依赖性.发现光激发后05 ps时间内,反射变化率降到最小值,然后开始迅速增加,在几个皮秒时间内达到大于初始反射率的新的最大值.反射率的减小量、增加量和增加速率均随激发能量密度的增大而增加.利用高密度等离子体的Auger复合及其感应的晶格加热模型较好地定量解释了反射率由最小到最大的快速变化过程,表明高密度等离子体的Auger复合加热
关键词:
抽运-探测光谱
2Sb2Te5非晶薄膜')" href="#">Ge2Sb2Te5非晶薄膜
Auger复合
载流子动力学 相似文献
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Impact of AlxGa1-xN barrier thickness and Al composition on electrical properties of ferroelectric HfZrO/Al2O3/AlGaN/GaN MFSHEMTs 下载免费PDF全文
Ferroelectric (FE) HfZrO/Al$_{2}$O$_{3}$ gate stack AlGaN/GaN metal-FE-semiconductor heterostructure high-electron mobility transistors (MFSHEMTs) with varying Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N barrier thickness and Al composition are investigated and compared by TCAD simulation with non-FE HfO$_{2}$/Al$_{2}$O$_{3}$ gate stack metal-insulator-semiconductor heterostructure high-electron mobility transistors (MISHEMTs). Results show that the decrease of the two-dimensional electron gas (2DEG) density with decreasing AlGaN barrier thickness is more effectively suppressed in MFSHEMTs than that in MISHEMTs due to the enhanced FE polarization switching efficiency. The electrical characteristics of MFSHEMTs, including transconductance, subthreshold swing, and on-state current, effectively improve with decreasing AlGaN thickness in MFSHEMTs. High Al composition in AlGaN barrier layers that are under 3-nm thickness plays a great role in enhancing the 2DEG density and FE polarization in MFSHEMTs, improving the transconductance and the on-state current. The subthreshold swing and threshold voltage can be reduced by decreasing the AlGaN thickness and Al composition in MFSHEMTs, affording favorable conditions for further enhancing the device. 相似文献
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一个数论函数的均值 总被引:2,自引:0,他引:2
王阳 《纯粹数学与应用数学》2002,18(2):139-144
研究了三进制中数字和函数的均值性质,给出了一般情况下均值A1(N),A2(N),A3(N)的求和公式. 相似文献