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使用飞秒时间分辨抽运-探测透射光谱技术,实验研究了GaAs体材料中光激发载流子的超快弛豫动力学的波长依赖.在相同的光激发载流子浓度和抽运/探测比时,发现760 nm和780 nm两中心波长处的瞬态透射变化延迟扫描信号出现负的和振荡的信号.与模拟计算结果对比,判定该实验瞬态信号是错误的.分析探测器输出波形,发现是由于反相波形导致的,而引起反相波形的原因在于样品中存在长寿命的吸收过程.指出通过提高探测器上的抽运/探测比能够矫正反相波形,从而获得正确的瞬态透射变化动力学.提高探测器上的抽运/探测比与目前的应尽量减小抽运光对探测器的散射贡献的观点是对立的.文章的研究结果对应用抽运-探测时间分辨光谱技术正确地测量超快瞬态动力学过程具有重要的参考价值.
关键词:
时间分辨抽运-探测透射光谱
饱和吸收
吸收增强
GaAs体材料 相似文献
2.
Crystallization Process of Superlattice-Like Sb/SiO_2 Thin Films for Phase Change Memory Application 下载免费PDF全文
After compositing with SiO_2 layers, it is shown that superlattice-like Sb/SiO_2 thin films have higher crystallization temperature(~240°C), larger crystallization activation energy(6.22 e V), and better data retention ability(189°C for 10 y). The crystallization of Sb in superlattice-like Sb/SiO_2 thin films is restrained by the multilayer interfaces. The reversible resistance transition can be achieved by an electric pulse as short as 8 ns for the Sb(3 nm)/SiO_2(7 nm)-based phase change memory cell. A lower operation power consumption of 0.09 m W and a good endurance of 3.0 × 10~6 cycles are achieved. In addition, the superlattice-like Sb(3 nm)/SiO_2(7 nm) thin film shows a low thermal conductivity of 0.13 W/(m·K). 相似文献
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采用飞秒时间分辨瞬态简并四波混频技术,在室温下测量了GaAs体材料及其量子阱材料GaAs/Al0.3Ga0.7As的光学极化超快退相时间,当激光中心波长为785nm,受激载流子浓度为1011cm-2时,它们的退相时间分别为28fs和46fs.量子阱材料的退相时间比体材料的长,这是由于量子阱中的载流子在垂直于GaAs/AlGaAs界面的运动受到限制,运动呈现二维特性,大大减小了载流子的散射概率.实验中观察到瞬态简并四波混
关键词:
时间分辨简并四波混频
飞秒激光脉冲
退相
密度矩阵 相似文献
6.
对作者所提出的无干涉条纹直接电场重构测量飞秒脉冲的振幅和相位的新方法作出进一步理论分析,并通过实验测量说明该方法的优越性.该方法克服了传统的SPIDER方法的弊病,能得到一组无干涉条纹的图像,排除传统方法必须使用傅里叶变换滤波消除干涉条纹而引进的系统误差,使得该方法能够采用较简便设备且能较准确测量飞秒脉冲强度轮廓和相位.最后给出同一条件下新方法和传统SPIDER方法分别重构的脉冲强度自相关曲线与实验测量结果的比较,以说明新方法的有效性和优越性. 相似文献
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利用激子旋转扩散理论研究了一类低掺杂卟啉侧链聚合物中卟啉侧链基团的旋转对其发光动力学过程的影响.研究表明,卟啉侧链基团的旋转行为是导致激发态无辐射能量弛豫的重要途径.基团旋转越容易,能量弛豫速度越快,这可导致一个快速的荧光衰变动力学过程.在卟啉低掺杂浓度和聚合物分子链间距离较大的情况下,卟啉侧链基团的旋转成为影响荧光寿命和发光效率的主要因素.对实验测得的两种样品的荧光弛豫过程进行了拟合,理论结果与实验结果符合较好.
关键词:
激子旋转弛豫
瞬态荧光
卟啉侧链聚合物 相似文献
8.
Characteristics of Sb_6Te_4/VO_2 Multilayer Thin Films for Good Stability and Ultrafast Speed Applied in Phase Change Memory 下载免费PDF全文
The Sb_6Te_4/VO_2 multilayer thin films are prepared by magnetron sputtering and the potential application in phase change memory is investigated in detail. Compared with Sb_6Te_4, Sb_6Te_4/VO_2 multilayer composite thin films have higher phase change temperature and crystallization resistance, indicating better thermal stability and less power consumption. Also, Sb_6Te_4/VO_2 has a broader energy band of 1.58 eV and better data retention(125℃ for 10 y). The crystallization is suppressed by the multilayer interfaces in Sb_6Te_4/VO_2 thin film with a smaller rms surface roughness for Sb_6Te_4/VO_2 than monolayer Sb_4Te_6. The picosecond laser technology is applied to study the phase change speed. A short crystallization time of 5.21 ns is realized for the Sb_6Te_4(2 nm)/VO_2(8 nm)thin film. The Sb_6Te_4/VO_2 multilayer thin film is a potential and competitive phase change material for its good thermal stability and fast phase change speed. 相似文献
9.
使用飞秒时间分辨抽运-探测磁光Kerr光谱技术,实验研究了圆偏振光抽运面内磁化FePt和垂直磁化GdFeCo薄膜的磁化演化动力学,发现在时间延迟零点处均出现瞬态Kerr峰.分析了此Kerr峰的起源,指出此瞬态Kerr峰与铁磁性无关,可能起源于自由电子的顺磁磁化,而顺磁磁化的外磁场来自圆偏振抽运光的逆Faraday效应.基于顺磁磁化模型的计算结果支持此观点.基于此观点,逆Faraday效应感应的磁场脉冲宽度应该与激光脉冲宽度一致. 相似文献
10.
利用飞秒时间分辨抽运-探测反射光谱技术研究了室温下Ge2Sb2Te5非晶薄膜中载流子超快动力学及其激发能量密度依赖性.发现光激发后05 ps时间内,反射变化率降到最小值,然后开始迅速增加,在几个皮秒时间内达到大于初始反射率的新的最大值.反射率的减小量、增加量和增加速率均随激发能量密度的增大而增加.利用高密度等离子体的Auger复合及其感应的晶格加热模型较好地定量解释了反射率由最小到最大的快速变化过程,表明高密度等离子体的Auger复合加热
关键词:
抽运-探测光谱
2Sb2Te5非晶薄膜')" href="#">Ge2Sb2Te5非晶薄膜
Auger复合
载流子动力学 相似文献