含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器

本文报道了采用分子束外延技术制备的三色InAs/GaAs量子点红外探测器. 器件采用nin型结构, 吸收区结构是在InGaAs量子阱中生长含有AlGaAs插入层的InAs量子点, 器件在77 K下的红外光电流谱有三个峰值: 6.3, 10.2和11 μm. 文中分析了它们的跃迁机制, 并且分别进行了指认. 因为有源区采用了不对称结构, 所以器件在外加偏压正负方向不同时, 光电流谱峰值的强度存在一些差异. 不论在正偏压或者负偏压下, 当偏压达到较高值, 再进一步增大偏压时, 都出现了对应于连续态的跃迁峰强度明显下降的现象, 这是由量子点基态与阱外连续态的波函数交叠随着偏压进一步增大而迅速减小导致的.     

气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10~(-15)cm~2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev+0.31 eV,俘获截面为2.87×10~(-17)cm~2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。     

温度对Si衬底上低压MOCVD外延生长ZnS薄膜质量的影响

用低压MOCVD系统在(111)Si衬底上,用两步生长方法(改变/流量比)在300～400℃时外延生长了ZnS单晶薄膜。随着衬底温度的降低,ZnS薄膜结晶质量提高,并在300℃生长时获得结晶完整性较好的(111)ZnS单晶薄膜。文中讨论了衬底温度对薄膜质量的影响。     

980nm高功率列阵半导体激光器

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（100Hz,100μs）输出功率达到80W（室温）,峰值波长为978－981nm。     

新型稀土配合物的合成表征及EXAFS研究

合成了五种新的稀土配合物RE2(NO3)6L2.nH2O, 其中L为一新的含β-双酮和Schiff-base配体, 1, 5-双(1'-苯基-3'-甲基-5'-吡唑啉酮-4')-1-(4'-氨基丁烷-1'-亚胺基)-5-戊酮, RE=Sm, Eu, Gd, Dy, Ho。对配合物进行了质谱、FTIR、变温红外、EXAFS等研究。结果表明: 配合物为双核结构; 配合物中NO3^-以离子型、单齿及双齿同时存在; 配体L中的C=O, C=N及NH2均参与配位; 稀土离子的总配位数为8, 双配位层分别为2个氮和6个氧, RE-N距离在0.230~0.240nm, RE-O0.240~0.250nm。     

外延AgCl/AgBr乳剂感光性能的研究

制备系列AgCl/AgBr八面体外延乳剂,利用EDS-STEM技术对主体乳剂AgBr八面体上氯的分布进行了测定,结果表明随AgCl/AgBr外延乳剂中AgCl含量的增大,而其分布优势始终在AgBr八面体的顶角位置,其次在边。77K时,用375nm的激发光源对外延乳剂AgCl/AgBr样品进行激发,随外延乳剂中AgCl含量的提高,AgCl的发光谱带有增大的趋势,但其峰位置基本保持在510nm左右,AgBr在600nm.AgCl和AgBr的发光峰始终以分立的形式存在,没有混晶AgBrCl的宽谱带出现,外延乳剂AgCl/AgBr的感光度随AgCl含量的提高也有一定的变化规律,当AgCl含量较低时,有明显增感作用,而当AgCl含量过高时,外延乳剂的感光度降低,但灰雾也减小。     

FexMn1-x合金在GaAs(001)表面外延的结构和磁性

报道了对于0≤x≤1的Fe_xMn_1-x合金在GaAs(001)表面上分子束外延的结构与磁性的实验结果,当x>0.8时,Fe_xMn_1-x合金以单晶体心立方结构生长;当x<0.35时,则以单晶面心立方结构生长;对于0.35xMn_1-x生长的结构比较复杂,而正是在这一区域中,该合金发生了从铁磁相到反铁磁相的转变. 关键词：     

La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长及其机理研究

利用脉冲激光制膜法,在多种衬底和温度条件下,系统研究了La_0.5Sr_0.5CoO₃(LSCO)薄膜的结构和外延生长特性,在LaAlO₃,SrTiO₃和MgO衬底上实现了LSCO薄膜的外延生长.外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征.研究表明,外延生长的最佳温度范围为700—800℃,最佳衬底为LaAlO₃.并着重探讨了衬底材料和淀积温度等多种因素对LSCO薄膜的生长与性 关键词：     

Co100-xMnx合金在GaAs(001)表面的生长结构和磁性的实验研究

对Co_100-xMn_x合金在GaAs(001)表面的分子束外延生长、晶体结构和磁学性质进行了研究.结果表明,当0100-xMn_x合金薄膜是体材料中不存在的体心立方(bcc)结构,并且具有较强的铁磁性,当44100-xMn_x合金薄膜最初为bcc结构,随着厚度的增加,逐渐从bcc向面心立方(fcc)结构转化,最后成为完全的fcc结构,薄膜具有较 关键词：     

超晶格

 晶格是原子或分子聚集时在一定条件下形成的周期性有序结构,这是晶体的基本特征.科学家在实验中利用现代技术实现了人工的周期性有序结构,这是人为的周期性结构,它显示出不寻常的特性,称为超晶格结构,也可称为超晶格材料.