导电聚苯胺/鳞片石墨复合材料的制备及导电机理研究

采用湿法制备了导电聚苯胺／鳞片石墨导电复合材料．通过对其电阻、IR、SEM、DMA进行表征，以及运用层积模型对复合材料体系电学性能进行了拟合．结果表明：用偶联剂处理过的复合材料比未处理的在电阻性能上有较大改善，石墨粒子开始形成导电网络时的体积分数临界值霞降低到1.43％．IR和DMA验证了温度升高使聚苯胺基体结构向苯-苯式转化，这一过程导致体系电阻在80℃之后呈下降趋势．层积模型对复合材料体系的拟合结果较好地符合了电导率与体积分数之间的线性关系．     

聚乳酸合成的最新进展

聚乳酸是近年来广泛应用，生物相容性良好的生物材料。本文综述了聚乳酸在合成方面研究的最新进展，对未来的工作进行了展望。     

速凝成晶-粘结法制备稀土磁致伸缩材料TbDyFe的研究

采用速凝成晶技术,制备了具有<112>和<110>择优取向的Tb0.27Dy0.73Fe1.95速凝片.研究发现,速凝片的择优取向和显微组织与冷却速度密切相关.随着冷却速度的增加,其择优取向从<112>向<110>变化,显微组织由枝状晶向胞枝晶转变.研究了由速凝片制备的稀土粘结磁致伸缩样品的性能.结果表明,当粉末粒度≤(100～150)μm时材料性能较好,具有<112择优取向的样品性能高于<110>择优取向的样品,磁场取向成型有利于材料性能的改善.获得了性能良好的粘结磁致伸缩材料,在238.8 kA·m-1时磁致伸缩系数达到740×10-6.     

有上下界网络最大流与最小截问题

为了便于建立与有上下界网络最大流与最小截问题有关的决策支持系统，本文给出一个求有上下界网络最大流与最小截的数值算法，证明了算法的理论依据，并举例说明了算法在堵塞流理论中的应用。该算法能判定问题是否有可行解，在问题有可行解的情况下能求得问题的最优解。该算法具有易于编程实现、收敛性好等优点。数值实验表明该算法有较高的计算效率，可用于求解最小饱和流问题。     

二维莫尔超晶格中的非线性霍尔效应

1879年发现的霍尔效应是凝聚态物理学中最古老也是最重要的领域之一.最近发现的非线性霍尔效应是霍尔效应家族的新成员.与大部分需要打破时间反演对称的霍尔效应不同,非线性霍尔效应存在于少数空间反演破缺但仍具有时间反演对称的系统中,并且因其高频特性和不需额外施加磁场而在诸多领域具有令人期待的应用前景.然而,除空间反演破缺以外,非线性霍尔效应对材料对称性的要求十分苛刻,只在极少数材料中观测到了由贝里曲率偶极矩产生的非线性霍尔效应.近年来快速发展的范德瓦耳斯堆叠技术为剪裁和调控晶体的对称性,制备具有特殊物理性质的人工二维莫尔晶体提供了一个崭新的途径.本文主要围绕二维莫尔超晶格结构在实现非线性霍尔效应方面的特性,介绍了近年来理论和实验上石墨烯超晶格以及过渡金属硫族化合物超晶格中非线性霍尔效应的研究进展,并展望了未来基于二维莫尔超晶格材料的非线性霍尔效应的研究方向和应用前景.     

用显微金刚石池测试高分子弹性材料的红外光谱

本文论述了用显微金刚石池研究高分子弹性材料，方法简便、快速和精确。     

分段函数的分段教学──出租车计价问题的数学思考

教学实践表明,函数是中学生感到最难学的数学内容之一,特别是分段函数的教学更是如此,所以在实际教学中教师应采取逐步渗透、螺旋上升的方法,分段而有循环地安排函数知识,实现分层的目标.……     

新型杂多酸[Bu4N][Ni(pph3)2]PW11O39硅溶胶修饰电极电化学性质及电催化研究

采用溶胶-凝胶技术制备了新多金属氧酸盐[Bu4N][Ni(pph3)2]PW11O39(Bu为四丁基,pph为苯基磷)有机-无机杂化材料修饰电极,该修饰电极不仅保持了本体溶液的电化学和电催化性质,而且还具有很好的稳定性与灵敏度.研究表明,优选条件下修饰电极在pH=4.5的缓冲溶液中,其催化电流与NO2-浓度在6.0×10-6~1×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,对不同基质环境水样的加标回收率为97%~102%,方法的检出限为1.0×10-7mol/L,对1.0×10-4mol/L NO2-平行测定10次的相对标准偏差(RSD)为1.96%.     

二价铬或锰取代的硅钨杂多酸异构体的聚苯胺掺杂材料的制备及其热稳定性和荧光性能的表征

预先制备了由二价铬或锰取代的硅钨杂多酸钾盐的α及βi(βi=β1,β2及β3)异构体,然后在室温及无酸的条件下与聚苯胺进行固相掺杂,用红外光谱法、紫外-可见分光光度法、X射线衍射法、差示热重量法及分子荧光光度法对所得的掺杂材料的结构、热稳定性及荧光性能等特性作了表征.     

Magnetic Tunnel Junctions with MgO／Al-O Composite Barriers

Magnetic tunnel junctions (MTJs) with structures of Ta(5 nm)/Cu(30nm)/Ta(5 nm)/Ni79Fe21 (5 nm)/Ir22Mn78 (12 nm)/Co62Fe20B18 (4 nm)/MgO(d)/Al(0.8 nm)-oxide/Co62Fe20B18 (6 nm)/Cu(30 nm)/Ta(5 nm) on a thermally oxidized Si wafer substrate were fabricated by magnetron sputtering and photolithographic patterning method. The tunnel magnetoresistance (TMR) and the bias dependence of TMR at room temperature for the MTJs with different thickness d of MgO are investigated. TMR values of over 50% as high as those of the MTJs with pure Al-O barrier and the TMR-voltage curve asymmetries, which vary with the increase of d, are observed in the MTJs with hybrid barriers after annealing at 265℃ for an hour. The dependences of TMR, resistance and coercivity of the MTJs with composite barriers on temperature are also investigated.