单晶硅纳米薄膜面向导热MD研究的探讨

本文分析了经典分子动力学(Molecular Dynamics)技术在模拟厚度在纳米量级的单晶硅薄膜平行于薄膜平面方向的热导率时出现的用难,指出精确计算薄膜表面附近处的原子运动状态对于单晶硅纳米薄膜面向热导率的分子动力学模拟具有重要意义,并在此基础上提出采用基于分子动力学和预处理共轭梯度法(Preconditioned conjugate Gradients)的Ab Initio方案模拟面向热导率。     

工程中的超声学-91国际会议与展览会

工程中的超声学-91,国际会议与展览会将于1991年7月23—29日在苏联Arkhangelsk城召开(本城机场与莫斯科和列宁格勒有直达联接)。 主办单位苏联国家科学与工程委员会。苏联国家教育委员会。苏联科学院声学研究理事会。N.I.Andreev声学研究所。苏联科学院普通化学和无机化学研究所。莫斯科钢与合金研究所。列宁格勒造船研究所。Sevmash-vtuz-MNTL“KVANT”     

Tl2Ba2CaCu2O8薄膜直流超导量子干涉器的噪声特性

本给出了Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８薄膜双晶结直流超导量子干涉器噪声测量的实验结果。与至今最好的ＹＢＣＯ薄膜器件噪声测量结果相比，铊器件１／ｆ特性低频噪声的起始频率要低二个数量级。本还详细介绍了器件在闭环工作模式时，其噪声频谱的测量方法。     

C60薄膜的离子注入损伤研究

在200 keV重离子加速器上，用120—360 keV的H,N,Ar和Mo离子注入C₆₀薄膜．对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析．结果表明，不同离子注入C₆₀薄膜后，C₆₀的1469 cm^-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降，同时在1300—1700 cm^-1范围出现非晶碳峰，并逐渐增强，最终完全非晶化．而且1469 cm^-1拉曼峰的强度及C₆₀薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关．进一步的分析表明，C₆₀分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成，与电子能量转移无关．H离子注入C₆₀薄膜后，1469 cm^-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽，这可能是注入的H离子通过电子能量转移使C₆₀分子发生聚合的结果. 关键词：     

TiO2半导体薄膜的制备与特性

ＴｉＯ_２半导体薄膜的制备与特性徐明霞，徐廷献，刘宁（天津大学材料系天津３０００７２）关键词ＴｉＯ_２，半导体薄膜，制备ＴｉＯ２薄膜或涂层，作为优良的色材、氧敏传感器材料和湿式太阳电池的光电阳极材料具有广阔的应用前景［１～３］．传统制膜技术主要采用物理...     

Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的结构与形貌分析

采用金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法,在S_1,Au,Pt和Ti基片上沉积制备Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)铁电薄膜,对不同基片沉积的BTO薄膜,以及不同退火温度下的薄膜的相结构、成分及形貌进行了分析。结果表明,BTO薄膜的结构与退火温度和沉积基片有关,不同基片上钙钛矿结构形成的温度按T_t相似文献   

以气相氢原子活化金刚石附氢（111）面的分子轨道方法研究

在低压化学气相沉积条件下，金刚石附氢表面脱氢势垒的大小是金刚石薄膜生长动力学的重要理论参数，前人用不同方法对该势垒值的计算给出了很不一致的理论结果，本文应用多种分子轨道方法对金刚石附氢（１１１）面的脱氢势垒进行了系统研究，比较了各方法计算的过滤态结构，给出了修正的理论预言值，并论证了不同分子轨道方法计算结果的优劣，评价了前人不相一致的理论结果。     

SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究

本工作利用光学多道分析仪(OMA Ⅲ)测量了脉冲TEA CO₂激光诱发的SiH₄等离子体内H Balmer系的H_α,H_σ和H_γ线的线型。结果表明,三条谱线的FWHM(半值全宽度)随跃迁上能级的主量子数的增加而增加,即△λ_1/2(H_α)<△λ_1/2(H_β)<△λ_1/2(H_γ)。通过对等离子体内各类加宽机制的讨论,得出等离子体内谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由H_α线的实验线型与Stark加宽理论线型的拟合,得到等离子体的两个重要参量,平均电子密度N≈10¹⁷cm^-3,电子温度T≈40 000K。由H_β线的时间分辨测量得到等离子体的电子密度随时间的演变曲线。 关键词：