离子注入对C60薄膜结构的影响

利用高能离子注入技术系统地研究了不同剂量、不同种类离子注入对Ｃ６０薄膜结构的影响，并利用Ｒａｍａｎ光谱对其结构进行分析．结果表明：中等能量的离子注入会影响Ｃ６０薄膜的结构，使Ｃ６０分子薄膜产生聚合和非晶碳化现象，但上述现象的出现与注入离子的剂量大小有关，并存在一注量阈值，只有在此阈值之上，Ｃ６０薄膜结构才发生改变，研究表明这与注入离子同Ｃ６０分子之间互作用方式有关     

C60薄膜的离子注入损伤研究

在200 keV重离子加速器上，用120—360 keV的H,N,Ar和Mo离子注入C₆₀薄膜．对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析．结果表明，不同离子注入C₆₀薄膜后，C₆₀的1469 cm^-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降，同时在1300—1700 cm^-1范围出现非晶碳峰，并逐渐增强，最终完全非晶化．而且1469 cm^-1拉曼峰的强度及C₆₀薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关．进一步的分析表明，C₆₀分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成，与电子能量转移无关．H离子注入C₆₀薄膜后，1469 cm^-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽，这可能是注入的H离子通过电子能量转移使C₆₀分子发生聚合的结果. 关键词：     

离子注入对C60薄膜结构的影响

利用高能离子注入技术系统地研究了不同剂量、不同种类离子注入对C₆₀薄膜结构的影响,并利用Raman光谱对其结构进行分析．结果表明：中等能量的离子注入会影响C₆₀薄膜的结构,使C₆₀分子薄膜产生聚合和非晶碳化现象,但上述现象的出现与注入离子的剂量大小有关,并存在一注量阈值,只有在此阈值之上,C₆₀薄膜结构才发生改变,研究表明这与注入离子同C₆₀分子之间互作用方式有关.     

掺杂C60薄膜的制备及光电特性

在电弧法制备的过程中添加氮气或B2O3粉末,制备了氮、硼替位式掺杂C60.硼掺杂和氮掺杂C60均显示明显的半导体导电特性,且室温电导率比未掺杂C60薄膜提高1～2个量级.用共蒸发的方法制备出了硫掺杂C60薄膜,其电导率～温度曲线中存在一个过渡区,过渡区两侧表现出明显的半导体导电特性,这与掺入C60薄膜中的硫杂质的存在状态有关.其室温电导率比掺杂前提高4个量级,光致发光也明显增强.另外还报道了用离子注入和射频等离子体辅助真空沉积的方法制备掺杂C60薄膜的初步结果.     

GaAs(100)衬底上C60单晶膜的取向生长

利用双温区真空蒸发沉积技术成功地在GaAs（100）衬底上实现了完全（111）取向的C₆₀单晶膜的生长．用扫描电子显微镜和Ｘ射线衍射技术对C₆₀单晶膜的形貌和结构进行了分析．结果表明：能实现C₆₀取向生长的衬底温度范围很窄，温度过高或过低都易造成晶粒的取向无序．对实验结果做出了合理的解释，并讨论了C₆₀单晶膜的生长机制 关键词：     

硫掺杂C60薄膜电学性质研究

对硫掺杂C₆₀薄膜样品在433K进行真空退火，并测量了其电导率随温度的变化关系．发现硫掺杂后C₆₀薄膜的电导激活能减小，电导率显著增大．电导率随温度的变化曲线在368K到388K的范围内，存在一个电导率与温度的关系不严格遵循指数规律的过渡区，在过渡区的两侧硫掺杂的C₆₀薄膜则表现出明显的半导体特性，这是由于在不同温度范围内样品中硫分子的结构相变所引起的 关键词：