TiO2纳米晶的等离子体改性及光电转换性能的研究

用反应射频溅射法和涂敷法在导电玻璃上制备TiO2薄膜，并用Ar射频等离子体对TiO2薄膜进行处理。按“三明治”结构将TiO2工作电极、Pt／C对电极、0．5MKI 0．05M I2电解液组装成光电池，测量其开路电压和短路电流。结果表明经过Ar射频等离子处理后，溅射法和涂敷法制备的TiO2薄膜组装的光电池的光电流分别提高了约80％和60％。     

Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的结构与形貌分析

采用金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法,在S_1,Au,Pt和Ti基片上沉积制备Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)铁电薄膜,对不同基片沉积的BTO薄膜,以及不同退火温度下的薄膜的相结构、成分及形貌进行了分析。结果表明,BTO薄膜的结构与退火温度和沉积基片有关,不同基片上钙钛矿结构形成的温度按T_t相似文献   

TiO2薄膜的结构和光学性质的研究

以金属钛为靶材，用反应射频溅射法制备了TiO2薄膜，并在600－900℃下进行了热处理，经XRD测量，在600－800℃下TiO2薄膜为锐钛矿和金红石两种结构的混合态，在900℃下TiO2薄膜为纯金红石结构，研究TiO2薄膜的SEM照片和UV－vis透射光谱发现，不同的热处理温度会影响TiO2薄膜中锐矿和金红石两种结构的比例，从而导致TiO2薄膜的微观形貌，折射率，禁带宽度等性质的变化。     

射频溅射法制备Pb_(1-x)Co_xSe薄膜及物性研究

利用复合靶共溅射法制备了半磁性半导体 Ｐｂ１－ ｘ Ｃｏｘ Ｓｅ 薄膜．研究了薄膜的成分结构以及电阻率温度特性和磁化率温度特性间的关系．结果表明：由于 Ｃｏ 离子介入, Ｐｂ１－ ｘ Ｃｏｘ Ｓｅ 发生了由金属特性向半导体特性的转变,在充分低的温度下,并伴有磁相转变．磁相转变温度与磁性离子浓度相关,磁化率的相对变化幅度与磁性离子浓度有关     

二维衍射光栅在彩虹全息中的应用

提出了将正交位相光栅和扇出光栅应用于制作彩虹全息图的方法,分析了正交位相光栅产生的多重全息像的位置和强度分布,给出制作扇出光栅的一种实用方法,并给出了实验结果。     

Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的相变研究

用变温X射线及热分析等方法研究Bi_4Ti_3O_12铁电薄膜的相变,结果表明,在温度为350~445℃之间,薄膜经历由烧绿石相向钙钛矿相的结构相变,在670℃附近,薄膜由铁电相向顺电相转变;该相变是由于晶格畸变量b/a随温度上升连续减小,使得薄膜晶体对称性发生改变引起,在相变点附近未观察到潜热的产生。     

(Au,Ag)/Si复合纳米颗粒薄膜的微结构与光谱特性

采用复合靶共溅射方法制备了(Au,Ag)/Si复合纳米颗粒薄膜,分别采用Maxwell-Garnett理论和微分有效媒质(DEM)理论计算了Ag/Si复合薄膜的吸收光谱,实验测量结果与DEM理论计算更接近,讨论了(Au,Ag)/Si体系复合薄膜共振吸收峰宽化的微观机制. 关键词：     

Au-LiNbO_3纳米颗粒膜的制备和物性分析

采用复合靶共溅射技术,在单晶 Ｓｉ基片和石英玻璃基片以及钠硅酸盐玻璃基片上分别制备得到了 Ａｕ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 和 Ａｕ Ｎａ Ｎｂ Ｏ３ 纳米复合颗粒膜．利用 Ｘ 射线衍射谱和电子能谱对复合膜的结构和物相进行了分析．观测到 Ａｕ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 纳米复合频粒膜在５９３ ｎｍ 波段存在强等离子体共振吸收     

金属与金属氧化物复合靶制备Bi_4Ti_3O_（12）薄膜

报道了金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法，制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ（１２）（ＢＴＯ）铁电陶瓷薄膜的方法，研究ＢＴＯ薄膜的晶体结构，表面形貌以及断面．实验表明采用复合靶能够制备质量好、成分均匀的ＢＴＯ薄膜，其结晶取向与基片材料有关，且退火工艺对膜的质量有影响．     

RF溅射的SiO_2和SiO_2/Al/SiO_2薄膜的喇曼散射光谱研究

用射频溅射(RF Sputtering)法制成了SiO_2和SiO_2/Al/SiO_2薄膜。应用喇曼光谱研究了薄膜结构。结果表明:RF溅射制成的SiO_2薄膜是含有大量环结构缺陷的玻璃态;SiO_2/Al/SiO_2层状薄膜的喇曼光谱中观察到Al_2O_3的特征峰,证实了Al/SiO_2薄膜界面确有氧化还原反应发生;从喇曼光谱中Al_2O_3的特性峰的位置和相对强度可推断出,SiO_2/Al/SiO_2薄膜界面处的Al_2O_3是非晶γ-Al_2O_3。