多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究

利用X射线双晶衍射方法,对从同一Si(111)基片上切割的两块样品,在不同电解电流密度下,腐蚀形成的多孔硅层相对于基体硅的晶格畸变进行了分析。这两块样品晶格的畸变明显不同。其中电流密度较小的样品畸变较大,其多孔硅层对于基体硅在垂直和平行于晶体表面的方向上,晶格有不同程度的膨胀,搁置一段时间后,两者晶格渐渐匹配,但存在着弯曲。两者的(111)晶面取向亦有偏差。电流密度较大时多孔硅层较厚,其双晶反射强度很低,且弥散地迭加在基体硅反射峰上。     

固相配位化学反应——ⅩⅩⅩ.室温下铁氰化钾的固相反应

本文首次报道了铁氰化钾在室温下与碘化钾、硫化钾的固相氧化还原反应,实验发现在固相下铁氰化钾与碘化钾混合后,生成单质碘和亚铁氰化钾,而在溶液中该反应是反方向进行的.实验还发现,在固相下铁氰化钾与还原剂硼氢化钠不反应,而在溶液中,该反应却能进行.对反应机制进行了初步探讨.     

线性变位极谱法研究 Ⅷ.钒(Ⅴ)-5-Br-PADAP-H_2O_2的配位吸附波

本文提出了钒(V)-5-Br-PADAP-H_2O_2三元配合物的配位吸附波。在O.60M磷酸底液中,该波的峰电位为-0.05V(vs SCE),在8.00×10~(-8)～2.00×10~(-5)M浓度范围内与峰电流呈线性关系。对极谱波的电流—电位性质进行了研究,求得了配合物的组成、表观稳定常数和离解及生成速率常数。     

First-principles Study of Electron Transport Through Oligoacenes

利用非平衡格林函数和电子密度泛函理论研究了多并苯分子结(多并苯分子末端通过硫原子以串联和并联方式连接在两个Au(111)表面之间)的电子输运特性．在小偏压下,多并苯分子结的电子输运性能主要取决于来自最高占据分子轨道的透射输运峰的尾部在费米能级附近的贡献．随着多并苯分子中苯环个数的增加,串联型多并苯分子的零偏压电导值先减少后变大,它既不遵循指数衰减规律,也没有表现出振荡现象,而并联型分子结的零偏压电导值随苯环个数的增加而单调增加．理论计算结果表明,分子轨道空间分布图、能隙变化以及费米能级所处位置可以用来阐明多并苯分子结的电子输运机     

Si中Nd离子热退火行为的深能级瞬态谱研究

本文采用高能离子注入技术将两种剂量的稀土元素钕(Nd)引入外延n-Si片中,并借助非相干光快速热退火(RTA)方法使注入层再结晶并电激活;利用深能级瞬态谱(DLTS)测量方法对Si中Nd离子的深能级行为进行了研究.结果发现:经几秒钟的RTA处理,Nd能在Si中被激活并形成深能级中心,测量到较宽的DLTS谱峰.Nd在n-Si中的深能级行为与Si衬底材料的浅能级杂质基本无关.在低于1285℃的RTA时,Nd形成的深能级中心均为施主型.深能级中心的位置随注入剂量和退火温度不同而有所变化;高温退火后,Nd在硅中有一个能级位置为Ec-(0.32±0.04)eV稳定的施主型深中心,对它的成因进行了讨论.     

晶粒尺寸对薄膜电阻率温度系数的影响

报道了Ｐｄ薄膜电阻率温度系数（ＴＣＲ）随不同薄膜厚度和不同退火温度的变化．实验结果表明：薄膜ＴＣＲ值远小于体材料的值，且对晶粒尺寸有一定的依赖关系；薄膜晶粒尺寸越大，其ＴＣＲ值也越大。采用晶粒间界散射的二流体模型对此结果进行了讨论。 关键词：     

由电阻率的准静态测量研究薄膜晶粒的生长动力学

提出一种用薄膜电阻率的准静态测量来进行薄膜晶粒生长动力学研究的方法。在超高真空系统中用直流溅射制备Pd膜,然后测量不同温度下Pd膜电阻率与退火时间的关系。利用二流体模型推算出对应晶粒尺寸大小的变化,并和TEM结果进行比较。在此基础上进一步分析了退火温度对薄膜中晶粒尺寸变化所起的作用,拟合出晶粒的生长曲线。实验结果表明晶粒长大是一种热激活生长过程,激活能约为0.53eV。 关键词：     

MoSi_x多层薄膜电阻率温度系数及电子的弱局域性研究

利用多层溅射技术制备了不同组分的MoSi_x薄膜,然后研究其平面电阻的退火行为,发现平面电阻随薄膜成分呈现不同的变化趋势;对典型的MoSi_2和MoSi(?)两种成分的薄膜进行了系统的电阻率温度特性研究,发现多层薄膜在晶化之前和处于小晶粒时电阻率温度系数(TCR)为负值,并认为它和无序体系中电子的弱局域性有关. 关键词：     

氧化石墨烯在缺氧氧化锌薄膜表面的自发分裂

第一次从实验上展现了氧化石墨烯在缺氧氧化锌薄膜表面的自发分裂,即完整的氧化石墨烯片会自发分裂成许多小片. 此现象的可能机制是：氧化石墨烯表面存在链状的环氧基团,缺氧氧化锌薄膜表面的氧空位能够吸收氧化石墨烯表面的环氧基团,影响氧化石墨烯表面的环氧基团链的稳定性,导致环氧基团链自发打开,从而使完整的氧化石墨烯片破裂成很多小片.     

基于氧化锌纳米薄片的高性能增强型场效应管和紫外光传感器

借助气相输运凝结法成功制备出数纳米厚的氧化锌纳米薄片并充分研究其结构与光学性质. 利用此薄片构建出场效应管和紫外光传感器. 由于其独特的结构,此场效应管被证实为n沟道增强型并具有好的电学特性,其场效应迁移率可达到256 cm²/(V·s),开关比约为10⁸. 而且其紫外光传感器的光响应也可显著提高到3×10⁸.