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针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
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为获得高性能的柔性透明导电薄膜,采用磁控溅射技术在柔性PC衬底上制备出了STO(30nm)/Ag/STO(30nm)复合结构透明导电薄膜.分别对不同中间Ag层厚度薄膜的结构、光学和电学性质进行了研究.研究发现:随着中间Ag层厚度的增加,可见光区的平均透过率先增大后减小,电阻率和方块电阻持续减小;当中间Ag层厚度为11nm时,复合结构透明导电薄膜具有最佳的品质因子为14.23×10~(-3)Ω~(-1),此时,其可见光区平均透过率为82%,方块电阻为9.2Ω/sq.. 相似文献
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采用氧离子辅助电子束反应蒸发工艺在K9玻璃基底上制备了性能优异的ITO薄膜.通过对薄膜方块电阻和透过率的测量分析,研究了基底温度、离子束流、沉积速率等工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响.发现升高基底温度有利于减小薄膜的短波吸收,但过高的基底温度会增加薄膜的电阻率,合适的沉积速率可以同时改善薄膜的光学和电学性能.在比较理想的工艺参数下制备的ITO薄膜的电阻率约为5.4×10-4Ω·cm,可见光(波长范围425~685 nm)平均透过率达84.8%,其光电性能均达到实用化要求. 相似文献
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在室温及不同的氧氩比条件下,采用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层,在载玻片衬底上制备出了SnO2/Ag/SnO2多层薄膜.用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外-可见-近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质.实验结果表明:当氧氩比为1:14时,所制得的薄膜的光电性质优良指数最大,为1.69×10-2 Ω-1;此时,薄膜的电阻率为9.8×10-5Ω·cm,方电阻为9.68Ω/sq,在400~800 nm可见光区的平均光学透射率达85%;并且,在氧氩比为1:14时,利用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层在PET柔性衬底上制备出了光电性质优良的柔性透明导电膜,其在可见光区的平均光学透过率达85%以上,电阻率为1.22×10-4Ωcm,方电阻为12.05Ω/sq. 相似文献
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为了制备用于挠性电路板中的挠性覆铜板,在聚酰亚胺上使用中频磁控溅射方法制备金属Cu膜.实验中,通过改变制备温度、衬底偏压、制备时间等工艺参数,制备出导电性符合要求的Cu薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)研究薄膜的成分、结构以及表面形貌,用触针式台阶仪、四探针电阻测量仪测量薄膜的膜厚以及电阻,并计算薄膜的电阻率.最终得到制备导电性符合工业应用标准的Cu膜的最佳工艺条件:制备温度100℃,直流偏压50 V,无脉冲偏压. 相似文献
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利用射频磁控溅射技术在MgO(001)单晶基片上沉积了一系列Ba0.94La0.06SnO3薄膜,并对薄膜的结构和电输运性质进行了系统研究.所有薄膜均表现出简并半导体(金属)导电特性:在T>Tmin的高温区(Tmin为电阻最小值对应的温度),薄膜的电阻率随温度的升高而升高,并且与温度的平方呈线性关系.在T min的低温区域,薄膜的电阻率随温度降低而上升,并且电阻率随lnT呈线性变化,均匀无序系统中的电子-电子相互作用、弱局域效应以及Kondo效应均不能解释这种现象.经过定量分析,发现电阻率在低温下lnT的依赖关系源于颗粒间电子的库仑相互作用.同时,在Ba0.94La0.06SnO3薄膜中也观察到霍尔系数RH与lnT呈线性关系,并且该线性关系也定量的符合金属颗粒体系中库仑相互作用的理论.薄膜断面高分辨透射电子显微镜结果表明,虽然薄膜整体呈现外延结构,但其中... 相似文献
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制备条件对La0.67Sr0.33MnO3外延薄膜结构及磁电阻的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用直流溅寺在LaAlO3基片上生长了La1-xSrxMnO3外延薄膜。测量了薄膜样品退火前后在零场和外加磁场中的电阻率和磁阻随温度的变化。实验发现,随着基片温度的升高,磁阻在减少;电阻在率最高峰位高温区移动;溅射温度为650℃的样品,磁阻效应最大。 相似文献
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射频磁控溅射法制备了La2/3Ca1/3MnO3纳米薄膜(LCMO).该薄膜发生FM-PM相变的转变点温度为Tc≈308K(近似为电阻峰值温度Tp);在不同温度下的光电导性质实验表明所制备的LCMO薄膜在连续激光作用时低温段(TTc时,ΔR/R<0,即光电导效应.调制激光脉冲光响应实验发现,光致信号强度和温度及偏置电流之间存在非线性关系:光致电阻率增大信号极大值为偏置电流的二次函数,而极大值对应的温度和偏置电流成线性关系,同时,光响应有一个截止温度,并且存在最佳光响应偏置电流和温度条件.分析认为LCMO薄膜的光致电阻率变化特性和材料的eg↓自旋电子的状态以及与此相应的小极化子的形成有关. 相似文献
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《物理学报》2017,(2)
在室温条件下,采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备出了一系列高质量的AZO薄膜和不同Ag缓冲层厚度的AZO/Ag/AZO复合薄膜.利用x射线衍射和原子力显微镜分别对薄膜的物相和表面形貌进行了表征;利用霍尔效应测试仪和紫外一可见光分光光度计等实验技术对薄膜的光电性能进行了研究.实验结果表明,Ag缓冲层厚度对AZO薄膜的晶体结构和光电性能影响较大.当Ag层厚度为10 nm时,AZO(30nm)/Ag(10 nm)/AZO(30 nm)薄膜拥有最优品质因子,为1.59×10~(-1)Ω~(-1),方块电阻为0.75Ω/□,可见光区平均透过率为84.2%.另外,薄膜电阻随温度的变化趋势呈现金属电阻随温度的变化特性,光电热稳定性较好. 相似文献
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氧化钒(VOx)薄膜是一种广泛应用于红外热成像探测的薄膜材料,研究VOx薄膜的制备工艺、获取高电阻温度系数(TCR)的VOx薄膜具有重要意义。以高纯金属钒作靶材,采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了VOx薄膜。主要研究了氩氧流量比以及功率等工艺参数对薄膜TCR的影响,获得了较好的工艺参数。采用万用表和X射线光电子能谱仪(XPS)分别测试了不同条件下射频磁控溅射法制备的VOx薄膜的电阻特性和薄膜成分,测试结果表明,采用所获得的较好工艺参数制备的VOx薄膜TCR值大于1.8%。 相似文献
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利用射频溅射法在石英玻璃基底上制备了一系列面心立方结构的多晶TaN1-δ薄膜, 并对其晶体结构和2–350 K温度范围的电子输运性质进行了系统研究. 薄膜呈多晶结构, 并且平均晶粒尺寸随着基底温度的升高逐渐增大. 电输运测量结果表明, TaN1-δ薄膜在5 K以下表现出类似超导体-绝缘体颗粒膜的电输运性质; 随着温度的升高, 薄膜在10–30 K表现出类似金属-绝缘体颗粒膜的性质; 在70 K以上, 热涨落诱导的遂穿导电机理主导着电阻率的温度行为. 我们的结果表明: TaN1-δ多晶薄膜的类颗粒膜属性使其具有较高的电阻率和负的电阻温度系数. 相似文献
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采用原位电阻法对TFA-MOD法高温热处理阶段YBCO薄膜生长速率进行了研究。实验结果和分析表明原位电阻测量法是一种估算YBCO层生长速率的有效方法,不同条件下的测量结果表明薄膜生长速率随管式炉内的温度、水分压、气体流量的上升而明显增加,但随薄膜面积的增加而减小。实验结果为进一步探索和优化热处理过程提供了重要的基础。 相似文献