基因网络前馈环路中的涨落共振

应用化学主方程和线性涨落近似方法,重点研究了前馈环路（FFL）对外界输入弱信号的响应,特别考察了它的涨落共振现象．研究发现Z基因的FR行为很大程度上依赖于FFL的协同性：协同FFL中Z的FR曲线呈明显的单峰,而非协同FFL中该曲线出现明显双峰．由于振荡信号常常在实际应用中用来探测网络的调控结构,因此可以利用涨落共振曲线的定性差别来区分FFL网络的性能．     

BaF2：Dy^3＋晶体的光谱在不同激发条件下的变化

ＢａＦ２：Ｄｙ＾３＋晶体有两个系列的发射光谱，在Ｘ射频激发下，跃迁自高激发态的发射系列消失，根据Ｘ射线激发下发光强度随Ｄｙ＾３＋浓度和温度的变化，讨论了光谱的变化与本征发射间的联系。     

基于双吡啶脲类Cd(Ⅱ)、Zn(Ⅱ)、Hg(Ⅱ)配合物的合成及晶体结构

间苯二胺和3-吡啶异氰酸酯在甲苯中加热回流得到双吡啶脲类配体L,然后将配体分别与CdSO_4·8H_2O,ZnI_2,HgI_2,HgCl_2进行配位反应,得到4个配合物{[Cd(L)(SO_4)(H_2O)_3]·H_2O}n(1),{[Zn(L)I_2]·2C_2H_5OH}n(2),{[Hg(L)I_2]·C_2H_5OH}n(3),[Hg(L)Cl_2]·H_2O(4),并用元素分析、FT-IR、X射线单晶衍射、粉末衍射对其进行了表征。配合物1形成一维螺旋链结构,配合物2和3形成一维"之"字链结构,配合物4形成32元环状结构。     

基于双吡啶脲类Cd(Ⅱ)、Zn(Ⅱ)、Hg(Ⅱ)配合物的合成及晶体结构

间苯二胺和3-吡啶异氰酸酯在甲苯中加热回流得到双吡啶脲类配体L,然后将配体分别与CdSO₄·8H₂O,ZnI₂,HgI₂,HgCl₂进行配位反应,得到4个配合物{[Cd（L）（SO₄）（H₂O）₃]·H₂O}_n（1）,{[Zn（L）I₂]·2C₂H₅OH}_n（2）,{[Hg（L）I₂]·C₂H₅OH}_n（3）,[Hg（L）Cl₂]·H₂O（4）,并用元素分析、FT-IR、X射线单晶衍射、粉末衍射对其进行了表征。配合物1形成一维螺旋链结构,配合物2和3形成一维“之”字链结构,配合物4形成32元环状结构。     

BaFBr，BaFBr：Eu~（2＋）和BaFBr：Ce~（3＋）晶体在X射线辐照和光激励过程中发光和光电导的实时原位测量

在自建的多功能实时原位测量发光特性和光电导的实验装置上，测量了ＢａＦＢｒ，ＢａＦＢｒ：Ｅｕ２＋和ＢａＦＢｒ：Ｃｅ３＋单晶在Ｘ射线辐照和光激励过程中的发光强度和光电导。首次从光电导的角度测量到Ｘ射线辐照时，Ｅｕ２＋并没有被离化，而Ｃｅ３＋被离化，离化电子经导带被Ｆ＋心俘获；明确证实了光激励过程中Ｆ心电子的隧穿效应。     

Fluctuation Resonance of Feed Forward Loops in Gene Regulatory Networks

应用化学主方程和线性涨落近似方法,重点研究了前馈环路(FFL)对外界输入弱信号的响应,特别考察了它的涨落共振现象．研究发现Z基因的FR行为很大程度上依赖于FFL的协同性：协同FFL中Z的FR曲线呈明显的单峰,而非协同FFL中该曲线出现明显双峰．由于振荡信号常常在实际应用中用来探测网络的调控结构,因此可以利用涨落共振曲线的定性差别来区分FFL网络的性能．     

磁控溅射MO薄膜电阻率的原位研究

研究了磁控溅射Mo薄膜的电阻率与薄膜厚度的关系。对Mo薄膜的电阻率进行了原位测量,得到电阻率与薄膜厚度的实验曲线。经拟合计算得到Mo薄膜电阻率与薄膜厚度关系的理论曲线。将实验曲线与理论曲线比较,结果显示在薄膜厚度较大时,电阻率与薄膜厚度的关系与Fuchs-Sondheimer(F-S)理论基本符合,如果计入晶粒尺寸对电阻率的贡献则完全符合F-S理论。并得到Mo薄膜尚未形成连续性薄膜前的导电机制为热电子发射机制的结论。 关键词：     

由电阻率的准静态测量研究薄膜晶粒的生长动力学

提出一种用薄膜电阻率的准静态测量来进行薄膜晶粒生长动力学研究的方法。在超高真空系统中用直流溅射制备Pd膜,然后测量不同温度下Pd膜电阻率与退火时间的关系。利用二流体模型推算出对应晶粒尺寸大小的变化,并和TEM结果进行比较。在此基础上进一步分析了退火温度对薄膜中晶粒尺寸变化所起的作用,拟合出晶粒的生长曲线。实验结果表明晶粒长大是一种热激活生长过程,激活能约为0.53eV。 关键词：     

晶粒尺寸对薄膜电阻率温度系数的影响

报道了Ｐｄ薄膜电阻率温度系数（ＴＣＲ）随不同薄膜厚度和不同退火温度的变化．实验结果表明：薄膜ＴＣＲ值远小于体材料的值，且对晶粒尺寸有一定的依赖关系；薄膜晶粒尺寸越大，其ＴＣＲ值也越大。采用晶粒间界散射的二流体模型对此结果进行了讨论。 关键词：