开口悬挂端对单壁碳纳米管电子输运特性的影响

采用紧束缚模型研究了悬挂端对单壁碳纳米管电子输运特性的影响.结果表明：有限长悬挂端开口碳纳米管的电导在费米能级附近作周期性振荡.椅型(armchair)碳纳米管的振荡同时具有快、慢两个准周期，而锯齿型(zigzag)碳纳米管的振荡仅有一个周期；碳纳米管电导在费米能级附近的振荡周期随着悬挂端的增长而减小.研究还发现：有限长悬挂端开口碳纳米管的平均电导随探针与碳纳米管间耦合强度的增加而增大，其大小约为无限长悬挂端开口碳纳米管平均电导的两倍. 关键词： 输运特性 碳纳米管 紧束缚模型     

Bi_2Sr_2CaCu_2O_8单晶a-b平面热电势率的各向异性

测量了Bi_2Sr_2CaCu_2O_8单晶a方向的热电势率Sa和b方向的热电势率Sb与温度T的关系,发现在a-b平面内热电势率存在各向异性。认为Sa与Sb的差异来源于b方向的调制结构,并用扩散热电势率Sd,声子曳引热电势率Sg和相关跳跃热电势率Sh三种贡献,对实验结果进行了解释。     

晶格失配对异质外延超薄膜生长中成核特性的影响

利用动力学蒙特卡罗方法模拟了异质外延超薄膜生长中的成核过程.研究了薄膜与衬底的晶格失配对超薄膜生长中成核密度、平均核尺寸、标度关系及生长模式的影响.结果发现产生压（张）应变的晶格负（正）失配使生长过程更早（迟）从成核区进入过渡区，失配越大，这一效应越明显.在相同的沉积条件下，负失配导致超薄膜形成较低的成核密度与较大的平均核尺寸，而正失配则相反.成核密度满足标度关系Ns≈(F/D)χ，随着失配度从-0.04增加到0.02，标度系数χ从0.37逐渐减小到0.33，对应超薄膜生长过程从包含二聚体扩散模式转变到无 关键词： 薄膜生长 成核 晶格失配 蒙特卡罗模拟     

准粒子谱函数对单层石墨片最小电导率的影响

在有效质量近似下，利用久保(Kubo)公式计算了单层石墨片的最小电导率.结果发现最小电导率的大小依赖于准粒子谱函数的函数形式：如果准粒子谱函数取洛伦兹分布，得到最小电导率为4e²/πh；如果准粒子谱函数满足高斯分布，则最小电导率为2e²/h. 关键词： 单层石墨片 最小电导率 久保公式     

单链DNA在受限环境中伸展的Monte Carlo模拟

将MonteCarlo方法和键长涨落算法相结合,模拟了受限于两平行平面间的单链DNA分子在外力作用下的伸展以及撤除外力以后弛豫的动力学过程,研究了受限程度对DNA分子的伸展长度及弛豫过程的影响.结果表明,随着受限程度的增加,DNA分子链的构象更加伸展,这主要是由于随着平面间距的减少,DNA分子不同链段之间流体力学相互作用将会被平面屏蔽所致,受限程度不同时DNA分子的弛豫过程进一步证实了这一点.DNA分子的伸展长度(即末端距)随着流速的变化关系与文献给出的实验结果及其对此所做的理论分析是基本一致的.     

基于Z型石墨纳米条带的量子点：第一性原理研究

本文采用全自洽的格林函数和电子密度泛函理论方法对Z型石墨纳米条带的电子结构和输运性质进行了理论研究。理论计算结果表明Z型石墨纳米条带可以用来设计量子点。由于分子结的特殊几何结构，一些分立电子态可以被囚禁在中间纳米条带内，表现出明显量子限域效应。我们还发现这些被囚禁电子态的数目和它们的空间分布特征是可以调制的，然而这种基于Z型石墨纳米条带的量子点总是可以实现，而不受掺杂、边界化学修饰以及分子结长度的影响     

高聚物薄膜表面堆起结构的变温原子力显微术研究

利用原子力显微镜研究了不同温度（室温至58℃）及扫描速率（1—20μm/s）对高聚物PtBuA薄膜（厚度为133nm）表面上形成的突起结构和周期状堆起结构的影响.发现较快的扫描速率或较低的温度易产生随机的团状突起，较慢的扫描速率或较高的温度则易形成周期状突起结构（周期宽度约为100nm），且温度和扫描速率对周期状堆起结构的影响定性满足高聚物的时温等效关系.此外,当温度低于高聚物的玻璃化转变温度Tg时，表面粗糙度随扫描次数的增加而增加；高于Tg时，表面粗糙度基本不变.实验表明堆起结构的形成需要高聚物有较大的 关键词： 高聚物 原子力显微术 纳米技术     

Monte Carlo simulation of the effect of atomic diagonal transition on cluster diffusion

The effect of atomic diagonal transition on the cluster diffusion and its size dependence is simulated by kinetic Monte Carlo method. The thresholds of atomic diagonal transition barriers E_{dt} are found to be 0.2eV and 0.4eV, corresponding to with and without evaporation and condensation mechanism, respectively. The results indicate that the cluster diffusion is controlled primarily by the atomic diagonal transition, and the cluster diffusion coefficient D decreases drastically with increasing E_d when E_dE_{dt}, and the relationship between D and N changes into D∝N^{-1.08±0.027}.     

Bi2Sr2CaCu2O8单晶a-b平面热电势率的各向异性

测量了Bi₂Sr₂CaCu₂O₈单晶a方向的热电势率S_a和b方向的热电势率S_b与温度T的关系,发现在a-b平面内热电势率存在各向异性。认为S_a与S_b的差异来源于b方向的调制结构,并用扩散热电势率S_d,声子曳引热电势率S_g和相关跳跃热电势率S_h三种贡献,对实验结果进行了 关键词：     

Monte Carlo Study on Spontaneous Recoil of Confined DNA Chain

在外加电场作用下，长链DNA分子的一部分链段进入构象熵较小的受限区域，其余部分仍滞留在高熵区. 电场撤除后，位于受限区域的DNA链段将自发回弹到高熵区域. 采用键涨落算法对这一动力学过程进行了模拟研究. 链段的回弹速度逐渐增大，这与实验结果是一致的. 模拟结果揭显示，增加受限区域的障碍物的尺寸或缩小间距都会导致DNA链段回弹速度的增加. 进一步的分析表明链单元在受限区域内的有效熵正比于其在受限区所能到达部分占总受限区域面积的比例.