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利用相衬显微镜结合化学腐蚀法,进行了沿 010 方向提拉生长的GdCa4O(BO3)3(GdCOB)晶体中的缺陷观察.发现位错是 010 方向生长的晶体中的重要缺陷.在不同方向的晶体切片上观察了螺位错和刃位错蚀坑,位错塞积,平底蚀坑及尖底蚀坑.位错密度随晶体长度的变化而变化.在晶体的尾部观测到位错密度为103/cm2,而在晶体的初始部位位错密度很低,只有40/cm2.在晶体的X,Z及 401 方向的切片的正反两面观察到的位错蚀坑现象完全不同,可以认为GdCOB晶体为单畴极性晶体,自发极化方向沿z轴方向. 相似文献
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利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布。与LEXT OLS4000 3D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶片上位错腐蚀坑信息完全呈现出来,且根据腐蚀坑呈现的颜色及尺寸大小,可以分辨出三种不同类型的穿透型位错,其中黑点腐蚀坑对应螺位错,小尺寸白点腐蚀坑对应刃位错,大尺寸白点腐蚀坑对应混合型位错。采用晶格畸变测试仪研究了4英寸(101.6 mm)N型4H-SiC晶体不同生长时期的位错密度及分布情况,结果表明随着晶体生长,位错密度呈现逐渐降低的趋势,生长后期晶片的总位错密度降为生长前期晶片总位错密度的近1/3,有利于反馈位错缺陷在SiC晶体生长过程中的延伸和转化特性信息,以指导SiC晶体生长工艺改进。 相似文献
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氟化物激光晶体Nd, Y∶SrF2(NYSF)具有热导率高、发射光谱宽、发射截面适中等特点,在高功率激光技术领域具有重要应用。激光晶体中的位错是反映其晶格完整性的一类重要的微观晶体缺陷,对晶体材料的力学、光学性能具有重要影响。本文采用坩埚下降法制备了NYSF激光晶体,分析了腐蚀实验条件对位错蚀坑形貌的影响,获得了化学腐蚀法研究NYSF晶体位错缺陷的最佳腐蚀工艺,即浓度为4 mol/L的盐酸溶液作为腐蚀液,腐蚀温度为60℃、腐蚀时间为9~12 min;表征了位错腐蚀坑形态的演变过程,探讨了晶格原子排列对位错蚀坑形态的影响;利用化学腐蚀方法表征了位错缺陷在晶体中的分布规律,即轴向分布为从放肩到尾部先减少后增加,径向分布为从中心到边缘逐步增加;分析了晶体生长条件对位错缺陷形成的影响,提出了位错密度随坩埚下降速率的提高而升高的可能原因。 相似文献
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研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在105/cm2数量级.HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成.HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹.该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好. 相似文献
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用改进的熔盐顶部籽晶法生长了KTiOPO4(KTP)晶体并对该晶体进行了抗"灰迹"性能测试.测试表明,在功率密度为120kW/cm2的1064nm激光和10kW/cm2的532nm激光共同照射1000s后, 晶体在633nm处的吸收依然维持在1.05×10-4/cm左右,表明该晶体比普通KTP晶体具有更高的抗 "灰迹"性能.透过率测试表明,用本方法生长的KTP晶体在波长短于500nm的区域比普通KTP晶体有更高的透过率.通过实验测定,得出该晶体在室温下1064nm倍频Ⅱ类相位匹配角θ=90°时φ=24.40°. 相似文献
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首先测量了KDP溶液的亚稳区,并据此开展“点籽晶”KDP晶体快速生长实验.在实验中采用两种晶体运动方法-“二维平动法”和“旋转法”来生长晶体,分别得到尺寸为55 mm×55 mm×48 mm和60 mm×60 mm×45 mm的晶体.将两种运动方式生长的晶体通过透过光谱,锥光干涉图以及化学腐蚀方式进行质量对比.结果表明,两种方式生长的晶体透过光谱没有太大区别,都具有较高的透过率,但“二维平动法”生长的晶体具有较好光学均匀性,位错密度明显降低.说明“二维平动法”生长晶体的方式能够减少晶体内部缺陷,提高晶体质量. 相似文献
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因晶体硅是间接带隙半导体材料,其较低的吸收系数限制了对近红外波段入射光的吸收.为此,引入金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备的ZnO薄膜,并通过改变掺杂流量和沉积时间调节ZnO∶ B(BZO)薄膜的光学和电学性能.将BZO薄膜用于硅异质结(SHJ)太阳电池的背反射电极,相比于传统结构,电池的反射率和外部量子效率在近红外波段得到显著改善.为进一步解释外量子效率增加的原因,在四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法制绒的硅衬底上沉积BZO薄膜,得到了新型微纳米嵌套结构,并对其光吸收进行了测试分析. 相似文献
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采用一步溶液法制备"三明治"PbS纳米晶/rGO复合材料,通过X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜对样品的晶体结构和表面形貌进行表征,并制作旁热式气敏元器件,测试其气敏特性。研究结果表明在PbS纳米晶/rGO复合材料中,PbS纳米晶均匀负载在rGO片层上,且复合材料存在类似"三明治"的三维结构。该复合材料在室温下对NH_3具有良好检测能力,对1000 ppm NH_3的灵敏度达到3.45,与纯PbS纳米晶及rGO相比,气敏性能得到显著提升,其最低检测极限为1 ppm,且具有良好的氨气选择性。对"三明治"PbS纳米晶/rGO复合材料气敏机理进行分析认为,rGO加入起到载流子传输层的作用,三维结构增加气体扩散速度及吸附面积。三明治状PbS纳米晶/rGO复合材料因其特殊结构及优异的气敏性能,有望在气敏领域得到广泛应用。 相似文献
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Suciati Mary J. Garson Paul V. Bernhardt Gregory K. Pierens 《Journal of chemical crystallography》2011,41(11):1669-1672
Abstract
N6-methyl mucronatine (C8H12N5O) has been isolated from a dictyoceratid sponge collected in South East Queensland. The solid state structure of the new metabolite (I) was confirmed by X-ray crystallography, while an NMR study in d 4-MeOH reveals the presence of a minor tautomer identified as (II). 相似文献18.
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B.P. Wagner Z.J. Reitmeier J.S. Park D. Bachelor D.N. Zakharov Z. Liliental-Weber R.F. Davis 《Journal of Crystal Growth》2006,290(2):504-512
Growth on AlN/4H–SiC substrates of coalesced, non-polar GaN films having volumes of material with reduced densities of dislocations and stacking faults has been achieved from etched stripes via the statistical and experimental determination of the effect of temperature and V/III ratio on the lateral and vertical growth rates of the GaN{0 0 0 1} faces combined with pendeo-epitaxy. AFM of the uncoalesced GaN(0 0 0 1) and GaN vertical faces revealed growth steps with some steps terminating at dislocations on the former and a pitted surface without growth steps, indicative of decomposition, on the latter. Coalescence was achieved via (a) a two-step route and the parameters of (1) and V/III=1323 for 40 min and (2) 1020 °C and V/III=660 for 40 min and (b) a one-step route that employed and a V/III ratio=660 for 6 h. The densities of dislocations in the GaN grown vertically over and laterally from the stripes were 4×1010 cm−2 and 2×108 cm−2, respectively; the densities of stacking fault in these volumes were 1×106 cm−1 and 2×104 cm−1, respectively. The defects in the wing material were observed primarily at the bottom of the film where lateral growth of the GaN occurred from the AlN and the SiC. Plan view AFM also revealed different microstructures and a reduction in the RMS roughness values from 1.2 to 0.95 nm in these respective regions. 相似文献
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Two V-shaped ligands with N-heterocycles, bis(4-(1H-imidazol-1-yl) phenyl)methanone (1), and bis(4-(1H-benzo[d]imidazol-1-yl)phenyl)methanone (2) have been synthesized and characterized by elemental analyses, IR and 1H NMR spectroscopy. Crystal structures of 1 and 2 have been determined by X-ray diffraction. The crystal of 1 is monoclinic, sp. gr. P21/c, Z = 4. The crystal of 2 is orthorhombic, sp. gr. Fdd2, Z = 8. X-ray diffraction analyses show that the V-shaped angles of 1 and 2 are 122.72(15)° and 120.7(4)°, respectively. Intermolecular C–H···O, C–H···N, C–H···π, and π···π interactions link the components into three-dimensional networks in the crystal structures. 相似文献