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共蒸发三步法制备CIGS薄膜的相变过程
引用本文:刘芳芳,张力,何青.共蒸发三步法制备CIGS薄膜的相变过程[J].人工晶体学报,2012,41(6):1519-1523.
作者姓名:刘芳芳  张力  何青
作者单位:南开大学薄膜器件与技术研究所,天津,300071
基金项目:国家自然科学基金,中央高校基本科研业务费专项资金
摘    要:本文采用共蒸发三步法沉积Cu(In,Ga) Se2 (CIGS)薄膜,其中关于Cu化合物的相转变过程是制约吸收层质量的关键.本文详细研究了三步法工艺中吸收层由贫Cu薄膜向富Cu薄膜转变的相变过程,通过X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)及扫描电镜(SEM)结合的方法总结出三步法工艺的相变过程.

关 键 词:CIGS薄膜  共蒸发三步法  相变过程  

Phase Transformation of CIGS Film Prepared by Co-evaporation "Three-stage Process"
LIU Fang-fang , ZHANG Li , HE Qing.Phase Transformation of CIGS Film Prepared by Co-evaporation "Three-stage Process"[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(6):1519-1523.
Authors:LIU Fang-fang  ZHANG Li  HE Qing
Institution:(Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technique,Nankai University,Tianjin 300071,China)
Abstract:
Keywords:
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