| 用提拉法生长的GdCa4O(BO3)3晶体的结构缺陷研究 |
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| 引用本文： | 张树君,张吉果,程振祥,韩建儒,陈焕矗.用提拉法生长的GdCa4O(BO3)3晶体的结构缺陷研究[J].人工晶体学报,2000,29(4):350-354. |
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| 作者姓名： | 张树君 张吉果 程振祥 韩建儒 陈焕矗 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 利用相衬显微镜结合化学腐蚀法,进行了沿 010 方向提拉生长的GdCa4O(BO3)3(GdCOB)晶体中的缺陷观察.发现位错是 010 方向生长的晶体中的重要缺陷.在不同方向的晶体切片上观察了螺位错和刃位错蚀坑,位错塞积,平底蚀坑及尖底蚀坑.位错密度随晶体长度的变化而变化.在晶体的尾部观测到位错密度为103/cm2,而在晶体的初始部位位错密度很低,只有40/cm2.在晶体的X,Z及 401 方向的切片的正反两面观察到的位错蚀坑现象完全不同,可以认为GdCOB晶体为单畴极性晶体,自发极化方向沿z轴方向.
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| 关 键 词： | GdCOB晶体 化学腐蚀 位错 自发极化 |
| 修稿时间： | 2000-03-22 |
Investigation on Defects in GdCa4O(BO3)3 Crystal Grown by Czochralski Method |
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| ZHANG Shu-jun,ZHANG Ji-guo,CHENG Zhen-xiang,HAN Jian-ru,CHEN Huan-chu.Investigation on Defects in GdCa4O(BO3)3 Crystal Grown by Czochralski Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2000,29(4):350-354. |
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| Authors: | ZHANG Shu-jun ZHANG Ji-guo CHENG Zhen-xiang HAN Jian-ru CHEN Huan-chu |
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