KTiOAsO4晶体的铁电畴与位错的多种实验方法研究

利用原子力显微镜,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错.首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息,如发现铁电畴的明区要高于暗区,且两者的粗糙度明显不同.这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径.     

利用原子力显微镜研究KTiOAsO4晶体的铁电畴

利用原子力显微镜研究了KTiOAsO4晶体的铁电畴,发现了这一实验方法的诸多特点,如放大倍数高,可以得到晶体表面的定量信息等,得到了KTiOAsO4晶体铁电畴的原子力显微镜照片,并结合化学腐蚀光学显微法的实验结果进行了研究,最后对铁电畴的机制与消除进行了理论讨论。     

利用同步辐射形貌术研究晶体缺陷的实验方法探讨

利用同步辐射X射线形貌术研究晶体缺陷,是近年来发展起来的一种优良的实验方法,本文在研究LNP等晶体缺陷的同时,对这种实验方法进行了系统的探讨,讨论了散射光的消除,焦距的选择,样品的透明度与厚度,曝光的时间,底片的冲洗等问题,以及在缺陷研究中对晶体衍射的劳厄斑点的选取依据。     

利用原子力显微镜研究KTiOAsO4晶体的铁电畴

利用原于力显微镜研究了KTiOAsO4晶体的铁电畴,发现了这一实验方法的诸多特点。如放大倍数高,可以得到晶体表面的定量信息等,得到了KTiAsO4晶体铁电畴的原于力显微镜照片,并结合化学腐蚀光学显微法的实验结果进行了研究。最后对铁电畴的机制与消除进行了理论讨论。     

Cr:KTiOPO4晶体缺陷的研究

首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷的研究结果.光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂,用Opton大型显微镜反射法观察,观测到(100)面和(021)面的位错蚀坑以及(021)面的小角度晶界.用同步辐射白光X射线形貌术作出(001)面、(010)面和(100)面形貌图,从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线.由此得出,Cr:KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等.